?設(shè)計(jì)高性能電源系統(tǒng)的復(fù)雜性逐年增加。為高性能電源轉(zhuǎn)換部署可靠的設(shè)計(jì)方法,對(duì)于實(shí)現(xiàn)一次性成功以及滿足新興技術(shù)快速變化的電源需求至關(guān)重要。
多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾(EMI)以滿足相關(guān)要求,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。
生活中最常見的燈就是LED燈,但是很少有人知道LED燈需要LED驅(qū)動(dòng)器,電磁兼容(EMC)是在電學(xué)中研究意外電磁能量的產(chǎn)生、傳播和接收,以及這種能量所引起的有害影響。電磁兼容的目標(biāo)是在相同環(huán)境下,涉及電磁現(xiàn)象的不同設(shè)備都能夠正常運(yùn)轉(zhuǎn),而且不對(duì)此環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生難以忍受的電磁干擾之能力。習(xí)慣上說,EMC包含EMI(電磁干擾)和EMS(電磁敏感性)兩個(gè)方面。
生活中最常見的燈就是LED燈,但是很少有人知道LED燈需要LED驅(qū)動(dòng)器,目前手機(jī)普遍采用白光LED作為顯示屏幕的背光元件,相應(yīng)的白光LED驅(qū)動(dòng)器成為一顆在手機(jī)設(shè)計(jì)中不可或缺的IC。白光LED驅(qū)動(dòng)器采用開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如電感式升壓轉(zhuǎn)換器。轉(zhuǎn)換器在高速開關(guān)的同時(shí),由于使用電感產(chǎn)生EMI干擾,會(huì)給手機(jī)其他功能模塊的設(shè)計(jì)帶來困難。隨著LCD屏幕的增大,驅(qū)動(dòng)器所需的輸出能力也相應(yīng)增加,EMI干擾也會(huì)變得嚴(yán)重。因此設(shè)計(jì)白光LED驅(qū)動(dòng)器時(shí)對(duì)EMI的考慮必需認(rèn)真對(duì)待。
一次看夠,EMI/EMC設(shè)計(jì)經(jīng)典70問
本文從最基本的PCB布板出發(fā),討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。
毫無疑問,電源在調(diào)節(jié)、傳輸和功耗等各個(gè)方面都成為日益重要的話題。人們期望產(chǎn)品功能日趨多樣、性能更強(qiáng)大、更智能、外觀更加酷炫,業(yè)界看到了關(guān)注電源相關(guān)問題的重要意義。展望2019年,三大廣泛的問題最受關(guān)注,即:密度、EMI和隔離(信號(hào)和電源)。
EMI,電磁干擾度,描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾;EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE(conduction emission)和輻射干擾RE(radiation emission)以及諧波harmonic
有效優(yōu)化隔離電源設(shè)計(jì),解決隔離電源設(shè)計(jì)復(fù)雜度較大、設(shè)計(jì)成本比較貴、體積比較大等問題,減少輻射測(cè)試中的系統(tǒng)級(jí)影響,保持小電流環(huán)路,滿足CISPR 22 B類輻射標(biāo)準(zhǔn)要求。
引言 隨著IC器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高,電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC/EMI設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來看,在設(shè)備的PCB設(shè)計(jì)階段處理好E
引言 隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高,電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來看,在設(shè)備的PCB設(shè)計(jì)階段處
開關(guān)電源因具有體積小、重量輕、效率高、工作可靠、可遠(yuǎn)程監(jiān)控等優(yōu)點(diǎn),而廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通訊、軍事、民用、航空等各個(gè)領(lǐng)域。在很多場(chǎng)合,開關(guān)電源,特別是通信開關(guān)電
近年來,開關(guān)電源以其效率高、體積小、輸出穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)而迅速發(fā)展起來。但是,由于開關(guān)電源工作過程中的高頻率、高di/dt和高dv/dt使得電磁干擾問題非常突出。國內(nèi)已
基于最近的趨勢(shì),提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo),為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比
隨著IC器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高,電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC/EMI設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來看,在設(shè)備的PCB設(shè)計(jì)階段處理好EMC/EMI問題
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白,只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會(huì)讓您無
1.開關(guān)電源的EMI源 開關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等,外部環(huán)境對(duì)開關(guān)電源的干擾主要來自電網(wǎng)的抖動(dòng)、雷擊、外界輻射等。 (1)功
目前,許多大學(xué)及科研單位都進(jìn)行了開關(guān)電源EMI(Electromagnetic Interference)的研究,他們中有些從EMI產(chǎn)生的機(jī)理出發(fā),有些從EMI 產(chǎn)生的影響出發(fā),都提出了許多實(shí)用有價(jià)