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更高性能/更低功耗的異步DSP核心設(shè)計(jì)
目前，處理器性能的主要衡量指標(biāo)是時(shí)鐘頻率。絕大多數(shù)的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)都基于同步架構(gòu)，而同步架構(gòu)都采用全球一致的時(shí)鐘。這種架構(gòu)非常普及，許多人認(rèn)為它也是數(shù)字電路
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DSP技術(shù)在EMIF接口中的BOOT方法簡析
DSP技術(shù)在目前的芯片研發(fā)過程中得到了廣泛應(yīng)用，在之前的文章中，我們?cè)?jīng)就DSP在EMIF接口中的應(yīng)用進(jìn)行過簡要分析和探討。今天我們將會(huì)接著上一次的討論結(jié)果，來看一下DSP
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是德科技為MXE EMI 接收機(jī)故障診斷功能增加實(shí)時(shí)頻譜分析選件
是德科技公司(NYSE:KEYS)日前推出一款具有業(yè)界最高數(shù)據(jù)速率狀態(tài)模式(高達(dá) 4 Gb/s)、最高定時(shí)模式(10 GHz)和最深存儲(chǔ)深度(高達(dá) 400 MB)的邏輯分析儀模塊。是德科技還推出兩款 W4640A 系列 DDR4 BGA 內(nèi)插器，此內(nèi)插器
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是德科技為MXE EMI 接收機(jī)故障診斷功能增加實(shí)時(shí)頻譜分析選件
是德科技公司日前宣布推出專為符合標(biāo)準(zhǔn)的 MXE EMI 接收機(jī)設(shè)計(jì)的實(shí)時(shí)頻譜分析(RTSA)選件。通過添加 RTSA 到 MXE 接收機(jī)，測(cè)試實(shí)驗(yàn)室可以對(duì)在電磁兼容性(EMC)一致性和預(yù)先一致性測(cè)試中的寬帶瞬態(tài)信號(hào)進(jìn)行觀察和故障診
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ARM未來芯片路線圖泄露 包含10nm處理核心
有媒體日前曝光了一張ARM移動(dòng)處理器架構(gòu)路線圖的偷拍照，當(dāng)中包含了一個(gè)強(qiáng)大的處理器核心系列，代號(hào)Artemis，由10nm工藝制作。和目前最尖端的14nm芯片工藝相比，10nm預(yù)計(jì)會(huì)帶來更大幅度的能耗和能效比提升。搭載10nm
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綠松色、藍(lán)色LED光療可治嬰兒黃疸
丹麥研究人員發(fā)現(xiàn)，綠松色和藍(lán)色LED光療對(duì)于減緩嬰兒高膽紅素血癥(Hyperbilirubinemia，俗稱黃疸)同樣有效，這個(gè)發(fā)現(xiàn)最近刊于《Nature》期刊上。奧爾堡大學(xué)附設(shè)醫(yī)院(Aalbor
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開關(guān)電源EMI的五大抑制策略
開關(guān)電源是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件并綜合電力變換技術(shù)、電子電磁技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)等的電力電子產(chǎn)品。因其具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、工作穩(wěn)定、安全可靠以及穩(wěn)
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開關(guān)電源EMI的五大抑制策略
開關(guān)電源是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件并綜合電力變換技術(shù)、電子電磁技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)等的電力電子產(chǎn)品。因其具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、工作穩(wěn)定、安全可靠以及穩(wěn)
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三菱展示新一代概念電動(dòng)車 配3D抬頭顯示功能
三菱在四年前曾經(jīng)展示過一款Tron電動(dòng)概念車，不過在這四年里，似乎一直都沒有什么進(jìn)一步的消息。而現(xiàn)在經(jīng)過多年的努力，三菱近日終于對(duì)外展示了旗下第三代的Emirai電動(dòng)概念
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正確排查EMI問題的四大實(shí)用性技巧
全世界幾乎所有政府都在嘗試控制他們國家生產(chǎn)的電子產(chǎn)品產(chǎn)生的有害電磁干擾(EMI)(見圖1)。為了向用戶提供一定的保護(hù)和安全等級(jí)，政府都會(huì)制訂涉及電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的非常特殊的
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
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量化射頻（RF）干擾對(duì)線性電路的影響
典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號(hào)衰減到非常低的水平，因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。
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高速PCB設(shè)計(jì)EMI之九大規(guī)則
隨著信號(hào)上升沿時(shí)間的減小及信號(hào)頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是九大規(guī)則：規(guī)則一：高速信號(hào)走線屏蔽規(guī)則 在高速的PCB設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘等關(guān)
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最新升壓-降壓型 LED 驅(qū)動(dòng)器拓?fù)?具低輸入和低輸出紋波以實(shí)現(xiàn)低 EMI
和正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器都有相像的地方，正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器也具備低輸入和低輸出紋波。整合的升壓-降壓電感器 (或耦合電感器) 的總體尺寸與降壓-升壓模式單電感器類似。輸入紋波與 SEPIC 類似，但是輸出紋波小得多。電感器尺寸與 SEPIC 相同，但采用了單而不是雙開關(guān)節(jié)點(diǎn) (熱環(huán)路更小)，而且降低了復(fù)雜性，因?yàn)閮蓚€(gè)繞組之間沒有耦合電容器。輸入和輸出紋波類似于 Cuk 轉(zhuǎn)換器的低輸入和低輸出紋波 (負(fù)輸出)，但是繞組之間仍然沒有耦合電容器，而且最重要的是，無需以負(fù)壓為基準(zhǔn)的電路反饋架構(gòu)。正壓升壓-
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電子電路設(shè)計(jì)中EMC/EMI的模擬仿真
為了保證設(shè)計(jì)的PCB板具有高質(zhì)量和高可靠性，設(shè)計(jì)者通常要對(duì)PCB板進(jìn)行熱溫分析，機(jī)械可靠性分析。由于PCB板上的電子器件密度越來越大，走線越來越窄，信號(hào)的頻率越來越高，不
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車充、車載直流電源的拆解測(cè)試(1)
這次拆解測(cè)試使用的儀器，除了RIGOL的DSA815頻譜儀，自制的近場探頭，RIGOL的DP832直流電源,還需要一臺(tái)數(shù)字示波器，幾百兆Hz帶寬的通常就夠了，比如，RIGOL的DS4000,DS2000
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EMI和EMC電路中磁珠和電感起到的不同作用
磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多 用于信號(hào)回路，用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這
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輕松解決汽車環(huán)境中的EMI問題
背景印刷電路板布局決定著所有電源的成敗，決定著功能、電磁干擾(EMI)和受熱時(shí)的表現(xiàn)。開關(guān)電源布局不是魔術(shù)，并不難，只不過在最初設(shè)計(jì)階段，可能常常被忽視。然而，因?yàn)楣?/p>
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拆解因遭受雷擊而關(guān)機(jī)的千兆以太網(wǎng)交換機(jī)
最近，我的落基山宅邸，因雷擊導(dǎo)致多個(gè)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備損毀，其中之一—LG愛立信公司5口千兆以太網(wǎng)(GbE)交換機(jī)ES-1105G(圖1～圖3)，便是本次拆解分析的對(duì)象。在經(jīng)歷電磁脈沖(EMP)輻射后，這臺(tái)ES-1105G設(shè)備便無法充電。
