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臺積電12寸產(chǎn)能 Q3追上對手
臺積電在先進制程技術(shù)加緊腳步，擴充產(chǎn)能不遺余力，中科Fab15廠房的28納米新一期廠房本月投產(chǎn)，負(fù)責(zé)20納米的南科Fab14第五、六期陸續(xù)裝機，第3季12寸月產(chǎn)能將突破40萬片，與英特爾并駕齊驅(qū)。 臺積電今年資本支出調(diào)
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聯(lián)電打造新加坡12寸廠成為特殊技術(shù)研發(fā)中心
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡12寸晶圓廠Fab12i，打造為引領(lǐng)先進特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「CenterofExcellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時的投入金額為1.1億美元，將會與諸如微電子研究
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聯(lián)電打造新加坡12寸廠成為特殊技術(shù)研發(fā)中心
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i，打造為引領(lǐng)先進特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時的投入金額為1.1億美元，將會與諸如微電子
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聯(lián)電打造新加坡12寸廠成為特殊技術(shù)研發(fā)中心
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i，打造為引領(lǐng)先進特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時的投入金額為1.1億美元，將會與諸如微電子
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聯(lián)電打造新加坡12寸廠成為特殊技術(shù)研發(fā)中心
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i，打造為引領(lǐng)先進特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時的投入金額為1.1億美元，將會與諸如微電子
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聯(lián)電在新加坡建立專業(yè)技術(shù)卓越中心
聯(lián)華電子股份有限公司（UMC，簡稱「聯(lián)電」）今天宣布，該公司在新加坡建立了作為「卓越中心」的Fab12i，以引領(lǐng)其先進特殊工藝技術(shù)的研發(fā)(R&D)和生產(chǎn)的發(fā)展。該卓越中心初期投資為1.1億美元，將與新加坡微電子研究院等
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聯(lián)電在新加坡建立專業(yè)技術(shù)卓越中心
新加坡, 2013年5月22日 /美通社-PR Newswire/ -- 聯(lián)華電子股份有限公司（UMC，簡稱「聯(lián)電」）今天宣布，該公司在新加坡建立了作為「卓越中心」的 Fab 12i，以引領(lǐng)其先進特殊工藝技術(shù)的研發(fā) (R&D) 和生產(chǎn)的發(fā)展。該卓
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聯(lián)電 攻特殊制程
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（22）日宣布以1.1億美元（約新臺幣32.9億元）在新加坡12i設(shè)立特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」，市場解讀，聯(lián)電與臺積電在28納米以下力拚之余，將透過特殊制程與現(xiàn)有大廠差
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聯(lián)電今年將追求獲利成長，不參與軍備競賽
晶圓代工二哥聯(lián)電今年將追求獲利成長，不再與臺積電及格羅方德（GlobalFoundries）進行先進制程開發(fā)競賽。聯(lián)電開始針對本身產(chǎn)能進行重新調(diào)配，未來先進技術(shù)產(chǎn)能將以南科12寸廠Fab 12A為重心，位于新加坡的12寸晶圓廠
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臺積擴產(chǎn) Q2再砸1,460億
臺積電第2季產(chǎn)能利用率沖上100％滿水位，但28納米、20納米等先進制程需求有增無減，臺積電已加快建廠擴產(chǎn)腳步，昨（14）日董事會核準(zhǔn)1,460億7,668萬元資本預(yù)算。隨著新產(chǎn)能逐步開出，今年底臺積電擁有的非存儲器產(chǎn)能
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臺積 通過資本預(yù)算1,460億
晶圓龍頭臺積電昨（14）日董事會通過核準(zhǔn)1,460億元的資本預(yù)算，將投入擴充先進制程產(chǎn)能，由于這次資本預(yù)算的金額，已占今年資本支出的一半以上，顯示臺積電今年資本支出，很有可能逼近百億美元上限。 臺積電表示，
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臺積擴產(chǎn) Q2再砸1,460億
臺積電第2季產(chǎn)能利用率沖上100％滿水位，但28納米、20納米等先進制程需求有增無減，臺積電已加快建廠擴產(chǎn)腳步，昨（14）日董事會核準(zhǔn)1,460億7,668萬元資本預(yù)算。隨著新產(chǎn)能逐步開出，今年底臺積電擁有的非存儲器產(chǎn)能
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臺積28納米 年產(chǎn)能看增3倍
晶圓龍頭臺積電先進制程產(chǎn)能擴建速度一代比一代快，臺積電12寸營運資深副總王建光昨（9）日表示，28納米主力廠房中科Fab15新一期（P3與P4）的產(chǎn)能已在本（5）月投產(chǎn)，28納米年底月產(chǎn)能將上看10萬片，較去年底大增一倍
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臺積28納米 年產(chǎn)能看增3倍
晶圓龍頭臺積電先進制程產(chǎn)能擴建速度一代比一代快，臺積電12寸營運資深副總王建光昨（9）日表示，28納米主力廠房中科Fab15新一期（P3與P4）的產(chǎn)能已在本（5）月投產(chǎn)，28納米年底月產(chǎn)能將上看10萬片，較去年底大增一倍
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日月光：Q2封測出貨增逾11%，毛利率升至23%
封測大廠日月光(2311)財務(wù)長董宏思(見附圖)表示，隨著通訊應(yīng)用晶片出貨量增溫、Fabless客戶需求成長，預(yù)期Q2封測與材料出貨可較Q1季增11-14%，同時因金價趨跌、臺幣走貶等因素「讓成本環(huán)境變友善了」，日月光Q2封測材
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GlobalFoundries：明年提供14納米制程
晶圓代工廠GlobalFoundries今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術(shù)差距。根據(jù)市
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格羅方德明年推14nm制程 縮短與臺積電制程技術(shù)差距
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術(shù)差
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格羅方德 明年提供14納米制程
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術(shù)差
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格羅方德 明年提供14納米制程
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術(shù)差
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格羅方德 明年提供14納米制程
晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導(dǎo)入量產(chǎn)時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技
海中水
WRB9609
Blueshadow1002
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grantwen
21ic小喇叭
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EVER21
不愛說話
yingdian6
shuangbang
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