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英特爾發(fā)表多柵極型產(chǎn)品，在III-V族溝道FET一馬當(dāng)先
美國英特爾和美國IQE共同開發(fā)出了多柵極構(gòu)造的III-V族半導(dǎo)體溝道FET（演講編號：6.1）。提高了溝道控制性，與平面構(gòu)造的III-V族半導(dǎo)體溝道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏極感應(yīng)勢壘降低）
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簡易的電源指示器欠壓/過壓檢測
簡單和容易的電源就緒指示器檢測主管及以上電壓 摘要：欠壓/過壓(紫外/過壓)的指標(biāo)，也稱為電源就緒(薄)指標(biāo)，可以通知便攜設(shè)備的用戶，當(dāng)電池電壓過低或電池被濫收費用。博指標(biāo)通?？刂仆獠縁ET的封鎖在這樣的
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賽維LDK與比亞迪達(dá)成多晶硅銷售協(xié)議
10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽能高科技有限公司(LDK)(以下簡稱“賽維LDK”)周一稱，該公司已經(jīng)與中國汽車和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項為期兩年的多晶硅銷售協(xié)議，這項交易的價值大約為3億美元。 賽維L
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賽維LDK與比亞迪達(dá)成3億美元多晶硅銷售交易
北京時間10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽能高科技有限公司(LDK)(以下簡稱“賽維LDK”)周一稱，該公司已經(jīng)與中國汽車和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項為期兩年的多晶硅銷售協(xié)議，這項交易的價值大約為3億美元。
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賽維LDK欣喜與比亞迪達(dá)成多晶硅銷售交易
北京時間10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽能高科技有限公司(LDK)(以下簡稱“賽維LDK”)周一稱，該公司已經(jīng)與中國汽車和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項為期兩年的多晶硅銷售協(xié)議，這項交易的價值大約為
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DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）
Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產(chǎn)品，將一個功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負(fù)載點 (PoL) 轉(zhuǎn)換器的低側(cè)MOSFET位置，有助于提升效
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DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）
Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產(chǎn)品，將一個功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負(fù)載點 (PoL) 轉(zhuǎn)換器的低側(cè)MOSFET位置，有助于提升效
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僑興移動資產(chǎn)收購案凸顯公司治理缺陷
導(dǎo)讀：美國投資專家薩吉·卡桑(Saj Karsan)今天在投資博客Seeking Alpha上撰文稱，僑興資源近期收購僑興移動資產(chǎn)的交易引起了外界廣泛關(guān)注。這筆交易反映了當(dāng)前公司治理標(biāo)準(zhǔn)的缺陷。僑興資源提出，將以2億美元
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40V JFET輸入運算放大器（Intersil）
Intersil公司宣布推出其新JFET輸入運算放大器產(chǎn)品家族的第一個成員 --- ISL28210，進(jìn)一步擴大了其針對工業(yè)、醫(yī)學(xué)和傳感器市場的精密產(chǎn)品家族。 ISL28210結(jié)合了諸多業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功能，使之成為用于過程控制模擬輸入
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如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖
圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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新型納米晶體管可直接探測細(xì)胞內(nèi)部
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)、英國《自然》雜志網(wǎng)站8月12日報道，美國哈佛大學(xué)化學(xué)家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管，外膜覆有一層磷脂雙分子層，能非常容易地進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)部進(jìn)行檢測，而不會對細(xì)胞造成任何可見
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IBM瞄準(zhǔn)10nm以下工藝
美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確
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友達(dá)斥資12億日元收購索尼旗下FET
友達(dá)1月20日斥資12億日元，收購索尼（Sony）旗下的日本場發(fā)射顯示器科技公司（FET）。友達(dá)在顯示器產(chǎn)品上改變策略，積極跨入TFT-LCD以外的新興技術(shù)，企圖以技術(shù)領(lǐng)先的“質(zhì)變”，超越新奇美在產(chǎn)能優(yōu)勢上的“量變”。S
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英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)
LSI的基本元件CMOS晶體管長期以來一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來看似乎還遠(yuǎn)未走到終點。全球最大代工廠商臺積電（TSMC）于今年夏季動工建設(shè)的新工廠打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體
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寬帶Difet運算放大器電路
基礎(chǔ)放大電路，供參考學(xué)習(xí)！
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FET輸入高保真運算放大器電路
基礎(chǔ)的放大電路。
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IBM確認(rèn)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝
美國IBMT.J.華生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認(rèn)了工作情
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IBM采用直徑3nm FET25級環(huán)形振蕩器動作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝
美國IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級CMOS環(huán)形振蕩器，并實際確認(rèn)
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NexFET功率模塊（TI）
德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET
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消息稱中國移動139郵箱可能將改為10086郵箱
6月13日消息，在中國移動正將公司現(xiàn)有域名從chinamobile.com全部轉(zhuǎn)向10086.cn的同時，知情人士透露，中國移動用戶的139郵箱也可能改為10086郵箱，這一事宜尚未得到中國移動證實。去年，浙江移動市場部花下15萬元買下
