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富士通針對車載電子和工業(yè)控制系統(tǒng)推出全新FRAM存儲解決方案
支持寬溫并符合AEC Q100驗證規(guī)范的非易失性內(nèi)存技術(shù) 富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出全新FRAM(鐵電隨機存儲器)解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此為該
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富士通FRAM“上天入地”，拓展更多低功耗、高可靠性應用空間
在前不久落下帷幕的深圳國際電子展現(xiàn)場，聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺格外亮眼，而引發(fā)這場圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機存儲器(FRAM)。
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智能化與物聯(lián)網(wǎng)的大潮中，F(xiàn)RAM助力三表設計新突破
前些年隨著一部輕喜劇的播出，“查水表”一詞已被引申為調(diào)侃之語了。
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富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM
富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。此FRAM產(chǎn)品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源
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富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM
富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。
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富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM
富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布，推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。此FRAM產(chǎn)品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運行時為170 μA;以1 MHz運行時則為80 μA。
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富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM
富士通電子元器件(上海)有限公司日前宣布，推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。
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在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案
如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器(MCU)中閃存技術(shù)的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況
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極低功耗等優(yōu)勢助推富士通FRAM在智能水/氣表中嶄露頭角
在計量儀表行業(yè)，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個“藍海”市場，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點，使得FRAM這一無電池存儲技術(shù)在無論是
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帶有串行接口的FRAM RFID LSI
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。概述到目前為止，富士通
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進軍智能水/氣表市場，富士通FRAM再下一城
在計量儀表行業(yè)，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個“藍海”市場，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點，使得FRAM這一無電池存儲技術(shù)在無論是通信單元(中繼)還是計量單元都得到越來越多
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VRS51L3074與串行FRAM在LED顯示屏中的應用
VRS51L3074是Ramtron公司生產(chǎn)的一款運行速度可達40MIPS的單周期8051微處理器。VRS51L3074的存儲器子系統(tǒng)具有 64 KB的Flash、4 352字節(jié)的內(nèi)部SRAM，以及眾多的外設接口。V
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FRAM MCU如何助力便攜式氣象站
海灘風力不足對于我們大多數(shù)人而言并沒有太大影響，但對于風箏沖浪者，這意味著前往海灘將一無所獲。 但借助于記錄和傳輸實時數(shù)據(jù)的 GSM 氣象站，訪問 THEWINDOP.com 的一些風箏沖浪愛好者將不再無功而返。 THEWIN
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“多、快、省”，F(xiàn)RAM以領先特性解決應用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新
在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在......
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帶有串行接口的FRAM RFID LSI
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。概述到目前為止，富士通
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富士通：FRAM成本瓶頸逐漸突破
在剛剛結(jié)束的2015慕尼黑上海電子展上，富士通半導體攜最新產(chǎn)品精彩亮相，本次展會富士通半導體不僅展示了其最引以為豪的FRAM產(chǎn)品，也展示了其合資公司索喜科技(Socionext)的重點產(chǎn)品。富士通半導體展臺在參觀完富士通
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中國成為富士通FRAM最大市場，電表工控汽車等領域全面開花
近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應用進展如何?在哪些更多的應用
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“多、快、省” FRAM以領先特性解決應用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新
“和目前常用的EEPROM RFID相比，F(xiàn)RAM RFID的容量會更大。市面上比較多的RFID產(chǎn)品都是128b或是512b，而客戶有往里面存儲更多信息的需求.”蔡振宇表示。 圖6. FRAM RFID創(chuàng)新應用FRAM RFID的讀寫次數(shù)是101
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單芯片F(xiàn)RAM存儲解決方案成為嵌入式設計的理想選擇
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014次)和抗輻射特性，非常適合許
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富士通半導體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品
上海，2012年10月16日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止，富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit，16Kbit，64Kb
