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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡(jiǎn)稱F2812)是美國(guó)德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀

單片機(jī)
2011-05-06

Flash 燒寫 TMS320F2812 BSP
TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡(jiǎn)稱F2812)是美國(guó)德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀

數(shù)字電源
2011-05-04

Flash 燒寫 TMS320F2812 BSP
全球首顆USB3.0高速傳輸單一控制芯片

隨著目前大容量影音檔案，如高畫質(zhì)的影片、高音質(zhì)的音樂檔案，或是高畫素的照片檔案，無論是在工作或是生活的應(yīng)用上越來越廣泛，對(duì)于儲(chǔ)存裝置的需求容量也更大，在速度上也更為要求。為了配合這么大頻寬數(shù)據(jù)的傳輸，

智能硬件
2011-05-02

控制芯片高速傳輸 USB3.0 Flash
力成首季財(cái)報(bào)激勵(lì) 突破反壓

力成（6239）首季財(cái)報(bào)繳出亮麗成績(jī)單，本季營(yíng)收可望持續(xù)成長(zhǎng)，激勵(lì)力成上周五股以漲停板104元作收，股價(jià)突破所有短中長(zhǎng)期均線反壓，投信、外資分別回補(bǔ)持股。力成上周召開法說會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭對(duì)第2季營(yíng)運(yùn)展望樂

模擬
2011-05-01

DRAM 爾必達(dá) NAND Flash
梅特勒-托利多2011新品暨技術(shù)交流會(huì)預(yù)告

作為全球熱分析技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，世界上最早的和最主要的熱分析儀器制造商之一，梅特勒-托利多公司一直致力于為您提供更完美的熱分析技術(shù)解決方案。繼多對(duì)熱電偶、非模型動(dòng)力學(xué)分析、多頻調(diào)制DSC、TGA-DSC同步分析、

測(cè)試測(cè)量
2011-04-30

儀器 HD DSC Flash
美光：內(nèi)存廠要DRAM、NAND Flash雙棲否則存活不易

美光(Micron)企業(yè)發(fā)展副總裁MichaelSadler表示，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)正從谷底復(fù)蘇，最壞情況已過，未來DRAM產(chǎn)業(yè)將處于供給平衡狀態(tài)，NANDFlash產(chǎn)業(yè)則會(huì)供不應(yīng)求，且在平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)、固態(tài)硬盤(SSD)等應(yīng)用對(duì)于NANDFlash芯

模擬
2011-04-27

DRAM 內(nèi)存 NAND Flash
美光：不排除授權(quán)華亞科代工NAND Flash

由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng)，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能

模擬
2011-04-27

美光 NAND NANDFLASH Flash
力晶沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，估年底占產(chǎn)能逾半

力晶(5346)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM未來將轉(zhuǎn)為爾必達(dá)代工生產(chǎn)，在自身的產(chǎn)能調(diào)配上將更加靈活，力晶發(fā)言人譚仲民說，接下來將全力沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)估今年底將占超過一半產(chǎn)能，另外，由于公司矽晶圓的料源供應(yīng)相當(dāng)分散，其中一

模擬
2011-04-26

DRAM 晶圓代工 NAND Flash
泰林轉(zhuǎn)投資大陸封裝廠　跨足封裝業(yè)

李洵穎／臺(tái)北半導(dǎo)體測(cè)試廠泰林科技董事會(huì)決定購買控股公司Modern Mind債權(quán)，以取得其100%轉(zhuǎn)投資的上海封裝廠宏茂微電子，希望借此跨足封裝，使半導(dǎo)體后段產(chǎn)線更為完整。泰林總經(jīng)理卓連發(fā)表示，若程序一切順利，最快

模擬
2011-04-25

封裝微電子 MODERN Flash
前進(jìn)大陸泰林4千萬美元并購上海封裝廠宏茂微

IC測(cè)試廠泰林(5466)22日舉行董事會(huì)通過重大轉(zhuǎn)投資案，預(yù)計(jì)將以3995萬美元取得上海封裝廠宏茂微100%股權(quán)與其經(jīng)營(yíng)權(quán)，預(yù)計(jì)最快今年第四季將可成行。泰林總經(jīng)理卓連發(fā)說明，由于宏茂微的母公司為Modern Mind，并持有宏茂

模擬
2011-04-23

DRAM 封裝 MODERN Flash
NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

嵌入式教程
2011-04-22

嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng) NAND Flash
各品牌ARM SoC技術(shù)比較分析

本文將介紹三個(gè)常見的ARM SoC，包含ARM7和ARM9，并試著分析與比較它們的性能?！　RM7族群　　低耗電量和低成本是ARM7的優(yōu)點(diǎn)。不過，ARM7的最大執(zhí)行速率不到100 MHz，因此，在應(yīng)用上，它和8051之類的微控制器(MCU)類

數(shù)字電源
2011-04-21

ARM SoC TMS Flash
各品牌ARM SoC技術(shù)比較分析

各品牌ARM SoC技術(shù)比較分析

嵌入式軟件
2011-04-21

ARM SoC TMS Flash
各品牌ARM SoC技術(shù)比較分析

各品牌ARM SoC技術(shù)比較分析

嵌入式教程
2011-04-21

ARM SoC TMS Flash
惠普5月2日正式推出新款智能手機(jī)Veer(組圖)

惠普邀請(qǐng)零售商參加5月2日的Veer發(fā)布會(huì) Veer采用滑蓋和物理全鍵盤設(shè)計(jì) Veer整機(jī)體積較小，方便攜帶新浪科技訊北京時(shí)間4月19日早間消息，惠普今天邀請(qǐng)美國(guó)各大零售商參加將于5月2日舉行的發(fā)布會(huì)，有可能正式推出新

消費(fèi)電子
2011-04-19

惠普智能手機(jī) 鍵盤 Flash
受地震影響廠商將先滿足Flash產(chǎn)品

市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 11 日針對(duì) DRAM 合約價(jià)走勢(shì)發(fā)表調(diào)查報(bào)告，表示 DRAM 四月上旬合約價(jià)再度上揚(yáng)，主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響 DRAM 供應(yīng)煉，加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 制程良率出現(xiàn)問題，

消費(fèi)電子
2011-04-18

DRAM OEM EXCHANGE Flash
Intel與美光將NAND Flash推向20nm制程

在去年，Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm，不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里，而果不其然，它們又再度攜手，將技術(shù)推至20nm，并且打造出僅118mm平方大小的8GBMLC Flash，比

消費(fèi)電子
2011-04-18

Intel 美光 NAND Flash
Intel與美光將NAND Flash推向20nm制程

在去年，Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm，不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里，而果不其然，它們又再度攜手，將技術(shù)推至20nm，并且打造出僅118mm平方大小的8GB MLC Flash，比起25nm更

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2011-04-16

Intel 美光 NAND Flash
受地震影響廠商將先滿足Flash產(chǎn)品

市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange11日針對(duì)DRAM合約價(jià)走勢(shì)發(fā)表調(diào)查報(bào)告，表示DRAM四月上旬合約價(jià)再度上揚(yáng)，主要是由于上月日本地震令硅晶圓吃緊影響DRAM供應(yīng)煉，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現(xiàn)問題，令DRAM出產(chǎn)受

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2011-04-14

DRAM OEM EXCHANGE Flash
DRAM價(jià)格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，四月上旬DDR3合約價(jià)再度呈現(xiàn)價(jià)格上揚(yáng)的趨勢(shì)，DDR32GB均價(jià)自17美元上漲至18美元(2Gb$2.03)，漲幅約5.88%，DDR34GB均價(jià)亦上漲至35美元(2Gb$2.03)，漲幅約在6.1%，從市場(chǎng)面來觀察，由于日本東北

智能硬件
2011-04-14

DRAM 硅晶圓 DDR3 Flash

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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

全球首顆USB3.0高速傳輸單一控制芯片

力成首季財(cái)報(bào)激勵(lì) 突破反壓

梅特勒-托利多2011新品暨技術(shù)交流會(huì)預(yù)告

美光：內(nèi)存廠要DRAM、NAND Flash雙棲否則存活不易

美光：不排除授權(quán)華亞科代工NAND Flash

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Intel與美光將NAND Flash推向20nm制程

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