-
美光新加坡廠明年投產(chǎn) NAND Flash卡位戰(zhàn)再起
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn)，對(duì)于三星電
-
突破技術(shù)藩籬 臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出
-
臺(tái)灣插足快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)
全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器
-
突破技術(shù)藩籬 臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研
-
90納米SOLID FLASH™ 技術(shù)（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日在法國(guó)巴黎“智能卡暨身份識(shí)別技術(shù)工業(yè)展（CARTES & IDentification）”上宣布推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH™ 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù)，英飛凌成為全球首家可
-
封測(cè)廠11月?tīng)I(yíng)收跌多漲少，記憶體相關(guān)最強(qiáng)勢(shì)
時(shí)序即將邁入年終之際，IC封測(cè)廠的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)也開(kāi)始轉(zhuǎn)弱，11月的營(yíng)收跌多漲少，其中表現(xiàn)較為逆勢(shì)的則有矽品(2325)、欣銓(3264)、菱生(2369)，均較上月出現(xiàn)反升，而記憶體封測(cè)廠力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)則
-
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫(xiě)
1 引言 在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要使用片外存儲(chǔ)器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫(kù)等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
-
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫(xiě)
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫(xiě)
-
Flash單片機(jī)自編程技術(shù)
Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲(chǔ)器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲(chǔ)區(qū)與待編程的存儲(chǔ)區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個(gè)片上Flash存儲(chǔ)器模塊
-
基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)
Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來(lái)的諸多問(wèn)題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
-
基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)
基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)
-
應(yīng)用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng)
針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì)，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng)，幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。
-
Adobe轉(zhuǎn)投Android搏擊移動(dòng)市場(chǎng)
在固執(zhí)傲慢的喬布斯面前，Adobe再?gòu)?qiáng)烈的合作意愿都不過(guò)是一片浮云。10月25日，美國(guó)電腦軟件公司Adobe在召開(kāi)AdobeMAX開(kāi)發(fā)者大會(huì)上發(fā)布Air2.5(跨操作系統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)庫(kù))。對(duì)于Adobe來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)劃時(shí)代的產(chǎn)品，它標(biāo)志著A
-
聯(lián)電65納米eFlash制程搶先問(wèn)世
搶在臺(tái)積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65納米嵌入式快閃(EmbeddedFlash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)平臺(tái)，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65納米世代，對(duì)其未來(lái)進(jìn)一
-
eWeek評(píng)今年十大失敗科技產(chǎn)品
美國(guó)知名IT雜志《eWeek》網(wǎng)站評(píng)選出了2010年的10大失敗科技產(chǎn)品，其中塞班操作系統(tǒng)居于首位。 1、塞班移動(dòng)操作系統(tǒng) 諾基亞的塞班移動(dòng)操作系統(tǒng)已經(jīng)失去大量市場(chǎng)份額。 2、黑莓操作系統(tǒng) RIM在移動(dòng)
-
朝鮮半島交鋒 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高，由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過(guò)60%市占率，NAND Flash則合計(jì)有超過(guò)50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來(lái)被
-
多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)
多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)成立于2000年9月，目前股本為5.57億元，主要股東包括聯(lián)電集團(tuán)、硅統(tǒng)科技及聯(lián)陽(yáng)半導(dǎo)體等，目前產(chǎn)品線除了MCP解決方案之外，還包括隨身碟、快閃記憶卡、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等，2010年第1季
-
采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車(chē)窗防夾系統(tǒng)
汽車(chē)上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車(chē)窗或車(chē)門(mén)設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險(xiǎn)它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達(dá)所施加的力超出正常限制這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置 由于成本和簡(jiǎn)化的原
-
聯(lián)電65納米eFlash制程搶先問(wèn)世
搶在臺(tái)積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)平臺(tái)，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65奈米世代，對(duì)其未來(lái)進(jìn)
-
先馳得點(diǎn) 聯(lián)電65奈米eFlash制程問(wèn)世
搶在臺(tái)積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美 (Microsemi)共同發(fā)布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash, eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)平臺(tái)，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65奈米世代，對(duì)其未
zhang..yb
xuwenyao1
jason.tw
盜號(hào)4SB
織夜
liujz7
Eric_Xia
yeyongjicn
neihongfeng2019
zhaoyang9
AutochipsMCU
lnhaing
ye450153631
MarkTony
a1340756279
tangqianjin
厚勁薄發(fā)
xiaoxiaoyuwu
Jenghiz
湖南仁諾電子
- 觀看華邦安全閃存技術(shù)研討會(huì)，分享你的設(shè)計(jì)安全小“芯”思
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬(wàn)物之力
- 泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來(lái)襲，讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
- 學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計(jì)，完成測(cè)試
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，了解PI電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC超能力
- 分享設(shè)計(jì)槽點(diǎn)，尋找華邦電子為您帶來(lái)的小確幸
- 我與貿(mào)澤不得不說(shuō)的秘密，如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意？
