聯(lián)電65納米eFlash制程搶先問(wèn)世
[導(dǎo)讀]搶在臺(tái)積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65納米嵌入式快閃(EmbeddedFlash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)平臺(tái)，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65納米世代，對(duì)其未來(lái)進(jìn)一
搶在臺(tái)積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65納米嵌入式快閃(EmbeddedFlash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)平臺(tái)，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65納米世代，對(duì)其未來(lái)進(jìn)一步拓展汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療及航天等半導(dǎo)體市場(chǎng)將大有幫助。
美高森美系統(tǒng)單芯片產(chǎn)品事業(yè)群資深營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)副總裁JayLegenhausen表示，65納米eFlash技術(shù)對(duì)該公司產(chǎn)品安全性、可靠性與整合度的提升均大有幫助。
甫于日前收購(gòu)愛(ài)特(Actel))的美高森美系統(tǒng)單芯片(SoC)產(chǎn)品事業(yè)群資深營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)副總裁JayLegenhausen表示，相較前一代技術(shù)，該公司采用聯(lián)電65納米eFlash制程的新一代FPGA平臺(tái)，在邏輯密度、效能及功耗表現(xiàn)上均更為出色，因而能滿足工業(yè)、醫(yī)療、軍事、航天、通訊和消費(fèi)市場(chǎng)更多的設(shè)計(jì)要求。
目前，美高森美已自聯(lián)電成功取得首個(gè)硅晶圓樣品，并著手與商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的特定客戶展開(kāi)先導(dǎo)計(jì)劃，全力協(xié)助這些客戶順利進(jìn)行導(dǎo)入設(shè)計(jì)。
事實(shí)上，在尚未被美高森美購(gòu)并前，愛(ài)特便與聯(lián)電在eFlash制程上擁有相當(dāng)密切的合作關(guān)系，該公司采用130納米eFlash制程開(kāi)發(fā)的IGLOO低功耗FPGA即是由聯(lián)電所生產(chǎn)。此次，聯(lián)電一舉將eFlash制程推進(jìn)至65納米，不論對(duì)該公司或半導(dǎo)體業(yè)界而言，均具有重大意義。
據(jù)了解，包括臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體(ST)先前也都公開(kāi)表示已投入65納米及55納米eFlash技術(shù)開(kāi)發(fā)。臺(tái)積電系于2009年底與英飛凌(Infineon)宣布將共同研發(fā)65納米eFlash制程，以開(kāi)發(fā)符合更嚴(yán)苛質(zhì)量要求的車(chē)用微控制器(MCU)及更高安全性的芯片卡，預(yù)計(jì)將于2012年下半年完成相關(guān)產(chǎn)品與制程驗(yàn)證工作;而意法半導(dǎo)體則是投入55納米eFlash制程研發(fā)，同樣也將用于車(chē)用MCU生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2011年中可開(kāi)始提供樣品。
美高森美系統(tǒng)單芯片產(chǎn)品事業(yè)群資深營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)副總裁JayLegenhausen表示，65納米eFlash技術(shù)對(duì)該公司產(chǎn)品安全性、可靠性與整合度的提升均大有幫助。
甫于日前收購(gòu)愛(ài)特(Actel))的美高森美系統(tǒng)單芯片(SoC)產(chǎn)品事業(yè)群資深營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)副總裁JayLegenhausen表示，相較前一代技術(shù)，該公司采用聯(lián)電65納米eFlash制程的新一代FPGA平臺(tái)，在邏輯密度、效能及功耗表現(xiàn)上均更為出色，因而能滿足工業(yè)、醫(yī)療、軍事、航天、通訊和消費(fèi)市場(chǎng)更多的設(shè)計(jì)要求。
目前，美高森美已自聯(lián)電成功取得首個(gè)硅晶圓樣品，并著手與商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)的特定客戶展開(kāi)先導(dǎo)計(jì)劃，全力協(xié)助這些客戶順利進(jìn)行導(dǎo)入設(shè)計(jì)。
事實(shí)上，在尚未被美高森美購(gòu)并前，愛(ài)特便與聯(lián)電在eFlash制程上擁有相當(dāng)密切的合作關(guān)系，該公司采用130納米eFlash制程開(kāi)發(fā)的IGLOO低功耗FPGA即是由聯(lián)電所生產(chǎn)。此次，聯(lián)電一舉將eFlash制程推進(jìn)至65納米，不論對(duì)該公司或半導(dǎo)體業(yè)界而言，均具有重大意義。
據(jù)了解，包括臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體(ST)先前也都公開(kāi)表示已投入65納米及55納米eFlash技術(shù)開(kāi)發(fā)。臺(tái)積電系于2009年底與英飛凌(Infineon)宣布將共同研發(fā)65納米eFlash制程，以開(kāi)發(fā)符合更嚴(yán)苛質(zhì)量要求的車(chē)用微控制器(MCU)及更高安全性的芯片卡，預(yù)計(jì)將于2012年下半年完成相關(guān)產(chǎn)品與制程驗(yàn)證工作;而意法半導(dǎo)體則是投入55納米eFlash制程研發(fā)，同樣也將用于車(chē)用MCU生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2011年中可開(kāi)始提供樣品。
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