STM32 USB NAND FLASH 模擬U盤

這次是做一個(gè)SD卡的USB讀卡器的功能，我們就在上次NAND Flash模擬出的U盤的工程上修改了，這樣的話只要修改一小部分了。工程的絕大部分不需要修改，只要將fsmc_nand.c文件移除工程，添加上官方的關(guān)于SDIO的SD卡的驅(qū)動(dòng)

MSP430 flash的操作

今天順便研究了一下msp430的flash操作，很多人也許看了我的博客，會(huì)發(fā)現(xiàn)網(wǎng)站上有很多的人總結(jié)得比我要好，這點(diǎn)我承認(rèn)，因?yàn)樽约耗芰τ邢蓿?，從這篇博客起，我會(huì)參照以前大神們寫的博客，添加大神們寫過(guò)的博客鏈接

STM32學(xué)習(xí)筆記-Flash做為存儲(chǔ)器儲(chǔ)存數(shù)據(jù)

說(shuō)到STM32的FLSAH，我們的第一反應(yīng)是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來(lái)裝數(shù)據(jù)。 自己收集了一些資料，現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下

[ARM筆記](méi)驅(qū)動(dòng)對(duì)設(shè)備的識(shí)別過(guò)程及實(shí)例——NAND Flash

驅(qū)動(dòng)程序識(shí)別設(shè)備時(shí)，有以下兩種方法：（1）驅(qū)動(dòng)程序本身帶有設(shè)備信息，比如開(kāi)始地址、中斷號(hào)等；加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，就可以根據(jù)這些信息來(lái)識(shí)別設(shè)備。（2）驅(qū)動(dòng)程序本身沒(méi)有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)（或以后）根據(jù)其他

s3c2410/s3c2440 nand flash工作原理

NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關(guān)。NAND Flash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在memory cell，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)cell中只能存儲(chǔ)一個(gè)bit。這些cell以8個(gè)或者16個(gè)為單位，連成bit line，形成所謂的

億光推出High Power Flash LED EHP-C...

億光電子(everlight electronic)推出超微小型(2.04×1.64mm)high power flash led——ehp-c04。其操作電流可從350ma至1a電流脈波輸入，輸出效率更可達(dá)到40lm/w。ehp-c04色溫

用CPLD和Flash實(shí)現(xiàn)FPGA配置

如何訪問(wèn)MSP430F5438單片機(jī)64K外的flash

1. 在IAR 的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境中.選中你的工程，右鍵，點(diǎn)options,2. 在Target 頁(yè)面中，Data Model選項(xiàng)，4選中Medium或Large, 3. 解釋: - 選中SMALL只能訪問(wèn)64K以內(nèi)的空間，以外的空間只能有內(nèi)部函數(shù)訪問(wèn) - 選中Medium

基于CC/CCS的Flash文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

DSP嵌入式系統(tǒng)主寫Flash程序代碼

New Flash MCU系列

武林教你學(xué)PIC32（十七）SPI操作M25P16 FLASH存儲(chǔ)器

首先介紹下TI的M25P16，它是16Mbit(2Mbyte)的FLASH存儲(chǔ)器，與常用的華邦公司的W25X16，ATMEL公司的AT51DB161比較接近。最高支持50M的SPI時(shí)鐘，存儲(chǔ)器可以以1到256字節(jié)byte，使用頁(yè)編程操作將2M的容量分為32個(gè)塊（Blo

以Flash為基礎(chǔ)的FPGA實(shí)現(xiàn)高度安全設(shè)計(jì)

明年首季或再度跌價(jià)10%，三大主因?qū)е翹AND閃存旺季不旺

TrendForce存儲(chǔ)器研究(DRAMeXchange)分析，中美貿(mào)易沖擊升溫、英特爾CPU缺貨、蘋果新機(jī)出貨量不如預(yù)期等3大因素沖擊，造成NAND Flash旺季不旺，展望明年上半年供過(guò)于求的情況恐更加顯著，價(jià)格跌勢(shì)難止，預(yù)估第1季NAND合約價(jià)將再進(jìn)一步走跌，跌幅約10%。

基于ARM和NAND Flash的FPGA加載配置在TD-LTE中的實(shí)現(xiàn)

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

基于C語(yǔ)言和GEL語(yǔ)言的Flash編程新方法

STM32開(kāi)發(fā)指南--第三十九章 FLASH模擬EEPROM實(shí)驗(yàn)

基于NAND Flash的轉(zhuǎn)譯層的設(shè)計(jì)

基于Flash型FPGA的信號(hào)源卡設(shè)計(jì)