單片機(jī)中ROM、RAM、Flash的區(qū)別

常規(guī)上ROM是用來(lái)存儲(chǔ)固化程序的，RAM是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的。由于FLASHROM比普通的ROM讀寫速度快，擦寫方便，一般用來(lái)存儲(chǔ)用戶程序和需要永久保存的數(shù)據(jù)。譬如說(shuō)，現(xiàn)在家用的電子式電度表，它的內(nèi)核是一款單片機(jī)，該單片機(jī)

uboot2010.06移植之從nor flash啟動(dòng)分析

程序從start。S開(kāi)始啟動(dòng)start_code:?/*? * set the cpu to SVC32 mode? 設(shè)置管理模式? */?mrs?r0, cpsr??????? ?bic?r0, r

Keil MDK編譯器下查看占用Flash和SRAM空間大小

在Keil MDK編譯器編譯后，信息欄都會(huì)顯示編譯情況，這其中就包含了FLASH跟SRAM的信息。如下圖所示，/*********************************************************************************************/查看FLASH跟S

基于ARM和NAND Flash的FPGA加載配置在TD-LTE中的實(shí)現(xiàn)

基于TMS320DM642的編程

引言　　一個(gè)完整的嵌入式系統(tǒng)必須要有一個(gè)合適的存儲(chǔ)器存放用戶代碼。Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器,而且具有電可擦寫、容量大、價(jià)格便宜等特點(diǎn),通常可用于在DSP系統(tǒng)中存放用戶代碼?！　lash在正常使

三星明年對(duì)存儲(chǔ)器投資整體下降：DRAM投資大降20%，NAND Flash投資將增加

報(bào)道進(jìn)一步指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命方法

在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器

ARM 系列 -- FS2410 開(kāi)發(fā)板上 Nand Flash 到內(nèi)存的代碼搬移

一、目的 通過(guò)將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存， 為編寫 ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準(zhǔn)備。二、代碼 關(guān)于如何建立開(kāi)發(fā)環(huán)境，在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循

Flash數(shù)據(jù)丟失，說(shuō)好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來(lái)？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)系統(tǒng)

目前，TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實(shí)用。其運(yùn)算速度快、精度高。使其在?；治鰞x中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。其改進(jìn)的哈佛結(jié)構(gòu)、先進(jìn)的多總線和多級(jí)流水線機(jī)制。

STM32 USB NAND Flash模擬U盤無(wú)法格式化問(wèn)題的解決

前幾天，一直在尋找NAND Flash模擬U盤程序無(wú)法格式化的問(wèn)題。在中秋月圓之夜，還苦逼地在實(shí)驗(yàn)室調(diào)代碼，也許是杭州大圓月的原因，今晚感覺(jué)整人特別亢奮，效率也特別高，靈感也多。終于，在不懈的努力下，找到代碼中的

新款iPhone 存儲(chǔ)器是定價(jià)的關(guān)鍵

根據(jù)《彭博社》24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，蘋果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機(jī)，不同儲(chǔ)存容量版本，定價(jià)策略都有特別考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版為準(zhǔn)，蘋果預(yù)計(jì)512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。

STM32 SPI Flash DFU

這次講的是將程序、圖片或其他文件下載到SPI Flash中。我使用的是W25X16的SPI Flash，他共有2MB空間，2個(gè)Block,512ge Sector,8096個(gè)Page。由于SPI Flash不能直接跑程序，我們從接口就知道了。接下去我們就來(lái)講講怎么

STM32 串口燒寫 FLASH 外部字庫(kù) UCGUI顯示 自我學(xué)習(xí)總結(jié)

最近學(xué)習(xí)TFT顯示問(wèn)題，在多種漢字顯示方面有點(diǎn)難，主要是字庫(kù)太大，幾個(gè)字庫(kù)就不得了。開(kāi)始是使用SD卡向外部FLASH---W25X16寫，完全能夠完成。后來(lái)覺(jué)得這樣比較麻煩，有時(shí)候還沒(méi)有SD接口，于是打算用串

教你如何使用atmega8 Flash

GCCAVR中讀取Flash區(qū)數(shù)據(jù)定義（只能為全局變量）：const int temp PROGMEM = 1;讀?。簆gm_read_byte(addr);pgm_read_word(addr);pgm_read_dword(addr);字符串：全局定義：const char ss[]PROGMEM = "hello";函數(shù)內(nèi)定

從Nand Flash啟動(dòng)U-BOOT的基本原理

前4K的問(wèn)題如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(dòng)(配置由硬件工程師在電路板設(shè)置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個(gè)特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會(huì)自動(dòng)的把Nand Flash上的前4K數(shù)據(jù)搬移到4K內(nèi)部RAM中

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)

目前，TI公司的TMS320C6713B已經(jīng)在生化分析儀器中廣泛實(shí)用。其運(yùn)算速度快、精度高。使其在牛化分析儀中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。其改進(jìn)的哈佛結(jié)構(gòu)、先進(jìn)的多總線和多級(jí)流水線機(jī)制、專用的硬件乘法器、高效的指令集，使其易于嵌入信號(hào)濾波、信息融合算法，而不會(huì)犧牲其實(shí)時(shí)性。TMS320C6713B的速度快、精度高、體積小、成本低、開(kāi)發(fā)周期短、可靠性高以及抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足生化分析儀對(duì)硬件系統(tǒng)的要求。

mini2440硬件篇之Nor Flash

硬件原理1.1.NorFlash簡(jiǎn)介NORFlash是Intel在1988年推出的一款商業(yè)性閃存芯片，它需要很長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行抹寫，大半生它能夠提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的任何區(qū)域，而且它可以忍受一萬(wàn)次到一百萬(wàn)次

迎接SSD低價(jià)大容量時(shí)代，群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出貨

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成表示，QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲(chǔ)存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍，容量升級(jí)、價(jià)格親民，這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價(jià)大容量的時(shí)代!

NOR Flash與8位單片機(jī)接口設(shè)計(jì)

　　引 言　　Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　OR Flash是Flash存儲(chǔ)器中