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基于IPv6和無線網(wǎng)絡(luò)的地震烈度計(jì)開發(fā)
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聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片供不應(yīng)求 3月缺口達(dá)1300萬
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道 由于內(nèi)地白牌手機(jī)市場(chǎng)熱潮蔓延，聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片嚴(yán)重供不應(yīng)求，據(jù)巴黎證券分析師陳慧明預(yù)計(jì)，3月份聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片出貨量為3200萬顆，而需求高達(dá)4500萬顆，約有1300萬的缺口。據(jù)了解，最近白牌手機(jī)
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臺(tái)積電完成0.18微米快閃新制程認(rèn)證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品
臺(tái)積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認(rèn)證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車電子等芯片應(yīng)用上，有助于臺(tái)積電爭(zhēng)取更多新客戶，預(yù)計(jì)今年第3季就可以量產(chǎn)。 臺(tái)積電目前
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用
1． E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu) E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
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報(bào)道稱Flash將移植到Android平臺(tái)
據(jù)androidcentral網(wǎng)站報(bào)道，軟件解決方案提供商BSQUARE宣布，受某“全球一線移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商”（globaltier-1carrier）的委托，BSQUARE將負(fù)責(zé)把AdobeFlash技術(shù)移植到Android平臺(tái)上。這對(duì)于Android的用戶來說是個(gè)
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NAND flash價(jià)格回升 位增長(zhǎng)將創(chuàng)歷史新低
一位存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析師表示，NAND flash平均銷售價(jià)格已從去年第四季度的每Gbyte 80多美分上漲至超過現(xiàn)金成本。Forward Insights分析師Gregory Wong指出，2009年NAND flash資本支出預(yù)計(jì)減少69％，技術(shù)遷移將成為主導(dǎo)。
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iPhone增剪貼功能
據(jù)美國(guó)《商業(yè)周刊》報(bào)道，美國(guó)蘋果公司宣布推出手機(jī)iPhone(手機(jī)上網(wǎng)) 3.0新操作系統(tǒng)，軟件更新了不少客戶期待已久的新功能，其中包括文字剪貼和多媒體訊息。與此同時(shí)，還會(huì)提供途徑讓軟件開發(fā)商出售應(yīng)用程序圖利。然
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NAND價(jià)格走勢(shì)未明 市場(chǎng)仍在觀望
集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng)，現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開始下跌；然而，目前現(xiàn)貨市場(chǎng)仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。 集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合
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NAND多空未明 市場(chǎng)仍在觀望
集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng)，現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開始下跌；然而，目前現(xiàn)貨市場(chǎng)仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。 集邦表示，2月下旬主流MLC NAND
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基于DSP的運(yùn)動(dòng)控制器的研究與開發(fā)
摘要: 由于DSP將超強(qiáng)的高速實(shí)時(shí)處理能力和豐富的外設(shè)功能集于一身，目前，以DSP為核心的嵌入式運(yùn)動(dòng)控制器已經(jīng)成為開放式運(yùn)動(dòng)控制器的發(fā)展主流，并獲得廣泛的應(yīng)用。本文通過 對(duì)運(yùn)動(dòng)控制器基本功能的研究，在分析、消
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IC Insights：今年后三季度DRAM市場(chǎng)將強(qiáng)勢(shì)反轉(zhuǎn)
市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，在第一季度收入降至低點(diǎn)之后，DRAM市場(chǎng)將在今年剩下的時(shí)間中顯示強(qiáng)勁的季度增長(zhǎng)。 反彈的原因是，產(chǎn)能收緊、價(jià)格上升、以及電子系統(tǒng)需求開始恢復(fù)。 今年第一季度，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)收入環(huán)
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IC Insights:后三季度DRAM市場(chǎng)將強(qiáng)勢(shì)反轉(zhuǎn)
市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，在第一季度收入降至低點(diǎn)之后，DRAM市場(chǎng)將在今年剩下的時(shí)間中顯示強(qiáng)勁的季度增長(zhǎng)。反彈的原因是，產(chǎn)能收緊、價(jià)格上升、以及電子系統(tǒng)需求開始恢復(fù)。今年第一季度，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)收入環(huán)比減
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