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存儲器帶寬瓶頸突破：HBM3與GDDR7的技術(shù)對比分析
在人工智能訓(xùn)練、實時圖形渲染與科學(xué)計算領(lǐng)域，存儲器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作，分別通過三維堆疊與信號調(diào)制技術(shù)的突破，為不同應(yīng)用場景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)設(shè)計、性能參數(shù)、應(yīng)用場景及生態(tài)布局四個維度，深度解析兩種技術(shù)的競爭格局與演進方向。
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美光發(fā)布第二代HBM3，加速AI計算應(yīng)用
AI應(yīng)用爆發(fā)促進了數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)構(gòu)架的發(fā)展，而HBM市場也將受益于此，據(jù)悉未來三年HBM的年復(fù)合增長率將超過50%。目前HBM技術(shù)最新已經(jīng)發(fā)展到了HBM3e，而預(yù)期明年的大規(guī)模AI計算系統(tǒng)商用上，HBM3和HBM3e將會成為主流。
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TrendForce集邦咨詢： 受AI加速芯片新品帶動，HBM3與HBM3e將成為2024年HBM市場主流
Aug. 1, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2023年HBM(High Bandwidth Memory)市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計。同時，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。
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美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存(HBM)
2023年7月27日，中國上海 —— Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案性能可提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比，每瓦性能提高2.5倍，創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心性能、容量和能效指標(biāo)的新紀(jì)錄，將助力業(yè)界縮短大型語言模型（如GPT-4及更高版本）的訓(xùn)練時間，為AI推理提供高效的基礎(chǔ)設(shè)施，并降低總體擁有成本（TCO）。
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如何解決數(shù)據(jù)中心內(nèi)存瓶頸，提高不同AI加速器芯片和DRAM之間的數(shù)據(jù)搬運效率？——專訪Rambus杰出發(fā)明家Steven Woo和安全研究員Helena Handschuh
面對數(shù)據(jù)中心多種多樣的加速器IC，以及多種全新的內(nèi)存技術(shù)，如何將兩者完美結(jié)合實現(xiàn)高效安全的數(shù)據(jù)搬運？Rambus給出了答案。
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HBM3的性能或可達到HBM2E兩倍以上，并帶來直接成本降低
關(guān)于HBM3的消息，海力士早前曾表示單芯片可以達到5.2Gbps的I/O速率，帶寬達到665GB/s，將遠超HBM2E。但從Rambus最新發(fā)布的HBM3內(nèi)存子系統(tǒng)來看，數(shù)據(jù)傳輸速率達到了8.4Gbps，寬帶達到1TB/s，說明HBM3還有著更大的潛力。而且作為集成了PHY和控制器的完整內(nèi)存接口子系統(tǒng)，Rambus HBM3方案的推出也意味著HBM3的真正面世也將不遠了。
