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IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：門極電阻與鉗位二極管的參數(shù)優(yōu)化
在功率電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接影響開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）和器件可靠性。門極電阻（Rg）與鉗位二極管（Dclamp）作為驅(qū)動(dòng)電路的核心元件，其參數(shù)優(yōu)化需平衡開關(guān)速度、電壓尖峰抑制與熱穩(wěn)定性。本文從IGBT的開關(guān)特性出發(fā)，系統(tǒng)解析Rg與Dclamp的協(xié)同優(yōu)化策略，為工程師提供可量化的設(shè)計(jì)指南。
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)
美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。
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奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日：攜手譜寫汽車電子技術(shù)新篇章
中國(guó)上海，2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國(guó)知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級(jí)執(zhí)行官 阪井 正樹等多位高層領(lǐng)導(dǎo)出席本次活動(dòng)。雙方技術(shù)專家及供應(yīng)鏈核心伙伴齊聚一堂，共話汽車電子前沿技術(shù)，致力于為未來智慧出行注入強(qiáng)勁創(chuàng)新動(dòng)力。
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什么是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型晶體管？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
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IGBT 主導(dǎo)新能源汽車上半場(chǎng)，SiC 提速上車劍指新周期
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^往，IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車的上半場(chǎng)，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。
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英飛凌推出用于電動(dòng)汽車的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片
【2025年6月18日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著純電動(dòng)汽車(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)銷量的快速增長(zhǎng)，電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年，電動(dòng)汽車的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右 [1]。為滿足對(duì)高壓汽車IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 EDT3(第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng))芯片，以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動(dòng)系統(tǒng)的性能，尤其適用于汽車應(yīng)用。
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IGBT的五個(gè)損耗常用分量
IGBT常采用的一體式封裝設(shè)計(jì)，其中不僅集成了IGBT芯片，還包含了二極管芯片
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揭曉IGBT的開關(guān)頻率上限
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
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可控硅和igbt有什么區(qū)別？選擇可控硅模塊需要考慮什么
在這篇文章中，小編將對(duì)可控硅的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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三十載精“芯”“質(zhì)”造，英飛凌無錫打造綠色智能工廠典范
【2025年3月31日, 中國(guó)上海訊】三十載精“芯”“質(zhì)”造，闊步新征程。日前，英飛凌無錫工廠迎來了在華運(yùn)營(yíng)三十周年的里程碑。歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一，生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于當(dāng)前快速發(fā)展的電動(dòng)汽車、新能源、消費(fèi)電子、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，助力產(chǎn)業(yè)向智能化、綠色化方向發(fā)展。
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TDK針對(duì)500 V系統(tǒng)推出更緊湊的柵極驅(qū)動(dòng)變壓器
TDK株式會(huì)社(東京證券交易所代碼：6762)新近推出愛普科斯 (EPCOS) EP9系列變壓器(訂購(gòu)代碼：B82804E)。相比于專為IGBT及FET柵極驅(qū)動(dòng)電路而設(shè)計(jì)現(xiàn)有E10EM系列表面貼裝變壓器，新系列元件尺寸更為緊湊，且優(yōu)異性能可滿足500 V系統(tǒng)電壓的嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用要求，同時(shí)具備絕緣性能好、耦合電容超低和耐熱性強(qiáng)的特點(diǎn)。該新系列產(chǎn)品迎合了TDK積極推動(dòng)綠色轉(zhuǎn)型，邁向更加電氣化和可持續(xù)未來的理念。
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場(chǎng)，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
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在電力電子系統(tǒng)中，IGBT或MOSFET的死區(qū)介紹
在電力電子系統(tǒng)中，特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時(shí)，死區(qū)時(shí)間非常重要。它確保在一個(gè)功率元件關(guān)閉后，另一個(gè)元件才能開啟，從而避免同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。?
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IGBT的工作原理是什么？IGBT兩類短路保護(hù)了解嗎
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT常用的過流保護(hù)措施有哪些？IGBT開關(guān)特性解讀
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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貿(mào)澤電子開售能為電動(dòng)汽車牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
2024年11月26日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 以及混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 的牽引逆變器。
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IGBT的發(fā)熱功率及散熱系統(tǒng)探討
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，以其高電壓、大電流、高頻率等特性，廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、軌道交通、電動(dòng)汽車及新能源等領(lǐng)域。然而，隨著IGBT向高功率和高集成度方向發(fā)展，其發(fā)熱問題日益突出，對(duì)散熱系統(tǒng)的要求也越來越高。
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電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器類型
DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路，用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個(gè)電平轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分，DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應(yīng)用，如電池，或高電壓應(yīng)用，如高壓電力傳輸。
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動(dòng)出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計(jì)
該系列產(chǎn)品支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電流和電壓范圍
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
