2×8低噪聲InGaAs/InP APD讀出電路設計

日本轉換效率24.2％的多結太陽能電池問世

日本產業(yè)技術綜合研究所（AIST，簡稱產綜研）2014年6月24日在“AIST光伏發(fā)電研究成果報告會2014”上宣布開發(fā)出了“SmartStack”技術，可粘合由異種半導體構成的太陽能電池的pn層。利用該技術可在Si類和CIGS類太陽能電

IMEC臺積電高通合作為III-V FinFET采用InGaAs晶體管

InGaAs晶體管元器件交易網訊 11月6日消息，據外媒 Electronicsweekly報道， IMEC宣布已為III-V FinFET 組裝300mm 制程晶圓片，該晶圓片采用了銦砷化鎵(化學符號為InGaAs)、磷化銦( indium phosphide)化合物，將容納近

我國近紅外光譜儀器發(fā)展歷史、現(xiàn)狀及未來趨勢

隨著近紅外光譜分析技術在農業(yè)、石化、制藥、食品、煙草等多個領域的應用，我國近紅外光譜儀器發(fā)展依然取得了諸多成功，但同樣也存在著一些問題和挑戰(zhàn)。近紅外光譜儀器的發(fā)展和市場需求又如何呢？我國早期近紅外光譜

夏普三結化合物太陽電池單元轉換效率達36.9%

近日，夏普宣布其三結化合物太陽電池的單元轉換效率達到了36.9%。該數(shù)值比夏普2009年創(chuàng)下的35.8%高出1.1個百分點，刷新了全球非聚光太陽電池最高紀錄。轉換效率的測量是由日本產業(yè)技術綜合研究所實施的，單元面積

InGaAs線列探測器對航空航天領域影響深遠

近日，中科院長春光學精密機械與物理研究所宋航研究員主持的重點項目“室溫工作的高In組分短波InGaAs線列探測器材料與器件研究” 通過項目結題驗收。專家組由來自我國材料科學界知名專家組成，基金委領導和工程與材料

2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設計

對In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎，結合器件特性設計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關雙采樣(CDS)電路單元構成，并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設計。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲能力為5×107個，功耗小，噪聲低，設計達到預期要求。