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歐司朗LED芯片向6英寸化邁進 2012年白色LED用芯片的產能翻番
德國歐司朗光電半導體（OSRAM Opto Semiconductors）宣布，該公司將促進位于馬來西亞檳城（Penang）和德國雷根斯堡（Regensburg）的InGaN類LED芯片生產線的6英寸化，擴充led的生產能力。由此，到2012年底之前，白色L
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日本將ZnO類紫外LED光強提高到原產品的1萬倍
據(jù)日媒報道，日本東北大學與羅姆將ZnO(氧化鋅)類紫外LED的發(fā)光強度提高到了100μW，為原來產品的1萬倍，是InGaN與GaN類紫外LED的約110倍。 據(jù)研究小組介紹，制造LED元件時采用了MBE(分子束外延)法，并開發(fā)出了不使用
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采用超亮InGan技術的新款LED VLHW4100(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100，該LED針對高端應用進行了優(yōu)化，可滿足應用對極高發(fā)光強度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術，在20mA電流下的發(fā)光強度為
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上海藍光開啟第五輪購買AXITRON MOCVD計劃
據(jù)AIXTRON報道，宣布收到來自上海藍光新的MOCVD設備訂單，四套配置是CRIUS? 31x2英寸 MOCVD，用于生產高亮GaN LED。據(jù)悉，該批設備將于Q3'10在上海的工廠完成交貨。據(jù)該公司負責人Wendy Liu表示，他們已開始增加GaN基
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采用超亮InGan技術的新款LED VLHW4100(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100，該LED針對高端應用進行了優(yōu)化，可滿足應用對極高發(fā)光強度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術，在20mA電流下的發(fā)光強度為
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直接發(fā)光綠色氮化銦鎵(InGaN)激光試驗成功
歐司朗光電半導體成功研發(fā)直接發(fā)光綠色氮化銦鎵(InGaN) 激光，標志著實驗室研究取得重大突破。該款激光的光輸出高達 50 mW，發(fā)射波長為 515 nm 的真綠光線。與目前采用倍頻技術的半導體激光相比，直接發(fā)
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白光LED的開發(fā)設計
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光LED基片
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白光LED的開發(fā)設計
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光LED基片
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首爾半導體公布其對InGaN系LED專利的立場
首爾半導體日前宣布，美國得克薩斯法院經審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結構特性方面屬于首爾半導體的專利。InGaN 是組成白、藍、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質。作為上述美國得克薩斯法院審判對象的
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首爾半導體公布其對InGaN系LED專利的立場
首爾半導體日前宣布，美國得克薩斯法院經審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結構特性方面屬于首爾半導體的專利。InGaN 是組成白、藍、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質。作為上述美國得克薩斯法院審判對象的
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LED顯示屏從何而來
LED顯示屏從何而來? 早在1923年，羅塞夫(Lossen.o.w)在研究半導體SIC時有雜質的P-N結中有光發(fā)射，研究出的發(fā)光二極管(LED：Light Emitting Diode)一直都沒受到過重視。隨著電子工業(yè)快速的發(fā)展，尤其是在60年代期間，
