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采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
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LSI 與 Supermicro 合作 提供6Gb/s SAS 解決方案
LSI 公司 宣布與超微電腦有限公司 (Supermicro) 合作為渠道客戶提供端對(duì)端 6Gb/s SAS 解決方案。該解決方案將 LSI™ 6Gb/s SAS 芯片、MegaRAID® 技術(shù)、Supermicro6Gb/s SAS 服務(wù)器構(gòu)建塊和希捷6Gb/s SAS 驅(qū)
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中芯國(guó)際宣布MEMS芯片成功通過(guò)驗(yàn)證
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗(yàn)證。 “我們已接受過(guò)性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)試”
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中芯國(guó)際宣布MEMS芯片成功通過(guò)Microstaq驗(yàn)證
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗(yàn)證。 “我們已接受過(guò)性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)試”
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中芯國(guó)際宣布 MEMS 芯片成功通過(guò) Microstaq 驗(yàn)證
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗(yàn)證。“我們已接受過(guò)性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)
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世界最高能效微控制器（Energy Micro）
世界最高能效微控制器（Energy Micro）
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SUSS MicroTec與ITRI研究所合作開發(fā)三維集成技術(shù)
半導(dǎo)體業(yè)界創(chuàng)新工藝和測(cè)試方案提供商SUSS MicroTec，宣布與全球領(lǐng)先的研究機(jī)構(gòu)臺(tái)灣ITRI(工業(yè)技術(shù)研究院)合作，共同開發(fā)三維集成技術(shù)。ITRI引領(lǐng)的Ad-STAC(先進(jìn)堆棧系統(tǒng)與應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟)將把SUSS MicroTec 的300毫米光刻
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業(yè)內(nèi)最小的快速采樣/保持IC（Maxim）
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封裝的快速采樣/保持電路DS1843。該器件可以通過(guò)其差分輸入在低于300ns時(shí)間內(nèi)采集信號(hào)，并在輸出端保持長(zhǎng)達(dá)100µs。低輸入失調(diào)電壓(約5mV)保證了精確的測(cè)量。DS1843包含差分、
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0.18 µm CMOS制造工藝（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號(hào)專用集成電路(ASIC)的極佳平臺(tái)，用
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采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
