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3D NAND堆疊大戰(zhàn)如火如荼！中國存儲需跟上國際技術(shù)演進節(jié)奏
如果說幾家國際閃存大廠，如三星、美光、東芝、西數(shù)、SK海力士當前推向市場的主流產(chǎn)品是64層(或72層)3D NAND，那么明年就將跨入96層。在近日舉行的國際存儲研討會2018(IMW 2018)上，應(yīng)用材料公司預(yù)測，到2020年3D存儲堆疊可以做到120層甚至更高，2021年可以達到140層以上。
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S3C6410使用---10為SD卡與NAND FLASH的uboot加上menu菜單
用ok6410進行燒寫時,每次都需要敲一大堆命令,又費時又費力. 記得以前用TQ2440時,u-boot啟動時會有一個菜單,只按一個數(shù)字鍵就把內(nèi)核燒好了,非常方便.現(xiàn)在這張SD卡功能就很全面了,不僅能夠直接從SD卡啟動
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美光DRAM/NAND路線圖：下半年推96層3D閃存，GDDR6已完成驗證
受益于eMMC、eMCP市場，美光高價值移動NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來自數(shù)據(jù)中心市場的內(nèi)存、閃存營收同比增長了87%。
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在DSP系統(tǒng)中Nand+Flash存儲管理的實現(xiàn)
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。
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NAND FLASH在基于CCM3118稅控收款機上的應(yīng)用
引言 CCM3118是蘇州國芯公司一款32位高性能、低功耗SoC芯片，以32位C*CORE C310處理器為核心，并有3個串口，2個智能卡接口，1個PS/2接口，1個LCDC控制器，多達72個通用輸入輸出引腳（GPIO）等豐富資源，在稅控收款機
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一種NAND FLASH自啟動的新方法
1 引 言 隨著消費類電子產(chǎn)品包括PDA，MP3、智能手機等手持設(shè)備的市場需求逐步擴大，產(chǎn)品間的競爭也愈發(fā)激烈，降低產(chǎn)品的設(shè)計成本，提升產(chǎn)品的市場競爭力成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)者所面臨的重大挑戰(zhàn)。NAND FLASH和NORFLASH
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nand flash 讀寫（基本操作）
開場白： 希望通過這篇文章記錄一下自己在調(diào)試NAND flash的經(jīng)驗。希望對大家有用。 上個月搞了一塊開發(fā)板QT210。說實話沒有找到很多的datasheet就開始搞了。最早還是從boot說起，說到這這里不得不提到b
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一種嵌入式設(shè)備中NAND Flash 存儲系統(tǒng)解決方案
為了實現(xiàn)一種嵌入式設(shè)備存儲系統(tǒng)的解決方案，對嵌入式設(shè)備廣泛采用的大容量存儲設(shè)備NAND Flash 進行了深入的研究。設(shè)計了一種嵌入式設(shè)備中NAND Flash 存儲系統(tǒng)的解決方案，介紹了其功能用途和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，分層介紹了系統(tǒng)的具體設(shè)計，重點介紹了比較獨特的塊設(shè)備驅(qū)動層和FTL 層的設(shè)計方法以及對驅(qū)動初始化的優(yōu)化。通過實際設(shè)計NAND
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嵌入式系統(tǒng)基礎(chǔ)之：實驗內(nèi)容——使用JTAG燒寫Nand Flash
通過使用JTAG燒寫Flash的實驗，了解嵌入式硬件環(huán)境，熟悉JTAG的使用，為今后的進一步學(xué)習(xí)打下良好的基礎(chǔ)。本書以優(yōu)龍的FS2410及Flash燒寫工具為例進行講解，不同廠商的開發(fā)板都會提供相應(yīng)的Flash燒寫工具，并有相應(yīng)的說明文檔，請讀者在了解基本原理之后查閱相關(guān)手冊。
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32G滿足不了！ 3D NAND拯救手機內(nèi)存不足
3D NAND是閃存領(lǐng)域的一個重大進步，可望釋放巨大的儲存容量成長潛力。其布置在硅基板上的內(nèi)存單元能夠被移動到第三維空間，也就是在各個分層上以垂直方式堆棧，并且透過傳播電荷的導(dǎo)線進行連接。
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基于芯片堆疊式的3D技術(shù)
從SiP系統(tǒng)級封裝的傳統(tǒng)意義上來講，凡是有芯片堆疊的都可以稱之為3D，因為在Z軸上有了功能和信號的延伸，無論此堆疊是位于IC內(nèi)部還是IC外部。
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慧榮科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片 超高性能表現(xiàn)引領(lǐng)主流巿場
慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)于臺北國際電腦展(Computex Taipei)推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3規(guī)范，并以現(xiàn)場實測展現(xiàn)驗證其優(yōu)越效能，為PCIe SSD定義新標準。
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SSD將取代HDD成主流
隨著NAND Flash產(chǎn)能開出，市場價格持續(xù)松動，刺激市場搭載SSD的需求大增，業(yè)者認為，2018年下半NAND Flash價格將一路走跌，將促使SSD與HDD價差進一步收斂，目前SSD價差逐步縮小至3~3.5倍，兩者價差替換的黃金交叉點即將到來，推動SSD取代效益顯現(xiàn)，而PCIe SSD價格跌幅也將擴大，未來躍升為市場主流將指日可待。
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利用NAND Flash實現(xiàn)對嵌入式系統(tǒng)的遠程更新
引言嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進行升級和維護，以延長系統(tǒng)的使用
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用DNW通過USB燒uboot到nand
作者：孫曉明，華清遠見嵌入式學(xué)院講師。 燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用USB下載功能，從NOR啟動界面如下： 我們首先選擇0，把我們自己的u
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基于微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實現(xiàn)
本文介紹了嵌入式Linux操作系統(tǒng)下基于三星微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實現(xiàn)方法。操作系統(tǒng)采用Linux 2．6．28版本，平臺為飛凌OK6410-A開發(fā)板。采用的方案是通過添加一個512 MB的NAND
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NAND閃存價格開始下跌 看各大公司Q1表現(xiàn)
NAND閃存價格已經(jīng)在下跌了，Q1季度價格環(huán)比下降3%，Q2季度eMMC/UFS及SSD硬盤價格還會繼續(xù)下跌，不過供應(yīng)商在對大容量硬盤、eMMC/UFS閃存降價的同時也會刺激市場需求，所以Q2季度各大供應(yīng)商的營收應(yīng)該會保持穩(wěn)定。
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長江存儲NAND閃存芯片有望在光谷實現(xiàn)量產(chǎn)
4月11日，國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段。長江日報記者了解到，設(shè)備搬入、調(diào)試將耗費3個月左右的時間，然后開始小規(guī)模試產(chǎn)，如順利，今年四季
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關(guān)鍵突破!長江存儲3D NAND榮獲首張訂單 出貨量超過1萬顆
身為國家存儲器項目首發(fā)基地的長江存儲，4月11日武漢廠正式舉行裝機典禮，由紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國親自主持，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)總裁董事長丁文武也到場支持，紫光集團全球執(zhí)行
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長江存儲正式裝機，3D NAND量產(chǎn)還有多遠?
4月11日，長江存儲以“芯存長江，智儲未來”為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目(一期)一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修
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