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在NAND FLASH上建立YAFFS2文件系統(tǒng)
我們常說的閃存其實只是一個籠統(tǒng)的稱呼，準確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱，特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
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3D NAND將緩解SSD和移動市場的強勁需求
根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出:全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達到4291億美元。HIS認為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機器學習。
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美光科技宣布推出適用于旗艦級智能手機的尖端移動 3D NAND 解決方案
美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。
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手機存儲容量需求大增，為3D NAND儲存鋪平道路
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當前由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應用需求，從而為3D NAND快閃存儲器的進展鋪路…
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NAND Flash價格先降后升，DRAM則持續(xù)走高
2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
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NAND Flash價格崩盤前夕，國內(nèi)存儲面臨大考驗！
據(jù)悉，在經(jīng)過為期一年半的價格暴漲之后，部分存儲芯片的價格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂觀的2017年業(yè)績預期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人陷入了深深的不安，一些投資人曾經(jīng)認為芯片行業(yè)的紅火至少還將持續(xù)一年半的時間。
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完成第三代3D-NAND Flash開發(fā)后，美光與英特爾合作結(jié)束
美光與英特爾在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴關(guān)系將于完成第三代3D-NAND Flash(96層)開發(fā)之后終止，各自研發(fā)未來的NAND Flash技術(shù)，以符合雙方品牌產(chǎn)品所需，并維持Lehi廠3D-XPoint的合作關(guān)系。
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NAND Flash成半導體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場
國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出，繼移動裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動通訊(5G )擴增實境(AR)/虛擬實境(VR)及人工智慧(AI)將為半導體產(chǎn)業(yè)中長期發(fā)展五大驅(qū)動力。為迎相關(guān)應用，存儲器廠積極擴增產(chǎn)能，并以儲存型(NAND Flash)為主要爭戰(zhàn)焦點。
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3D NAND擴產(chǎn)在即，NAND Flash恐供過于求
受到部份零組件缺貨影響，ODM/OEM廠2017年第四季PC出貨不如預期，導致固態(tài)硬碟(SSD)需求急降，價格也一路走跌，2018年上半年NAND Flash市場供過于求已難避免。市調(diào)機構(gòu)集邦預期，三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產(chǎn)計畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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東芝將投資擴產(chǎn)NAND Flash
2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
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NAND Flash價格到頂了？美光說并沒有
多位分析師近來發(fā)表NAND Flash價格觸頂言論，引發(fā)市場憂慮，美國內(nèi)存芯片大廠美光(Micron)周二以優(yōu)于市場預期的上季業(yè)績，和亮眼的本季財測，打臉分析師，應能讓緊張的投資人安心享受年終假期。
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DRAM為什么將長期供不應求
DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
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2018年第一季NAND Flash價格將翻轉(zhuǎn)走跌
據(jù)報道，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)研究指出，2018年第一季在需求端面臨到傳統(tǒng)淡季的沖擊，包含平板電腦、筆記本電腦以及以中國品牌為主的智能手機裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15%，而服務器需求相對持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現(xiàn)0-5%下跌。另一方面，NAND Flash供貨商仍持續(xù)提升3D-NAND Flash的產(chǎn)能及良率，位元產(chǎn)出成長亦較第四季高于5%，預期NAND Flash市場將進入供過于求態(tài)勢，2018年第一季固態(tài)硬盤、NAND Flash顆粒及waf
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三星豪賭260億美元,想壟斷DRAM和NAND市場?
內(nèi)存市場包含NAND Flash、NOR及DRAM，從2016年底開始到2017年第三季，受供給短缺，以及需求大幅增長的影響，各種內(nèi)存的每季報價都有10%以上的成長，可想而知三星存儲業(yè)務在2017年有多賺錢。
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SSD高價有望走低，或供過于求
據(jù)調(diào)研機構(gòu)TrendForce最新報告，今年過去的第三季度，由于手機和服務器供求缺口增大，NANDFlash閃存的整體營收增加了14%。
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東芝談判案或?qū)⒂绊懳鞑繑?shù)據(jù)NAND供應
西部數(shù)據(jù)的收入和利潤在2018財年第一季度都有所增長，但對東芝談判的失敗可能會在法庭上敗訴，影響對96層3D NAND業(yè)務。
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影馳發(fā)布全新ONE SSD：首用東芝64層3D閃存
作為傳統(tǒng)顯卡廠商的影馳正在向存儲廠商轉(zhuǎn)型，名人堂、GAMER、將三大系列產(chǎn)品完備，今天又通過特殊的線上發(fā)布會，帶來了全新的ONE系列，號稱“萬里挑一”。
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Nand Flash編程應用難點淺析
Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)
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NAND Flash市場格局：SK和東芝聯(lián)合對抗三星？
SK海力士(SK Hynix)日前終于如愿以美日韓聯(lián)盟成員身分與東芝(Toshiba)簽約，也為延宕許久的東芝半導體出售一案，暫時劃下句點。盡管SK海力士強調(diào)僅是投資者，但SK海力士與東芝在NAND Flash市場上，其實有許多復雜的競爭及利害，因此未來SK海力士NAND Flash事業(yè)發(fā)展動向，格外引起業(yè)界高度關(guān)注。
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2017年的內(nèi)存市場：一直在“缺貨”
內(nèi)存市場包含NAND Flash、NOR及DRAM，分別都受到供給短缺，以及需求大幅成長的影響，導致內(nèi)存顆粒等料件價格暴漲。 不同內(nèi)存背后的市場供需變化，以及技術(shù)發(fā)展近況都是影響要素，同時，也影響著未來的價格走向。
