以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)展鋪路…

智能手機(jī)使用者不斷尋求更好的移動(dòng)體驗(yàn)，除了提升裝置的處理性能以外，還需要更高容量的儲(chǔ)存，才足以支持5G、人工智能(AI)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量?jī)H16GB、32GB的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前的移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)的進(jìn)展鋪路。

Western Digital (WD)最近推出采用64層堆疊的3D NAND技術(shù)以及UFS與e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快閃存儲(chǔ)器(EFD)系列，可望讓智能手機(jī)使用者能夠充份體驗(yàn)當(dāng)今由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用。

隨著智能手機(jī)用戶數(shù)持續(xù)增加，各種移動(dòng)應(yīng)用程式(app)的下載量、豐富的多媒體內(nèi)容，以及照片和視訊擷取產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量正如雪球般地越滾越大，再加上5G、AI以及AR/VR等數(shù)據(jù)密集型的新興應(yīng)用出現(xiàn)，不斷為移動(dòng)裝置帶來(lái)龐大的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需求。

“3D NAND是快閃存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重大進(jìn)步，可為邊緣裝置帶來(lái)巨大的儲(chǔ)存容量與成長(zhǎng)潛力。”WD嵌入式與整合解決方案移動(dòng)和運(yùn)算產(chǎn)品線市場(chǎng)管理總監(jiān)包繼紅指出，智能手機(jī)一直使用嵌入式快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存與執(zhí)行應(yīng)用程式，但隨著平面2D NAND技術(shù)逐漸達(dá)到微縮極限，越來(lái)越難在儲(chǔ)存容量及其效能方面取得突破。

如今，采用創(chuàng)新制程架構(gòu)的3D NAND技術(shù)出現(xiàn)，以更低的每位成本解決了平面2D NAND微縮的挑戰(zhàn)，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外，在當(dāng)今約有高達(dá)96%的數(shù)據(jù)量都必須在邊緣處理的環(huán)境下，為移動(dòng)裝置采用3D NAND嵌入式快閃存儲(chǔ)器已是大勢(shì)所趨。

包繼紅介紹，WD最新的iNAND系列采用X3 3D NAND與SmartSLC技術(shù)，可為數(shù)據(jù)密集型的新興移動(dòng)應(yīng)用打造最佳儲(chǔ)存環(huán)境。iNAND 8521專(zhuān)為支援5G網(wǎng)路的旗艦移動(dòng)裝置設(shè)計(jì)，iNAND 7550則瞄準(zhǔn)主流的智能手機(jī)。

iNAND 8521嵌入式快閃存儲(chǔ)器采用UFS 2.1介面以及WD第五代SmartSLC技術(shù)，相較于為旗艦機(jī)推出的前一代產(chǎn)品，其連續(xù)寫(xiě)入速度更高2倍，隨機(jī)寫(xiě)入速度更高達(dá)10倍。iNAND 8521能快速且智慧地回應(yīng)使用者對(duì)于AR/VR游戲或下載HD影片等應(yīng)用效能需求。此外，更高數(shù)據(jù)傳輸速率，讓移動(dòng)用戶能利用Wi-Fi或未來(lái)的5G網(wǎng)絡(luò)提升效能與體驗(yàn)。

iNAND 7550嵌入式快閃存儲(chǔ)器能讓移動(dòng)裝置制造商生產(chǎn)符合成本效益的智能手機(jī)與運(yùn)算裝置，提供充足的儲(chǔ)存空間，滿足消費(fèi)者持續(xù)增加的數(shù)據(jù)需求以及快速的app體驗(yàn)。iNAND 7550支持e.MMC 5.1規(guī)格，可實(shí)現(xiàn)最高260MB/s的連續(xù)寫(xiě)入效能，隨機(jī)讀/寫(xiě)效能分別為20K IOPS和15K IOPS。

3D NAND采用創(chuàng)新制程架構(gòu)，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高可靠性。