英特爾公司(Intel Corporation)和美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.)近日宣布,雙方依靠其獲獎(jiǎng)的34納米NAND工藝,推出每單元儲(chǔ)存3比特(3-bit-per-cell,簡(jiǎn)稱3bps)的多層單元(MLC)NAND技術(shù)試用產(chǎn)品
8月12日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾和美光科技今天宣布,雙方已將當(dāng)今最小的NAND芯片應(yīng)用于消費(fèi)存儲(chǔ)設(shè)備。 新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝,每單元可儲(chǔ)存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
英特爾公司(Intel Corporation)和美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.)宣布,雙方依靠其獲獎(jiǎng)的34納米NAND工藝,推出每單元儲(chǔ)存3比特(3-bit-per-cell,簡(jiǎn)稱3bps)的多層單元(MLC)NAND技術(shù)試用產(chǎn)品。這
據(jù)報(bào)道,東芝計(jì)劃在新興市場(chǎng)國(guó)家投放低價(jià)格機(jī)型以擴(kuò)大市場(chǎng)份額。與此前的3年相比,今后3年將減少5400億日元的設(shè)備投資和1700億日元的研發(fā)費(fèi)用,以提高利潤(rùn)率。 公司將繼續(xù)整合半導(dǎo)體等電子設(shè)備業(yè)務(wù)部門,將經(jīng)營(yíng)資源
在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場(chǎng)庫(kù)存回補(bǔ)需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收都較上一
在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場(chǎng)庫(kù)存回補(bǔ)需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收都較上一季
引言 在日益信息化的社會(huì)中,計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)全面滲透到日常生活中。對(duì)于個(gè)人,需要的不僅僅是放在桌上處理的文檔而是需要能夠工作管理和生產(chǎn)控制的計(jì)算“機(jī)器”。而各種各樣的新型嵌入式產(chǎn)品在應(yīng)用數(shù)量上已遠(yuǎn)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響,然令業(yè)界意外的是,由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品,因此,使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降,帶
北京時(shí)間7月29日消息,電信調(diào)研機(jī)構(gòu)Pyramid Research發(fā)布的最新報(bào)告顯示,2011年,巴西移動(dòng)寬帶的市場(chǎng)規(guī)模將超越過(guò)固定寬帶,到2014年,數(shù)據(jù)卡用戶將從2008年的150萬(wàn)增至近2700萬(wàn)。Pyramid對(duì)移動(dòng)寬帶計(jì)算設(shè)備在巴西
海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛,之前48納米制程量產(chǎn)不順,加上減產(chǎn)之故,幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè),直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利,才開(kāi)始活躍起來(lái),日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈,獲得
7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中,仍是穩(wěn)住陣腳,除了32Gb和64Gb容量的芯片,小幅下跌1~3%外,其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示,三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多,因此即使市場(chǎng)的買氣平平,NAND Fla