今年9月初,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,采用了自研Xtacking架構(gòu),核心容量256Gb。今天紫光集團(tuán)又宣布旗下新華三公司將在自家服務(wù)器產(chǎn)品中使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存,共同推動(dòng)在中國(guó)
存儲(chǔ)器廠旺宏將于周四(24日)召開法說,公布第3季財(cái)報(bào),市場(chǎng)除關(guān)注第4季及明年?duì)I運(yùn)展望,由于第3季大客戶拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁,旺宏庫(kù)存去化程度、毛利率表現(xiàn)將受矚,NAND與NOR Flash需求表現(xiàn)、及19納米SLC NAND出貨情況也將成為焦點(diǎn)。
美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層,繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計(jì)思路,不過美光與Inte
據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布,該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片,將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品比以往96層4D Nand芯片的生產(chǎn)效率提高了40%。
近日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn),將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
據(jù)DRAM Exchange最新報(bào)告稱,DRAM市場(chǎng)正在降價(jià)、且趨勢(shì)是會(huì)繼續(xù)走低。 這份報(bào)告中指出,今年第二季度,DRAM價(jià)格下跌了近10%。目前的狀況是供大于求,這是內(nèi)存市場(chǎng)將持續(xù)下跌的部分原因。對(duì)
東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品,這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合最新的e.MMCTM標(biāo)準(zhǔn),適用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品,包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB產(chǎn)品樣品出貨即日啟動(dòng),8GB、32GB、64GB和128GB產(chǎn)品將稍后出貨。
從去年初到現(xiàn)在,全球NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)連跌了6個(gè)季度,導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑,多家廠商還削減了產(chǎn)能,其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。 關(guān)于NAN
7月8日,臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠威剛否認(rèn)了暫停出貨SSD的傳聞,并表示為應(yīng)對(duì)目前NAND Flash價(jià)格上揚(yáng),在前景有待觀察的情形下,將限量供貨,并優(yōu)先支持老客戶。隨著NAND Flash供應(yīng)商陸續(xù)緊縮供給
作為NAND閃存的發(fā)明人,雖然市場(chǎng)地位已經(jīng)被三星超越,不過東芝存儲(chǔ)(Toshiba Memory)的名字已經(jīng)為人熟知,可惜今年10月開始這個(gè)名字就改為“Kioxia”,公司中文名為“鎧俠株式會(huì)社”。
韓國(guó)SK海力士日前發(fā)布財(cái)報(bào),Q2季度中營(yíng)收6.45萬億韓元,同比下滑38%,運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)只有6376億韓元,同比暴跌了89%,凈利潤(rùn)僅為5370億韓元,約合4.6億美元,同比暴跌了88%,創(chuàng)下了三年來最低
3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash,3D NAND 閃存)的高密度發(fā)展正如火如荼地進(jìn)行著。通過增加存儲(chǔ)單元(Memory Cell)在垂直方向上的堆疊(3D堆疊)數(shù)量(Word Line的堆疊數(shù)),3D NAND閃存的高密度化、大容量化已經(jīng)基本得以實(shí)現(xiàn)。通過融合3D堆疊技術(shù)、多值存儲(chǔ)技術(shù)(在1個(gè)存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)多個(gè)bit的技術(shù)),獲得了具有較大存儲(chǔ)容量的Silicon Die(硅芯片)。
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,今年首季NAND Flash合約價(jià)跌幅頗重,展望第二季,因供應(yīng)商庫(kù)存壓力未除,第二季價(jià)格跌勢(shì)恐將難止。今年第一季除了受到傳統(tǒng)淡季
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商?hào)|芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故,導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個(gè)月,再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國(guó)之間的貿(mào)易制裁,連跌了6個(gè)季度的閃存市場(chǎng)存在著多種不確定性。 影響閃存價(jià)
盡管日前日本NAND Flash大廠東芝爆出停電導(dǎo)致產(chǎn)能受阻的消息,不過,光寶科總執(zhí)行長(zhǎng)陳廣中表示,整體來看,NAND Flash整體市況還是處于供過于求,因此預(yù)料下半年報(bào)價(jià)應(yīng)該還是會(huì)處于緩跌走勢(shì)。
7月11日消息,據(jù)BusinessKorea報(bào)道,三星電子計(jì)劃將NAND閃存價(jià)格提高10%,且美光科技有意效法。報(bào)道稱,NAND閃存的庫(kù)存已經(jīng)降至四周,約為DRAM的一半,但需求出現(xiàn)上揚(yáng)。Busine
2019年2季度,SK海力士的NAND閃存出貨量環(huán)比增長(zhǎng)了40%,主要原因是該公司增加了72層3D NAND的產(chǎn)量。繼三星推遲254億美元的DRAM工廠項(xiàng)目之后,SK海力士也計(jì)劃在今年內(nèi)將3D NAND閃存減產(chǎn)15%,以放緩產(chǎn)能擴(kuò)張速度。
存儲(chǔ)器大廠旺宏25日召開線上法說會(huì),并公布2019年第2季營(yíng)收數(shù)字。營(yíng)收為74.79億元新臺(tái)幣(新臺(tái)幣,下同),較第1季增加24%,較2018年同期減少16%。毛利率27%,較第1季增加2個(gè)百分點(diǎn),較2018年同期則是減少18個(gè)百分點(diǎn)。稅后純益2.64億元,每股EPS 0.14元。
NAND Flash近期市況熱門,日韓貿(mào)易戰(zhàn)更讓NAND Flash價(jià)格看漲。NAND Flash控制晶片暨模組廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成表示,7月以來,現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)漲約超過一成,理性來看,未來還有20%至3
對(duì)于三星來說,由于日本在三種關(guān)鍵材料上的管控,將導(dǎo)致他們有內(nèi)存、OLED屏斷供的風(fēng)險(xiǎn)。今天早些時(shí)候,有消息稱,由于需求下滑以及日本的出口限制,三星電子和SK海力士計(jì)劃削減NAND閃存芯片產(chǎn)量。報(bào)道中還