LED前端設(shè)備已啟動下一輪投資

　 LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)測， 經(jīng)過18-24個(gè)月的消化期，LED前端設(shè)備市場開始緩慢復(fù)蘇，并將在2014-2016年間經(jīng)歷另一輪投資，通用照明應(yīng)用是主要需求動力。但第二輪投資價(jià)值有限，因?yàn)樵O(shè)備

LED前端設(shè)備市場復(fù)蘇 已啟動下一輪投資

Yole Développement預(yù)測， 經(jīng)過18-24個(gè)月的消化期，LED前端設(shè)備市場開始緩慢復(fù)蘇，并將在2014-2016年間經(jīng)歷另一輪投資，通用照明應(yīng)用是主要需求動力。但第二輪投資價(jià)值有限，因?yàn)樵O(shè)備產(chǎn)能和良率有所改善，

IGZO金屬氧化物應(yīng)推旋轉(zhuǎn)耙材

IGZO技術(shù)是近來半導(dǎo)體顯示市場最熱門的技術(shù)，不過由于其在成膜過程中存在對氫氣敏感、膜質(zhì)均勻性要求高等特點(diǎn)，大規(guī)模生產(chǎn)過程中存在成品率較低的問題。近日，半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出適用于IGZO金屬氧化物薄膜生

應(yīng)用材料推面向8.5代LCD和OLED顯示制造的PX PECVD和PiVot PVD技術(shù)

10月31日，應(yīng)用材料顯示事業(yè)部（AKT）在日本橫濱的2012年國際平板顯示器展 (FPDI 2012)現(xiàn)場，通過視頻會議系統(tǒng)向北京媒體宣布，推出分別采用低溫多晶硅（LTPS）和金屬氧化物材料的PX PECVD（等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉

應(yīng)用材料公司推全新PVD/PECVD技術(shù)

應(yīng)用材料公司宣布推出全新的PVD*和PECVD*技術(shù)，用于制造下一世代的超高分辨率(UHD)電視以及移動設(shè)備的高像素密度屏幕。實(shí)現(xiàn)這一重大變革的關(guān)鍵在于這兩項(xiàng)技術(shù)使用了全新的金屬氧化物和低溫多晶硅材料，從而生產(chǎn)出更快

應(yīng)用材料推出面向8.5代LCD和OLED顯示制造的新技術(shù)

應(yīng)用材料顯示事業(yè)部（AKT）在日本橫濱的2012年國際平板顯示器展 (FPDI 2012)現(xiàn)場，通過視頻會議系統(tǒng)向北京媒體宣布，推出分別采用低溫多晶硅（LTPS）和金屬氧化物材料的PX PECVD（等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積）和PiV

應(yīng)用材料推PECVD實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示

應(yīng)用材料公司宣布推出全新等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）薄膜技術(shù)，用于制造適用于下一代平板電腦和電視的更高性能高分辨率顯示。這些源自應(yīng)用材料公司業(yè)界領(lǐng)先的AKT-PECVD系統(tǒng)的先進(jìn)絕緣薄膜，使得基于金屬氧化

太陽能電池多層膜檢測難題得到解決

自2011以來，行業(yè)持續(xù)低迷，很多光伏企業(yè)將主要精力都放在了提升產(chǎn)品效率，以便使自身更具競爭力。在提升效率過程中，之于每個(gè)工藝的控制就顯得格外重要。例如，對于晶體硅電池的核心工藝的PECVD，為了既獲得良好的鈍

普樂成功研發(fā)非晶硅鍺薄膜

眾所周知，以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法生長的非晶硅和微晶硅材料，一直是薄膜太陽能電池制備中很有前景的材料。 其中非晶硅電池具有極高的光吸收系數(shù)，且容易大規(guī)模生產(chǎn)，是目前較為普遍的硅基薄膜電池

旭瑞光電將采用諾發(fā)PECVD LED鍍膜系統(tǒng)生產(chǎn)金屬基垂直結(jié)構(gòu)高效LED

近日，諾發(fā)公司宣布其已向旭瑞光電公司提供了一臺VECTOR（R）型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備。旭瑞光電是一家位于佛山的合資公司，其股東之一是世界領(lǐng)先的高亮度LED生產(chǎn)企業(yè)——美國旭明公司（Semileds Corp

應(yīng)用材料公司為制造市場推出全新PECVD系統(tǒng)

應(yīng)用材料公司推出全新的Applied AKT-20K PX PECVD 系統(tǒng)，用于制造最先進(jìn)的智能手機(jī)和平板電腦中所采用的高性能有源矩陣OLED和TFT-LCD顯示屏。通過采用LTPS關(guān)鍵技術(shù)，該系統(tǒng)可將高度一致的薄膜沉積至1.95平方米的玻璃

應(yīng)用材料設(shè)備奧援　臺面板廠轉(zhuǎn)型添柴薪

半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Material)11日舉行臺南制造中心擴(kuò)建竣工典禮，將投入電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)與物理氣相沉積(PVD)等面板及薄膜太陽能電池最關(guān)鍵的制造設(shè)備生產(chǎn)，成為臺灣面板廠西進(jìn)中國大陸與跨

諾發(fā)系統(tǒng)宣布應(yīng)用在先進(jìn)晶圓級封裝市場的系列產(chǎn)品

諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機(jī)型，這些新機(jī)型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進(jìn)金屬聯(lián)機(jī)技術(shù)相輔相成，并且展開晶圓級封裝技術(shù)(WLP)的需求及市場。這些機(jī)臺都整合了一些一般傳統(tǒng)

諾發(fā)VECTOR Extreme制定全新PECVD產(chǎn)量基準(zhǔn)