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RFMD被主要智能手機(jī)制造商選中，為其下一代產(chǎn)品系列提供支持
日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD），宣布其已被一個(gè)主要的 3G/4G 智能手機(jī)制造商選中，為該制造商的下一代設(shè)備提供支持。下一代設(shè)
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RF Micro Devices加快RF功率管理方面的技術(shù)改進(jìn)
日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號：RFMD)宣布，其將繼續(xù)努力，實(shí)現(xiàn) RF 功率管理性能方面改進(jìn)的新里程碑。RF Micro Devices 正在開發(fā)基于平
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RFMD以其業(yè)界領(lǐng)先的3G 4G產(chǎn)品推動(dòng)智能手機(jī)發(fā)展
日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號：RFMD)宣布其已開始量產(chǎn)多個(gè) 3G/4G 功率放大器 (PA)，以支持兩個(gè)領(lǐng)先的智能手機(jī)系列。RFMD 支持的這
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RFMD以領(lǐng)先的 3G/4G 產(chǎn)品推動(dòng)新智能手機(jī)的發(fā)展
21ic訊 日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.宣布其已開始量產(chǎn)多個(gè) 3G/4G 功率放大器 (PA)，以支持兩個(gè)領(lǐng)先的智能手機(jī)系列。RFMD® 支持的這兩款最新智能手
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RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊
21ic訊 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊 RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在頻率 45 至 1003MHz 范圍
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RFMD推出RF3928 氮化鎵寬帶脈沖功率放大器
21ic訊 RFMD公司推出RF3928 氮化鎵寬帶脈沖功率放大器。RF3928 是一款 50V 280W 的高功率分立放大器，專用于 S 波段脈沖雷達(dá)、空中交通管制和監(jiān)督 (ATCS) 以及通用寬帶放大器應(yīng)用。由于采用了先進(jìn)的高功率密度氮化鎵
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RFMD®的PowerSmart™ 功率平臺(tái)實(shí)現(xiàn)4G性能里程碑
RF Micro Devices, Inc.目前宣布，其 PowerSmart™ 功率平臺(tái)實(shí)現(xiàn)重大的性能里程碑。RFMD 的PowerSmart 功率平臺(tái)是為改變未來多模式、多頻段蜂窩射頻架構(gòu)而設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品類別。 在獨(dú)立的產(chǎn)品測試期間，RFMD
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RFMD進(jìn)一步將晶圓代工服務(wù)擴(kuò)大至MBE制程
設(shè)計(jì)及制造高效能射頻零組件及復(fù)合式半導(dǎo)體技術(shù)供貨商 RF Micro Devices (RFMD)日前宣布，該公司已進(jìn)一步擴(kuò)大其晶圓代工服務(wù)(Foundry Services)，以提供多種分子束外延(MBE)平臺(tái)、外延特性描述及外延開發(fā)架構(gòu)，包
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RFMD擴(kuò)展晶圓代工服務(wù)
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務(wù)內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。 RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產(chǎn)品而
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增加GaAs技術(shù) RFMD擴(kuò)展晶圓代工服務(wù)
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務(wù)內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產(chǎn)品而最佳
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3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求
從去年至目前為止，3G RF所需的功率放大器(Power Amplifier, PA)始終面臨缺貨的情況，究其原因，主要是由于低價(jià)手機(jī)盛行、智能型手機(jī)熱 賣與行動(dòng)上網(wǎng)需求激增，導(dǎo)致PA用量大增，PA業(yè)者供應(yīng)不及。這是3G相關(guān)業(yè)者在
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在面向智能能源應(yīng)用的前端模塊中采用Ember技術(shù)
RF Micro Devices, Inc. 公司宣布，該公司正在與 Ember 公司合作，共同推出面向智能電網(wǎng)應(yīng)用的 ZigBee 前端模塊 (FEM)，這些模塊可使公用事業(yè)及消費(fèi)者更大力度地控制他們的監(jiān)控方式，并且可節(jié)省能源。ZigBee 是一種
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美國復(fù)合半導(dǎo)體制造商RFMD生產(chǎn)首個(gè)III-V太陽能電池
美國復(fù)合半導(dǎo)體制造商RFMicroDevices(RFMD)宣布，公司通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片設(shè)備成功制造出太陽能電池，標(biāo)志著6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多結(jié)光伏電池量產(chǎn)方面獲得突破。去年RFMD開始與美國國家可再生能源實(shí)
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經(jīng)濟(jì)衰退影響功率放大器市場，Skyworks份額超RFMD
Strategy Analytics射頻及無線組件市場研究服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告“RFMD 失去功率放大器 (PA) 市場領(lǐng)先地位，Skyworks 拔得頭籌”。本報(bào)告研究經(jīng)濟(jì)衰退和手機(jī)出貨量下降給手持終端功率放大器 (PA) 市場帶來的變化，并
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經(jīng)濟(jì)衰退影響功率放大器市場, Skyworks份額超RFMD
Strategy Analytics 射頻及無線組件市場研究服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告“RFMD 失去功率放大器 (PA) 市場領(lǐng)先地位，Skyworks 拔得頭籌”。本報(bào)告研究經(jīng)濟(jì)衰退和手機(jī)出貨量下降給手持終端功率放大器 (PA) 市場帶來
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PowerStar雙頻帶GSM/GPRS發(fā)送模塊（RFMD）
日前，RF Micro Devices, Inc. 公司（RFMD）推出 RF4180 PowerStar® 雙頻帶 GSM/GPRS 發(fā)送模塊。
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MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)（RFMD）
日前，RF Micro Devices, Inc. 公司（RFMD）推出正在申請專利的 MicroShield™ 整合 RF 屏蔽技術(shù)。
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