這兩個(gè)月買內(nèi)存了嗎?京東銷量前列、但價(jià)格跟風(fēng)幅度也是最夸張的金士頓駭客身?xiàng)l8G今天在京東雙12出現(xiàn)了698元的秒殺價(jià),但截止發(fā)稿已經(jīng)被搶光。要知道,同樣的這款DDR4-2400的8G單條,在10月底甚至要賣到1000元左右。
東芝存儲(chǔ)憑借在其XG5-P系列中推出的高端型號(hào)增強(qiáng)了其客戶端SSD的陣容。新的NVM Express(NVMe)客戶端固態(tài)硬盤可以改善當(dāng)前XG5系列機(jī)型的性能,并將最大容量提高一倍,達(dá)到2TB。
據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告,今年過(guò)去的第三季度,由于手機(jī)和服務(wù)器供求缺口增大,NANDFlash閃存的整體營(yíng)收增加了14%。
NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過(guò)去10年的儲(chǔ)存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)消除了DRAM與儲(chǔ)存硬碟間的差異,勢(shì)必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel
2017年P(guān)C硬件主旋律就是一個(gè)關(guān)鍵詞:漲價(jià)。CPU、顯卡、內(nèi)存通通漲價(jià),而從2016年領(lǐng)漲的SSD價(jià)格卻逐漸回落正常,一眾SSD廠商大呼現(xiàn)在的行情下SSD不賺錢,幾乎是虧本賣,這又是怎么回事呢?晶圓價(jià)格也在上漲首先我們開
2017年 10 月 29 日- 11月1日,第十六屆中國(guó)國(guó)際社會(huì)公共安全博覽會(huì)在深圳如期隆重舉辦。聯(lián)蕓科技作為國(guó)內(nèi)最為成熟的國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤主控芯片及SSD固態(tài)硬盤全解決方案提供商,連續(xù)兩屆亮相中國(guó)國(guó)際社會(huì)公共安全博覽會(huì)。
今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
AMD此前曾表示,會(huì)在9月25日發(fā)布新版驅(qū)動(dòng)程序,支持ThreadRipper/X399高端平臺(tái)上的NVMe RAID陣列引導(dǎo)啟動(dòng)功能,包括RAID 0/1/10三種模式,最多可容納10塊硬盤。
最近一段時(shí)間,全球各地內(nèi)存價(jià)格一路飆升,已經(jīng)創(chuàng)下了幾十年來(lái)的新高,但是存儲(chǔ)行業(yè)的另一個(gè)關(guān)鍵,SSD固態(tài)硬盤,行情卻開始收緊。
如今的機(jī)械硬盤容量提升真是困難,10+TB依然都是稀罕物,這么弄下去被SSD固態(tài)硬盤全面甩開只是個(gè)時(shí)間問(wèn)題。即便是發(fā)布了大容量新品,上市速度也是奇慢無(wú)比,價(jià)格又是奇高無(wú)比。
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技內(nèi)存儲(chǔ)存研究DRAMeXchange指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3~10%的季增水平。
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型,通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限,給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù),垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度。基于該技術(shù),可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量,進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節(jié)約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。
繼三星舊金山閃存峰會(huì)上宣布,推出新V-NAND單晶粒,容量1Tb后,不少同行科技人員表示,這不過(guò)是三星的QLC閃存,只不過(guò)換了說(shuō)辭,它比TLC的存儲(chǔ)密度更大,但相應(yīng)的犧牲壽命和讀寫。
據(jù)外媒消息,三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級(jí),9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,預(yù)計(jì)明年問(wèn)世。三星宣稱,這一技術(shù)是過(guò)去 10 年來(lái)存儲(chǔ)器的最大進(jìn)展之一,本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤)上,計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
做SSD比較厲害的廠商都有誰(shuí),英特爾恐怕要數(shù)其中的佼佼者。英特爾的SSD產(chǎn)品主要集中在企業(yè)級(jí),足見其產(chǎn)品性能優(yōu)異和可靠安全。如今,英特爾再次公布了SSD新產(chǎn)品,最大的改變恐怕是在外觀形態(tài)上已經(jīng)脫離了傳統(tǒng)SATA3或
東芝對(duì)于64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛(ài)的太深,產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆:主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后,又把它帶到了企業(yè)級(jí)領(lǐng)域,這在全球也是第一次。新硬盤有兩個(gè)系列,均為2.5寸規(guī)格,其中“PM5”最大容量達(dá)驚人的30.72TB(最小400GB),采用SAS 12Gbps接口,并業(yè)界首創(chuàng)MultiLink SAS架構(gòu),性能異常彪悍:持續(xù)讀寫可以高達(dá)3350MB/s、2720MB/s,隨機(jī)讀取也能達(dá)到400000 IOPS,絲毫不遜色于PCI-E SSD。
東芝的64層堆疊3D閃存技術(shù)正在迅速實(shí)用化,繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA之后,東芝又發(fā)布了第三款基于新閃存的SSD,也是第三代BGA單芯片封裝SSD,命名為“BG3”系列。東芝BG系列BGA SSD誕生于201
據(jù)報(bào)道,矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長(zhǎng),本季受到非蘋智能手機(jī)陣營(yíng)下單偏向保守,以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑,不過(guò)今年第四季可望因?yàn)楦黜?xiàng)產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨,全年合并營(yíng)收將沖上年成長(zhǎng)2成的高水平表現(xiàn)。
據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年至今,SSD/內(nèi)存的價(jià)格就坐上了火箭,而且一點(diǎn)降價(jià)的跡象都沒(méi)有,反而是SSD廠商不斷傳出不利因素,致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過(guò)現(xiàn)在總算有好消息了,首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存,還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價(jià),讓三星今年大賺特賺,當(dāng)然他們?cè)谛录夹g(shù)上的投入也沒(méi)有手軟,今天官方公布的消息顯示,三星將在韓國(guó)投資186.3億美元,以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。之前我們?cè)鴪?bào)道了三