近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所石墨烯單晶晶圓研究取得新進展。

信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊首次在較低溫度（750℃）條件下采用化學氣相沉積外延成功制備6英寸無褶皺高質(zhì)量石墨烯單晶晶圓。

上海微系統(tǒng)所研究團隊采用藍寶石作為襯底成功制備出具有更強催化能力的銅鎳單晶薄膜，成功將外延生長石墨烯單晶的生長溫度從1000℃ 成功降低到750℃，其制備的6英寸石墨烯單晶薄膜無褶皺，無顆粒污染，電學性能可以與高溫條件下得到的石墨烯相媲美。

單晶石墨烯晶圓的批量化制備是石墨烯在電子學領域規(guī)模化應用的前提，低溫外延制備晶圓級石墨烯單晶對于推動石墨烯在電子學領域的應用具有重要意義。