由于被美國(guó)商務(wù)部制裁，華為的供應(yīng)鏈面臨斷供的風(fēng)險(xiǎn)，特別是美國(guó)公司的芯片及軟件，除了CPU、射頻、網(wǎng)絡(luò)芯片之外，華為的閃存芯片也會(huì)受到壓力，智能手機(jī)、服務(wù)器、基站等產(chǎn)品中都會(huì)用到大量NAND閃存。

目前全球的NAND閃存主要掌握在三星、東芝、西數(shù)、SK Hynix、美光、Intel等六家公司中，其中美光、Intel、西數(shù)是美國(guó)公司，但他們的NAND閃存在全球占比相對(duì)較小，主要閃存供應(yīng)還是三星、東芝、SK Hynix，此前東芝公司也否認(rèn)對(duì)華為斷供，韓國(guó)公司斷供可能性也不大，所以華為NAND閃存供應(yīng)暫時(shí)沒(méi)有風(fēng)險(xiǎn)。

但是為了應(yīng)對(duì)極端情況，華為也在準(zhǔn)備國(guó)產(chǎn)閃存的備胎計(jì)劃，消息稱華為已經(jīng)要求國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)提前量產(chǎn)64層堆棧的3D TLC閃存，以備不時(shí)之需，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前尚未證實(shí)或者否認(rèn)此事。

在NAND閃存領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)投入力量最大的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，2016年在武漢斥資240億美元建設(shè)國(guó)產(chǎn)NAND存儲(chǔ)芯片基地，去年已經(jīng)開始少量生產(chǎn)32層堆棧的3D閃存，預(yù)計(jì)今年底投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng)，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。

由于華為事件爆發(fā)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存量產(chǎn)計(jì)劃可能會(huì)提前，這對(duì)國(guó)內(nèi)公司來(lái)說(shuō)也是一次機(jī)遇。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前的消息，64層堆棧是今明兩年生產(chǎn)的主力，再下一代則會(huì)直接進(jìn)入128層堆棧，跳過(guò)了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計(jì)在2020年才會(huì)推出128層堆棧的閃存。

在閃存技術(shù)方面，去年長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了Xtacking結(jié)構(gòu)的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。今年8月份將會(huì)推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會(huì)不斷進(jìn)化中。