北京清芯華創(chuàng)投資公司投委會主席陳大同博士日前在報告中談到了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與世界一流水平的差距，其中封裝方面差距最小，最快5年追上，半導(dǎo)體制造上則需要10-15年，這部分也是國產(chǎn)最弱的一部分了。

在半導(dǎo)體制造方面，國內(nèi)工藝最先進的主要是SMIC中芯國際，28nm已經(jīng)量產(chǎn)，14nm今年下半年量產(chǎn)。其次就是上海華虹集團，該公司建設(shè)了多個半導(dǎo)體制造項目，其中華虹六廠將在明年量產(chǎn)14nm工藝。

根據(jù)資料，2018年4月3日，華虹集團宣布位于無錫的華虹半導(dǎo)體七廠開工。據(jù)了解，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

華虹無錫基地項目將分期建設(shè)數(shù)條12英寸集成電路生產(chǎn)線。首期項目實施后，將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設(shè)。

華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司一期工程計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機電設(shè)備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)，預(yù)計年產(chǎn)值將達50億元。

經(jīng)過一年的建設(shè)，華虹方面此前宣布無錫的華虹七廠將在2季度搬入機臺設(shè)備，預(yù)計4季度正式開始量產(chǎn)12英寸晶圓，華虹旗下的研發(fā)、工程及銷售團隊正在為此做準備。

日前華虹無錫項目進入了新階段，6月6日舉行了2英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目首批光刻機搬入儀式，此舉標志著華虹七廠建設(shè)上了一個新臺階，為9月建成投片奠定了堅實基礎(chǔ)。

上午9:30，光刻機搬入儀式正式開始。華虹宏力黨委書記、總裁、華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司總經(jīng)理唐均君主持儀式，總包聯(lián)合體十一科技黨委書記、董事長趙振元，上海建工集團黨委副書記、總裁卞家駿，以及設(shè)備供應(yīng)商代表阿斯麥公司（ASML）全球資深副總裁Bert Savonije分別發(fā)言。