2018年NAND閃存價格由漲轉跌，NAND閃存價格至少跌了50%，主要原因是64層3D NAND閃存堆棧產能大幅增加，市場供應大增，今年底三星、東芝等公司又推出了96層堆棧的3D NAND閃存，2019年將是量產的主力。

國內的長江存儲今年量產了32層堆棧的3D NAND閃存，不過真正規(guī)模量產的還是明年的64層堆棧3D NAND閃存。為了盡快縮短與國外廠商的差距，長江存儲在2020年將跳過96層堆棧的3D閃存，直接量產128層堆棧的3D閃存。

NAND閃存從2D進入3D時代之后，堆棧層數成了提高容量、降低成本的一個重要指標，三星、東芝、美光、SK Hynix、英特爾等公司已經先后量產了24/32層、64/72層及96層堆棧的3D NAND閃存，其中96層堆棧的3D閃存是今年推出的，2019年會是幾家NAND大廠的量產主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb級別。

相比這些公司，主力搞3D閃存的長江存儲今年生產的還是32層堆棧的，核心容量僅為64Gb，月產能大概是6000片晶圓/月，主要用于U盤芯片等低端產品。按照規(guī)劃，長江存儲2019年將會量產64層堆棧的3D閃存，Digitimes報道稱長江存儲CEO楊士寧表示2019年底開始生產64層堆棧的3D NAND閃存，公司的毛利率將從負的轉向正的，量產之后產能可達10萬片晶圓/月。

雖然64層堆棧層數明年還是會落后于三星等大廠，不過長江存儲今年在FMS國際會議推出了3D Xtacking技術，只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技術可以充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢，實現了并行的、模塊化的產品設計及制造，產品開發(fā)時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。

長江存儲對Xtacking技術也很自信，所以楊士寧表示他們的64層3D NAND閃存能夠與現有的96層堆棧3D閃存相競爭。

在此之后，長江存儲在2020年會跳過96層堆棧直接進入128層堆棧的3D NAND時代，那個時候三星等國際公司大概也是剛剛量產128層堆棧的3D閃存，至少技術層面上不會再落后太多了。

對于國內的存儲芯片公司來說，即便技術差距縮短了，如何在這個市場中活下來依然是長期的難點，產能爬坡、良率等問題對沒有多少經驗的國內存儲公司來說還需要很多時間才能解決，更別說制造出有競爭力、能賺錢的NAND芯片了。