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[導(dǎo)讀]關(guān)于三星內(nèi)存工廠設(shè)備污染一事,更多的細(xì)節(jié)浮出水面。 時(shí)間節(jié)點(diǎn)目前有兩種說法,上上周和數(shù)周前,地點(diǎn)據(jù)韓媒披露位于三星器興(Giheung)工廠,事發(fā)原因是8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備受到污染。 三星發(fā)言人已經(jīng)對(duì)外

關(guān)于三星內(nèi)存工廠設(shè)備污染一事,更多的細(xì)節(jié)浮出水面。

時(shí)間節(jié)點(diǎn)目前有兩種說法,上上周和數(shù)周前,地點(diǎn)據(jù)韓媒披露位于三星器興(Giheung)工廠,事發(fā)原因是8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備受到污染。

三星發(fā)言人已經(jīng)對(duì)外確認(rèn)傳言為真,但強(qiáng)調(diào)目前生產(chǎn)狀況正常,此次意外的損失預(yù)計(jì)在10億韓元左右(約合601萬元人民幣)。

不過,一些專家稱,三星的實(shí)際損失遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于這個(gè)數(shù)字,而且官方并未統(tǒng)計(jì)出來。

事實(shí)上,今年初,三星的第一代1x nm內(nèi)存也被在工廠階段查出質(zhì)量問題。

外界一方面擔(dān)心三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù),另外猜測(cè)此次意外會(huì)否干擾到內(nèi)存的價(jià)格走向。

資料補(bǔ)充:器興廠是三星的功勛DRAM工廠,當(dāng)年三星圣克拉拉團(tuán)隊(duì)逆向工程(參考美光)設(shè)計(jì)的256Kb DRAM就是在這里投產(chǎn),采用2微米工藝,奠定了代際突破的基調(diào),使得三星在1993年成為全球最大存儲(chǔ)器芯片廠商。

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