據(jù)集邦咨詢半導體研究中心最新調(diào)查，隨著近一個月來DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)走揚，加上2019年12月31號三星華城廠區(qū)發(fā)生跳電，雖然整體內(nèi)存的供給并沒有因此事件受到重大影響，但觀察到各產(chǎn)品類別買方備貨意愿進一步增強。

因此，集邦咨詢再次修正2020年第一季度DRAM合約價格預測，由原先的“大致持平”調(diào)整為“小漲”，價格正式提前翻轉(zhuǎn)向上。

標準型內(nèi)存方面，雖然第一季的價格仍在議定中，但集邦咨詢預估持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿(mào)易關(guān)系的不確定性下，大部分銷往美國的筆電都趕在2019年第四季度出貨，導致2020年第一季度的出貨較為疲弱。

但考慮到今年DRAM的供給單位增長幅度僅不到13%，加上三星跳電事件的影響，PC OEM廠已做好DRAM即將漲價的可能性準備，當前都以建立更佳的庫存水位為目標，因此在采購上愿意接受持平或更高的模組合約價格；若原廠能夠在第一季度增加供貨量，買方甚至愿意接受更高的價格，以確保安全的庫存水位。

而移動設(shè)備用內(nèi)存方面，雖然第一季度智能手機市場在5G的帶動下需求有所增長，但由于5G芯片初期供應(yīng)數(shù)量有限，加上傳統(tǒng)淡季影響，拉貨動能依舊偏弱，因此之前，集邦咨詢預計移動設(shè)備用內(nèi)存Discrete/eMCP價格將較前一季度下跌0-5%。

但自去年12月中開始，除了服務(wù)器內(nèi)存與圖形處理內(nèi)存需求增溫，帶動整體價格走勢提前反轉(zhuǎn)之外，NAND Flash的供應(yīng)告急同樣對eMCP的價格有所激勵，因此集邦咨詢此次將移動設(shè)備用內(nèi)存的價格預估由“小跌”調(diào)整為“大致持平”。

至于利基型內(nèi)存，由于三星華城廠區(qū)Line 13的DRAM生產(chǎn)重心主要為20/25nm的利基型內(nèi)存產(chǎn)品，加上受到現(xiàn)貨市場價格上揚的影響最為直接，使得利基型內(nèi)存價格將提早反彈。

目前來看，集邦咨詢估計，第一季DDR3和DDR4的價格預估將較前一季度上漲0-5%。