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華為和小米達成全球專利交叉許可協(xié)議
業(yè)內最新消息，昨天華為公司和小米公司聯(lián)合宣布雙方達成全球專利交叉許可協(xié)議，該協(xié)議覆蓋了包括 5G 在內的通信技術。
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工信部發(fā)布電動汽車直流充電新國標
業(yè)內消息，近日由工業(yè)和信息化部提出、全國汽車標準化技術委員會歸口的 GB / T 20234.1-2023《電動汽車傳導充電用連接裝置 第 1 部分：通用要求》和 GB / T 20234.3-2023《電動汽車傳導充電用連接裝置 第 3 部分：直流充電接口》兩項推薦性國家標準正式發(fā)布。
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網傳華為在富士康代工時工工價超蘋果
昨天蘋果發(fā)布了 iPhone 15/Pro 系列新機，華為也憑借 Mate 60 系列新機重回智能手機市場，昔日對手將重新迎來競爭。根據第一財經的報道，深圳龍華富士康招聘派遣工的中介表示主要做華為等手機產品的部門小時工工價已超過做蘋果手機的部門。
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新國標GB 17625.1-2022解讀—瑞森半導體全壓方案推薦
瑞森半導體50W全壓方案，全負載范圍內
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臺積電董事會核準以不超 1 億美元認購 Arm 股份
業(yè)內消息，昨天臺積電官方召開臨時董事會通過了幾項重要決議，其中包括核準以不超 1 億美元認購 Arm 股份。
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蘋果召開秋季新品發(fā)布會，推出 iphone 15 等新品
業(yè)內最新消息，今天凌晨蘋果召開了今年的秋季發(fā)布會，會上推出了 iPhone 15 系列新機、Apple Watch Series 9 系列手表及 Apple Watch Ultra 2 等多款新品。
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華為發(fā)布新款 AITO 問界 M7
業(yè)內最新消息，昨天華為官方發(fā)布了新款 AITO 問界 M7 大五座 SUV，發(fā)布當日即交付。
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曝小米 14 系列新機將發(fā)布，或搭驍龍 8 Gen 3 處理器
業(yè)內消息，近日數(shù)碼博主數(shù)碼閑聊站表示，根據目前各家新機排期的情況，糧廠首發(fā)驍龍 8 Gen 3 的概率極大，根據小米的產品規(guī)劃，預計即將發(fā)布的小米 14 系列新機將搭載第三代驍龍 8 處理器。
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聯(lián)發(fā)科回應天璣 9300 芯片過熱：毫無根據
業(yè)內消息，今天聯(lián)發(fā)科官方發(fā)布公告回應之前有媒體報道最新天璣 9300 芯片的過熱問題，聯(lián)發(fā)科表示該內容錯誤毫無根據，測評的媒體也并未與聯(lián)發(fā)科求證相關技術問題，并要求撤下該文并刊登更正。
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曝 Arm 在美 IPO 獲得 10 倍超額認購
據知情人士透露，軟銀旗下的英國芯片設計公司 Arm 在美國首次公開募股(IPO)已經獲得 10 倍的超額認購，投行計劃在當?shù)貢r間周二下午之前停止接受認購。
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聯(lián)發(fā)科發(fā)布天璣 7200-Ultra，紅米 Note 13 系列首搭
業(yè)內消息，昨天聯(lián)發(fā)科正式宣布推出天璣 7200-Ultra 移動芯片，該芯片采用臺積電第二代 4nm 制程，八核 CPU 架構，包含 2 個主頻為 2.8GHz 的 Arm Cortex-A715 核心和 6 個 Cortex-A510 核心，即將發(fā)布的紅米 Note 13 系列將首搭該處理器。
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蘋果高通續(xù)約三年：為 iPhone 提供5G 基帶到 2026
業(yè)內消息，昨天美國芯片巨頭高通公司發(fā)布公告宣布和蘋果公司達成續(xù)約協(xié)議，繼續(xù)向 iPhone 系列智能手機供應驍龍 5G 基帶(調制解調器射頻系統(tǒng))三年，也就是說雙方于今年到期的合約將再度延長至 2026 年。
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李小龍回應在飛機上用華為 Mate 60 Pro 打衛(wèi)星電話
業(yè)內消息，隨著華為 Mate 60 Pro 系列新機掀起熱潮，昨天華為終端 BG CTO 李小龍在社交媒體平臺表示，最近有一些用戶使用 Mate 60 Pro 的衛(wèi)星電話功能在民航飛機飛行階段通話并錄制視頻傳播，這是違反相關飛行安全規(guī)定的。請各位用戶切記在飛機飛行階段一定要開啟飛行模式，遵守各項飛行安全法規(guī)。
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美國內華達州發(fā)現(xiàn)千萬噸“全球最大”鋰礦
據業(yè)內消息，前不久《Science Advances》期刊上的一篇論文顯示，科研專家 Thomas·Benson、Matthew·Coble 以及 John·Dilles 在美國內華達州和俄勒岡州邊界附近的一座死火山內發(fā)現(xiàn)蘊藏了數(shù)千萬噸鋰礦。
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北大研究團隊突破 90nm 碳納米晶體管
業(yè)內消息，上周北京大學彭練矛院士/張志勇教授團隊研究出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管，該技術可使碳納米晶體管工藝高度集成，并在該基礎上探索將碳基晶體管進一步縮減到 10nm 節(jié)點的可能性。
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