NAND Flash存儲器是一種非易失性存儲器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等。它的高性能、高存儲密度和低功耗使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。本文將詳細介紹NAND Flash存儲器的工作原理及其應(yīng)用。
字符串是C語言中最基礎(chǔ)的概念,也是最常被用到的。在嵌入式開發(fā)中,我們經(jīng)常要將一些字符串通過串口顯示到串口助手或調(diào)試終端上,作為信息提示,以便讓我們了解程序的運行情況;或者是將一些常量的值轉(zhuǎn)為字符串,來顯示到液晶等顯示設(shè)備上。
中斷機制在單片機及嵌入式系統(tǒng)中是重中之重,我們必須深入理解。首先我們要明白一點:CPU執(zhí)行指令代碼,并非一直順序地逐條執(zhí)行,而是可能突然跳到某段代碼上去的。因為這段代碼的優(yōu)先級更高,或者說它更加緊迫,CPU必須暫時放下手上的的工作,立即去執(zhí)行它,否則就可能導(dǎo)致不良的后果,甚至是嚴重的事故。這個“突然跳轉(zhuǎn)”有時是可以人為預(yù)見的,或者是設(shè)計人員故意使然,但有些時候卻是隨機的,無法事先斷定它發(fā)生的具體時間。這就是“中斷”最為通俗的表述,如圖1.22所示。
將“二進制”單獨拿出來作為一節(jié)來講,是因為它是一個極為基礎(chǔ)的概念。但是很多人對二進制并沒有形象的認識,甚至有一些已經(jīng)入門、稍有開發(fā)經(jīng)驗的人對它的理解仍然比較模糊。所以振南認為有必要將它以一種更為形象、通俗而又深刻的方式著重來進行闡述,以便給我們以后的學(xué)習打下堅實的基礎(chǔ)。
通用MCU的成功與否,產(chǎn)品本身PPA固然重要,但除此外很大程度上取決于開發(fā)生態(tài)。生態(tài)的繁榮可以讓其中的每一位參與者受益,當然也會反哺到MCU產(chǎn)品本身,影響到新的產(chǎn)品定義和走向。
好,有了CPU、存儲器、總線以及外設(shè),我們把它們有機地組合封裝在一起,再把各個外設(shè)、總線的信號,以及供電和地通過引腳引出來,這就是一片完整的單片機芯片。等等,要讓單片機跑起來似乎還少了些什么?對,還有時鐘!
激光雷達是一種利用激光技術(shù)進行測量的設(shè)備,其在不同的用途下有不同的類型和特點。下面我將介紹幾種常見的激光雷達類型及其特點。
我們已經(jīng)知道了CPU如何通過總線進行存儲器的讀寫,也知道地址總線的寬度決定了CPU的尋址空間,數(shù)據(jù)總線的寬度則決定了CPU的位數(shù)(單次能夠讀寫的數(shù)據(jù)量),而控制總線在一定程度上影響了訪存的速度(WR與RD為0的時間越短,訪存速度越快,當然也要存儲器速度跟得上才行)。有了CPU和存儲器,以及連接它們的總線,這就足以構(gòu)成一個完整的、可正常運行的計算機系統(tǒng)。
激光雷達(Lidar)是一種通過使用激光器和接收器測量出物體距離和位置的技術(shù)。它利用光的特性,以激光束的形式向周圍發(fā)射光,然后通過接收器接收反射回來的光,并通過測量光的傳播時間來計算出光的傳播距離。激光雷達具有高精度、高分辨率和高速度的優(yōu)點,因此在許多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
雙向可控硅是一種重要的半導(dǎo)體器件,可以在交流電路上控制雙向?qū)ê完P(guān)斷。是一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
Flash存儲器是一種非易失性存儲設(shè)備,常用于嵌入式設(shè)備、移動設(shè)備和計算機存儲系統(tǒng)中。它具有高速讀寫、低功耗、機械抗振動和可靠性好等優(yōu)點,因此在現(xiàn)代科技應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。本文將詳細介紹Flash存儲器的在線編程與數(shù)據(jù)寫入的過程。
隨著信息時代的快速發(fā)展,存儲器技術(shù)也不斷進步。其中,F(xiàn)lash存儲器作為一種重要的存儲介質(zhì)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。本文將為您詳細介紹Flash存儲器的應(yīng)用原理以及其常見的類型。
移位寄存器是計算機中一種重要的數(shù)字電路,它具有廣泛的應(yīng)用。下面我將為您詳細介紹移位寄存器的定義、功能和應(yīng)用。
存儲器是計算機中的重要組成部分,用于存儲和讀取數(shù)據(jù)。計算機中常見的存儲器可以分為三大類:靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和閃存。本文將對這三大類常見存儲器的性能與應(yīng)用進行分析,探討它們的不同之處。
基于FIFO(First-In, First-Out)存儲器的應(yīng)用電路設(shè)計是一種重要的設(shè)計技術(shù),在許多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。FIFO存儲器可以有效地處理數(shù)據(jù)流,并保持數(shù)據(jù)的順序發(fā)生,對于需要按照時間順序進行數(shù)據(jù)存儲和讀取的應(yīng)用場景非常有用。本文將介紹FIFO存儲器的基本原理和應(yīng)用電路設(shè)計的關(guān)鍵要點。