1、中芯國(guó)際與美國(guó)高通公司合作推進(jìn)中國(guó)28納米晶圓制造

2014年7月，國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際與美國(guó)高通公司共同宣布，中芯國(guó)際將與美國(guó)高通公司的子公司(美國(guó)高通技術(shù)公司)在28納米工藝制程和晶圓制造服務(wù)方面緊密合作，在中國(guó)制造高通驍龍?zhí)幚砥?。美?guó)高通技術(shù)公司是全球最大的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體供應(yīng)商之一和全球3G、4G及下一代無(wú)線技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，其驍龍?zhí)幚砥鲗橐苿?dòng)終端而設(shè)計(jì)。該合作將會(huì)提升中芯國(guó)際28納米制程的成熟度及產(chǎn)能，也使其成為中國(guó)本土率先為美國(guó)高通技術(shù)公司部分最新的驍龍?zhí)幚砥魈峁?8納米多晶硅和28納米高介電常數(shù)金屬閘極工藝制程產(chǎn)品的半導(dǎo)體代工企業(yè)之一。

21ic編輯視點(diǎn)：高通與中芯國(guó)際的合作，一方面暗示高通正計(jì)劃為未來(lái)需求提高產(chǎn)能。高通是臺(tái)積電的主要客戶，2012年臺(tái)積電28納米生產(chǎn)技術(shù)慢于預(yù)期，影響了對(duì)包括高通和英偉達(dá)在內(nèi)客戶的芯片供應(yīng)。另一方面，高通此舉亦可緩和改善與中國(guó)政府的關(guān)系。中國(guó)反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)指責(zé)高通收費(fèi)過(guò)高，并濫用其市場(chǎng)地位，高通可能將面臨逾10億美元的罰款。最后，高通的技術(shù)援助或許能重振中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)。

2、NI與Nokia合作進(jìn)行新一代5G系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

美商國(guó)家儀器(NI)宣布將與諾基亞(Nokia)的網(wǎng)路事業(yè)合作，攜手研究進(jìn)階的5G無(wú)線技術(shù)，其中包含10Gbit/s以上的峰值資料速率，和100Mbit/s以上的基地臺(tái)邊緣速率。Nokia研究與技術(shù)副總Lauri Oksanen表示，Nokia實(shí)驗(yàn)性質(zhì)的5G概念驗(yàn)證系統(tǒng)，采用了NI的LabVIEW和PXI基頻模組，這是目前最先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)之一，有助于快速制作5G無(wú)線介面原型。Nokia采用NI的整合式硬體和軟體基頻平臺(tái)，希望能藉此加快研究速度，盡快證明高頻率毫米波能否做為5G無(wú)線電存取技術(shù)。

21ic編輯視點(diǎn)：5G技術(shù)，無(wú)線容量將比2010年高出1000倍，提供服務(wù)所需能源將節(jié)約90%，平均服務(wù)創(chuàng)建周期將從90小時(shí)縮小到90分鐘，擁有為70億人服務(wù)的能力。歐盟早在兩年前就已經(jīng)開(kāi)始了5G技術(shù)的研究項(xiàng)目。最近，5G似乎逐漸進(jìn)入人們的視野。不論華為中興，國(guó)內(nèi)外的電信供應(yīng)商們都熱衷于5G技術(shù)的研發(fā)。

3、NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代

不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開(kāi)10納米時(shí)代，DRAM卻無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問(wèn)題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)單價(jià)，導(dǎo)致存儲(chǔ)器業(yè)者態(tài)度并不積極。日前業(yè)界傳出消息，指出DRAM制程短期內(nèi)恐停滯在20納米的可能性很高。由25納米轉(zhuǎn)進(jìn)20納米時(shí)，追加設(shè)備投資的負(fù)擔(dān)不大，但10納米代的制程建設(shè)，沒(méi)有追加相當(dāng)?shù)念A(yù)算無(wú)法完成。

21ic編輯視點(diǎn)：由于三星、SK海力士等領(lǐng)先企業(yè)優(yōu)先投資系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash制程轉(zhuǎn)換，NAND Flash已經(jīng)進(jìn)入10納米時(shí)代。系統(tǒng)半導(dǎo)體與NAND Flash技術(shù)的快速進(jìn)展，也影響業(yè)者的策略。 NAND Flash進(jìn)入16納米制程已近在眼前，系統(tǒng)半導(dǎo)體也受益于鰭式場(chǎng)效晶體管技術(shù)，讓14~16納米先進(jìn)制程得以應(yīng)用。

4、愛(ài)立信“歸來(lái)”：PK高通聯(lián)發(fā)科勝算幾何?

在近日召開(kāi)的亞洲移動(dòng)通信博覽會(huì)上，愛(ài)立信借中國(guó)移動(dòng)展臺(tái)展出了五模LTE芯片M7450。愛(ài)立信此次推出的屬于modem芯片，同時(shí)支持載波聚合、VoLTE和IMS。modem市場(chǎng)的玩家基本就高通、海思、聯(lián)發(fā)科和三星等，而三星只在本國(guó)銷售的產(chǎn)品上使用自己的modem芯片，即便強(qiáng)大如英特爾在收購(gòu)英飛凌后至今也未推出成熟的方案。但是愛(ài)立信的壓力也不小。例如在modem領(lǐng)域，高通和海思也推出了五模多頻modem芯片，而愛(ài)立信的芯片還不支持多載波聚合的Cat6，在性能上略低一籌。此外，愛(ài)立信此次推出的是獨(dú)立的modem方案，而能夠采用modem芯片和AP獨(dú)立方案的通常只有高端手機(jī)，這限制了愛(ài)立信芯片的目標(biāo)市場(chǎng)范圍。

21ic編輯視點(diǎn)：愛(ài)立信的這一舉措出乎人們意料，因?yàn)?012年索尼愛(ài)立信的解體，標(biāo)志著愛(ài)立信已從終端領(lǐng)域全身而退;而一年之前意法半導(dǎo)體的關(guān)閉，畫(huà)外音就是愛(ài)立信的手機(jī)芯片并不成功。之后，愛(ài)立信在終端芯片領(lǐng)域幾乎銷聲匿跡。此次愛(ài)立信借M7450殺了個(gè)回馬槍，面對(duì)激烈的競(jìng)爭(zhēng)，愛(ài)立信能否左右突擊，殺出重圍，目前來(lái)看還存在諸多變數(shù)。

5、物聯(lián)網(wǎng)安全漏洞LED燈泡被入侵

英國(guó)資安研究公司ContextInformationSecurity發(fā)布聲明警告所有物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)公司表示，由LIFX公司所生產(chǎn)，支持無(wú)線連網(wǎng)的LED燈泡存在著安全風(fēng)險(xiǎn)。這些由新創(chuàng)科技公司LIFX生產(chǎn)的LED燈泡，采用802.15.46LoWPAN網(wǎng)絡(luò)，讓燈泡可以在連接Wi-Fi后透過(guò)手機(jī)App連結(jié)進(jìn)行遙控。只要監(jiān)聽(tīng)網(wǎng)絡(luò)封包，即可透過(guò)這些燈泡發(fā)現(xiàn)加密的網(wǎng)絡(luò)設(shè)定訊息。基本上，要了解所使用的加密方式，Context公司必須將兩個(gè)微控系統(tǒng)單元(TI及STM，均為Cortex-M3)與JTAG測(cè)試用連接埠連線，一但連結(jié)上之后，就可以讀取加密演算法、金鑰和無(wú)線網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)協(xié)定。這些資料將讓公司或企業(yè)可以置入網(wǎng)絡(luò)封包，而這些動(dòng)作將不會(huì)被偵測(cè)到。

21ic編輯視點(diǎn)：物聯(lián)網(wǎng)對(duì)終端用戶規(guī)劃了諸多的美好福利，但同時(shí)也呈現(xiàn)出很嚴(yán)肅的安全與數(shù)據(jù)隱私挑戰(zhàn)。很明顯，在這股物聯(lián)網(wǎng)浪潮中，諸多需要網(wǎng)絡(luò)連線的設(shè)備在安全性的要求上并沒(méi)有到達(dá)它們?cè)撚械膬?yōu)先等級(jí)。 有些安全漏洞可能存在于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的根基中。雖然目前看起來(lái)有許多物聯(lián)網(wǎng)公司都存在這樣的問(wèn)題，但相信隨著這些問(wèn)題的一一暴露，物聯(lián)網(wǎng)的安全系數(shù)會(huì)達(dá)到我們的預(yù)期。[!--empirenews.page--]

6、IBM矢志于2020年實(shí)現(xiàn)CNT電晶體

由于國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)要求必須在2019年達(dá)到5nm節(jié)點(diǎn)，因此，IBM公司設(shè)定的目標(biāo)是在2020年以前實(shí)現(xiàn)碳奈米管電晶體(CNT)。IBM最近制作出具有多達(dá)10,000個(gè) CNT 的電路。根據(jù)該設(shè)計(jì)的模擬作業(yè)預(yù)測(cè)，其性能可較矽晶更快5倍。根據(jù)IBM表示，目前還必須克服幾項(xiàng)障礙，才能符合2020年的最后期限，其中最重要的是分離金屬奈米管中的半導(dǎo)體，但這個(gè)問(wèn)題從二十多年前起就一直無(wú)法解決。IBM致力于達(dá)到2020年最后期限的目標(biāo)，但也坦承必須克服所有的主要障礙，才能使計(jì)劃持續(xù)至2020年以后。屆時(shí)，其他如自旋電子學(xué)等目前還不夠成熟的技術(shù)，也可望超越碳奈米管的研究。

21ic編輯視點(diǎn)：時(shí)至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了。為了進(jìn)展到下一個(gè)矽晶世代，除了各種缺陷和摻雜不均的問(wèn)題以外，業(yè)界還面臨著矽電晶體尺寸進(jìn)一步縮小的挑戰(zhàn)。如果IBM或其他廠商能夠?qū)崿F(xiàn)最佳化的1.4nm電晶體通道，那么摩爾定律就能再持續(xù)向前進(jìn)展;否則的話，業(yè)界就得再發(fā)展出一種全新的模式。