1、大突破!國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片打破國(guó)外壟斷

不久前，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。

2013年，陳小龍團(tuán)隊(duì)開始進(jìn)行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作，用了近一年的時(shí)間，團(tuán)隊(duì)研發(fā)的國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅單晶襯底問(wèn)世。測(cè)試證明，國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶體的結(jié)晶質(zhì)量很好，該成果標(biāo)志著物理所碳化硅單晶生長(zhǎng)研發(fā)工作已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可以為高性能碳化硅基電子器件的國(guó)產(chǎn)化提供材料基礎(chǔ)。

“雖然起步有點(diǎn)晚，但通過(guò)10多年的自主研發(fā)，我們與國(guó)外的技術(shù)差距在逐步縮小。”陳小龍說(shuō)。作為國(guó)內(nèi)碳化硅晶片生產(chǎn)制造的先行者，天科合達(dá)打破了國(guó)外壟斷，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，生產(chǎn)的碳化硅晶片不僅技術(shù)成熟，還低于國(guó)際同類產(chǎn)品價(jià)格。

陳小龍指出，當(dāng)前碳化硅主要應(yīng)用于三大領(lǐng)域：高亮度LED、電力電子以及先進(jìn)雷達(dá)，以后還可能走進(jìn)家用市場(chǎng)，這意味著陳小龍團(tuán)隊(duì)的自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化之路還將延續(xù)。

編輯點(diǎn)評(píng)：碳化硅曾長(zhǎng)期被美國(guó)科銳公司壟斷，并且價(jià)格十分昂貴，但仍供不應(yīng)求。高昂的原材料成本占碳化硅半導(dǎo)體器件價(jià)格的10%以上，碳化硅晶片價(jià)格已成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。陳小龍團(tuán)隊(duì)6英寸碳化硅晶片的成功研制，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新征程。

2、傳高通810芯片過(guò)熱 臺(tái)積電產(chǎn)能遭沖擊

市場(chǎng)傳出，韓國(guó)三星的14納米FinFET制程良率近期已有明顯改善，引發(fā)臺(tái)積電大客戶手機(jī)芯片龍頭廠高通(Qualcomm)在臺(tái)積電試產(chǎn)16納米FinFET制程喊卡，加上高通高端S810芯片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題，3月上市時(shí)間延宕，市場(chǎng)預(yù)期將沖擊臺(tái)積電南科廠先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率與整體營(yíng)運(yùn)。

去年7月中旬，臺(tái)積電因先量產(chǎn)20納米制程，16納米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星晚，導(dǎo)致大客戶高通轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn)，臺(tái)積電也坦承今年在此一制程市占率會(huì)較低，預(yù)期隨著今年下半年產(chǎn)能開出后，明年將搶回市占率。

不過(guò)，市場(chǎng)傳出，韓國(guó)三星的14納米FinFET制程良率近期明顯改善，加上價(jià)格策略搶單搶得兇，吸引高通全面轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn)，原在臺(tái)積電試產(chǎn)16納米FinFET制程則喊卡;高通高端S810芯片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題，3月上市時(shí)間延宕，蘋果iPhone 6拉貨旺季又已過(guò)，臺(tái)積電先進(jìn)制程主力廠南科14廠產(chǎn)能利用率恐受沖擊，傳出決定先行暫時(shí)停產(chǎn)20納米2成產(chǎn)能，這可能影響臺(tái)積電第一季營(yíng)運(yùn)下滑幅度比預(yù)期高。

編輯點(diǎn)評(píng)：臺(tái)積電產(chǎn)能問(wèn)題在業(yè)界一直遭詬病，加上臺(tái)積電有蘋果大單，此消彼長(zhǎng)其他產(chǎn)能就......另外，業(yè)界14納米日漸成熟，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)必然日趨激烈。

3、USB 3.1正反隨便插速度很彪悍?其實(shí)好脆弱

USB3.1接口無(wú)疑是本屆CES上的一個(gè)亮點(diǎn)技術(shù)，新增加的Type-C型接口更是因?yàn)椴粎^(qū)分正反面而廣為看好。我們通過(guò)微星的兩個(gè)展示平臺(tái)，仔細(xì)分析新接口。

首先Type-C只是伴隨著USB3.1標(biāo)準(zhǔn)而來(lái)的一個(gè)可選接口類型，并不是說(shuō)USB3.1接口就一定是Type-C，Type-C也不一定都是USB3.1，事實(shí)上接口標(biāo)準(zhǔn)版本、類型是可以隨便混搭的：USB3.1Type-C、USB3.1Type-A、USB3.0/2.0Type-C、USB3.0/2.0Type-A這些都是可以的，就看廠商需要什么了。

關(guān)于這個(gè)Type-C，隨便插拔看起來(lái)很美，但大家似乎都忘了還有個(gè)壽命問(wèn)題。理論上，這種接口可以經(jīng)受10萬(wàn)次插拔，工藝控制得當(dāng)還可以更多，但最大的弱點(diǎn)是公口、母口所用的金屬接片的末尾。

Type-C接口體積小巧，不像Type-A那樣周圍有著充分的保護(hù)，因此在反復(fù)插拔中如果數(shù)據(jù)線彎來(lái)彎去，很容易導(dǎo)致主板或者數(shù)據(jù)線某一端的接口出現(xiàn)變形、損壞。

編輯點(diǎn)評(píng)：我們都知道USB3.1是一種新型USB接口，正反兩面均能使用，最高通訊速率可以達(dá)到10Gbps，是目前USB 3.0接口速率的2倍。不過(guò)，可能大家都忽略了上面這個(gè)問(wèn)題，這是接口本身的不足，估計(jì)廠商也不會(huì)在意，以后說(shuō)不定是個(gè)麻煩。

4、谷歌對(duì)舊版安卓漏洞甩手不管

據(jù)美國(guó)科技新聞網(wǎng)站ZDNET報(bào)道，最近有安全人士爆料，谷歌曾公開表示，對(duì)于安卓4.4之前系統(tǒng)中的一個(gè)組件漏洞，不再負(fù)責(zé)，希望民間高手能夠自行開發(fā)補(bǔ)丁。據(jù)安全專家TodBeardsley爆料，去年十月份，谷歌官方收到了一個(gè)安全漏洞報(bào)告，有人發(fā)現(xiàn)在安卓4.3版本中，WebView組件中存在漏洞，威脅系統(tǒng)安全。按照統(tǒng)計(jì)，這一漏洞將影響到全球9.3億人的安卓用戶。然而谷歌的反應(yīng)令外界吃驚，谷歌工作人員表示，目前無(wú)暇顧及，請(qǐng)外界自行開發(fā)補(bǔ)丁解決問(wèn)題。據(jù)報(bào)道，谷歌方面表示，因?yàn)槭苡绊懙陌沧肯到y(tǒng)早于4.4版本，因此谷歌團(tuán)隊(duì)一般不會(huì)再自行開發(fā)補(bǔ)丁，“但是歡迎外界開發(fā)的補(bǔ)丁”。

目前還不清楚谷歌這樣置之不理的政策，是針對(duì)WebView這一安卓系統(tǒng)組件，還是涉及整個(gè)安卓4.4之前的系統(tǒng)。按照谷歌的解釋，如果安全業(yè)界未來(lái)發(fā)現(xiàn)相關(guān)漏洞時(shí)，如果提交了補(bǔ)丁程序，谷歌將會(huì)把補(bǔ)丁整合到開源的安卓系統(tǒng)代碼中。

眾所周知的是，安卓最大特色是碎片化，全球用戶運(yùn)行著花樣繁多的安卓版本。根據(jù)谷歌官方統(tǒng)計(jì)，46%的安卓用戶運(yùn)行安卓4.3，該版本排名第一，安卓4.4占到了39.1%，排名第二。其余的用戶，則分布在安卓2.3，安卓4.0，安卓2.2等舊版本。

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編輯點(diǎn)評(píng)：極度碎片化的安卓生態(tài)，不僅讓第三方軟件開發(fā)者頭疼，也讓谷歌官方難以駕馭。‍

5、研究人員開發(fā)出一種三維成型技術(shù) 可制備微納米半導(dǎo)體器件

據(jù)新華社華盛頓1月11日電 見過(guò)一打開便有小房子或城堡立起來(lái)的那種立體書吧。受這種兒童玩具書的啟發(fā)，中國(guó)、美國(guó)、韓國(guó)研究人員開發(fā)出一種特別簡(jiǎn)單的“彈出式”三維成型技術(shù)，可制備現(xiàn)有3D打印技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的微納米半導(dǎo)體器件。這項(xiàng)成果發(fā)表在新一期美國(guó)《科學(xué)》雜志上。研究負(fù)責(zé)人之一、美國(guó)西北大學(xué)研究助理教授張一慧對(duì)新華社記者說(shuō)，這種技術(shù)被稱為“屈曲引導(dǎo)的三維成型技術(shù)”，相比現(xiàn)有3D打印技術(shù)有多種優(yōu)勢(shì)，“它不能完全取代現(xiàn)有3D打印技術(shù)，但可作為一個(gè)非常重要的補(bǔ)充”。

這種技術(shù)的基本步驟是：先形成具有一定構(gòu)型的平面結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)移至一張已經(jīng)拉伸的彈性基底上，通過(guò)表面化學(xué)處理把平面結(jié)構(gòu)選擇性地粘接于彈性基底，之后釋放彈性基底的預(yù)拉伸，即可將未粘接于基底的平面結(jié)構(gòu)彈出，形成三維結(jié)構(gòu)。

張一慧說(shuō)，這種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)一是快速成型;二是適用于各種類型的材料，包括半導(dǎo)體、金屬、聚合物等;三是與現(xiàn)代化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的二維制備技術(shù)兼容，可成型非常復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)，他們已實(shí)現(xiàn)40多種三維結(jié)構(gòu)，包括孔雀、花朵、桌子、籃子、帳篷和海星等;四是尺寸上沒有明顯的限制，目前已實(shí)現(xiàn)的最小厚度約為100納米，最大厚度約1毫米。這種技術(shù)的主要不足在于所能成型的三維結(jié)構(gòu)仍具有一定的局限性，并不能形成所有給定的三維結(jié)構(gòu)。

編輯點(diǎn)評(píng)：傳統(tǒng)3D打印技術(shù)一層層疊加打印，不僅速度慢，適用的材料類型有限，如無(wú)法適用于高性能半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，適用的三維結(jié)構(gòu)也有限。而這種快速成型、材料及尺寸不受限制的新型技術(shù)正能彌補(bǔ)3D打印的不足，相信對(duì)半導(dǎo)體器件制造來(lái)說(shuō)更有益處。

6、存儲(chǔ)信息時(shí)間可達(dá)6小時(shí)的量子硬盤正式研制成功

澳大利亞和新西蘭物理學(xué)家合作研制出一個(gè)量子硬盤原型，將信息存儲(chǔ)時(shí)間延長(zhǎng)了100多倍，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的6個(gè)小時(shí)。這樣的網(wǎng)絡(luò)可用于銀行交易和個(gè)人電子郵件。“我們相信，在全球任意兩點(diǎn)之間分發(fā)量子信息很快就將成為可能。”論文主要作者、澳大利亞國(guó)立大學(xué)物理與工程研究院的鐘曼錦說(shuō)，“量子態(tài)非常脆弱，通常只能保持幾毫秒，然后就會(huì)崩潰。我們的長(zhǎng)時(shí)存儲(chǔ)能力有望給量子信息領(lǐng)域帶來(lái)革新。”

該研究團(tuán)隊(duì)采用了嵌入晶體中的稀有稀土元素銪原子來(lái)存儲(chǔ)信息。這種固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)非常有前景，有望替代在光纖中使用激光的技術(shù)，目前利用后者創(chuàng)建的量子網(wǎng)絡(luò)長(zhǎng)度大約為100公里。“現(xiàn)在我們的存儲(chǔ)時(shí)長(zhǎng)可以達(dá)到這么久，這意味著人們需要重新思考哪種才是分發(fā)量子數(shù)據(jù)的最佳方式。”鐘曼錦說(shuō)，“如果給定一段距離，即使以步行的速度傳送我們的晶體，信息丟失也會(huì)比激光系統(tǒng)少。”她說(shuō)：“我們現(xiàn)在可以想像將糾纏光存儲(chǔ)在不同的晶體中，然后將它們傳送數(shù)千公里之外不同的網(wǎng)絡(luò)接收點(diǎn)的情景。因此，我們正在考慮將我們的晶體作為便攜式量子光學(xué)硬盤。”

研究團(tuán)隊(duì)利用激光將一個(gè)量子態(tài)寫入銪原子核自旋上，然后將晶體置于固定磁場(chǎng)和振蕩磁場(chǎng)的組合中，以保護(hù)脆弱的量子信息。“這兩個(gè)磁場(chǎng)將銪原子自旋隔絕起來(lái)，防止量子信息的泄露。”奧塔哥大學(xué)的杰文·朗德爾說(shuō)。

編輯點(diǎn)評(píng)：硬盤市場(chǎng)在最近幾年的發(fā)展速度非常迅速，這項(xiàng)突破是朝著基于量子信息構(gòu)建一個(gè)安全的全球數(shù)據(jù)加密網(wǎng)絡(luò)邁出的重要一步。