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[導(dǎo)讀]2014年,中國集成電路芯片趕超石油,成為第一大進(jìn)口商品。是什么原因讓一枚小小的芯片如此暢銷?自1959年第一塊集成電路發(fā)明以來,其取得的成功和產(chǎn)品增值主要?dú)w功于半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步?,F(xiàn)有技術(shù)不斷改進(jìn),新技

2014年,中國集成電路芯片趕超石油,成為第一大進(jìn)口商品。是什么原因讓一枚小小的芯片如此暢銷?自1959年第一塊集成電路發(fā)明以來,其取得的成功和產(chǎn)品增值主要?dú)w功于半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步?,F(xiàn)有技術(shù)不斷改進(jìn),新技術(shù)不斷涌現(xiàn),帶動了芯片集成度持續(xù)迅速提高。而我國對于高端芯片的開發(fā)較晚,其開發(fā)過程需要雄厚的研發(fā)基礎(chǔ)、資本投資以及多年積累,這些都是導(dǎo)致我國IC主要靠進(jìn)口的主要因素。

根據(jù)半導(dǎo)體工藝路線圖的演進(jìn),40納米的下一代工藝應(yīng)該是32納米,然后是22納米。然而,產(chǎn)業(yè)從40納米向下演進(jìn)時,中間經(jīng)過32納米卻很快跳躍到28納米。賽迪顧問經(jīng)過長時間研究發(fā)布《中國IC 28納米工藝制程發(fā)展白皮書》,認(rèn)為28納米會成為IC工藝制程發(fā)展的關(guān)鍵節(jié)點。32納米與28納米工藝相比較,在成本幾乎相同的情況下,使用28納米工藝制程可以給產(chǎn)品帶來更加良好的性能優(yōu)勢。與上一代40納米工藝相比,28納米柵密度更高、晶體管的速度提升了大約50%,而每次開關(guān)時的損耗則減少了50%。而相較于下一代22/20納米工藝,28納米工藝不需要DP,一定程度上控制了成本和工藝循環(huán)周期。

翀總照片.jpg

(賽迪顧問李樹翀)

同時,在保障國家信息安全的新形勢下,集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正受到前所未有的重視,中國已將推動芯片國產(chǎn)化上升到國家安全的高度。2011年12月,工信部頒布《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》中強(qiáng)調(diào)推動45納米、32納米、28納米先進(jìn)工藝的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,為22納米的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。2012年5月,科技部頒布《極大規(guī)模集成電路制造設(shè)備與成套工藝》,,隨后2014年6月,國務(wù)院頒布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中指出,到2015年,32納米、28納米制造工藝實現(xiàn)規(guī)模產(chǎn)量,突出“芯片設(shè)計—芯片制造—封裝測試—裝備與材料”全產(chǎn)業(yè)鏈,協(xié)同發(fā)展,構(gòu)建“芯片—軟件—整機(jī)—系統(tǒng)—信息服務(wù)”生態(tài)鏈。除了國務(wù)院及相關(guān)部委頒布的支持政策外,北京、無錫、合肥等地也制定了與28納米制造相關(guān)的扶持政策。共同推進(jìn)28納米工藝制程的發(fā)展。

綜合技術(shù)和成本等各方面因素,28納米都將成為未來很長一段時間內(nèi)的關(guān)鍵工藝節(jié)點。

據(jù)統(tǒng)計,在2016、2017年28納米工藝將取代30納米/25納米成為新一代主流芯片。其中用于消費(fèi)類電子和通信領(lǐng)域的芯片將占90%市場份額。屆時,我國將會有400-600萬片的芯片市場增長量。

QQ截圖20150928160022.png

現(xiàn)如今,大多數(shù)IC企業(yè)都是以IDM模式經(jīng)營,然而,隨著全球化的發(fā)展,其弊端也逐漸暴露了出來,主要體現(xiàn)在:生產(chǎn)運(yùn)營成本高制約技術(shù)創(chuàng)新,技術(shù)進(jìn)步難度大,產(chǎn)能和市場那以匹配的方面。因此,IC企業(yè)需要一種新制度來改變這種環(huán)境。據(jù)賽迪顧問發(fā)布的《中國IC 28納米工藝制程發(fā)展白皮書》中介紹,中芯國際與高通確立聯(lián)合創(chuàng)新新模式。這種聯(lián)合創(chuàng)新是一種從技術(shù)到產(chǎn)業(yè)的全生態(tài)合作。在合作中,中芯國際與高通協(xié)同技術(shù)創(chuàng)新,互相分享經(jīng)驗,共享知識產(chǎn)權(quán)專利,聯(lián)合培養(yǎng)人才,共同促進(jìn)市場開拓。“中高聯(lián)合創(chuàng)新”模式展現(xiàn)出高通深度助力中國IC工藝創(chuàng)新與演進(jìn),縮短中國與國際先進(jìn)水平之間的距離,推動中國28納米工藝制程走向成熟。

縱觀我國自主集成電路芯片發(fā)展的30年來,有不可忽視的成就,但也要清醒地意識到我們距離高端集成電路芯片還有一段很長的路要走。眼下,28納米工藝制程發(fā)展迫切,望“中高聯(lián)合創(chuàng)新”新模式能夠打造一個“中國芯”崛起的“芯”盛世!

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