縱觀功率半導(dǎo)體行業(yè)，與功率集成電路產(chǎn)業(yè)主要被國外廠商把持的情況不同，國內(nèi)功率器件行業(yè)受技術(shù)、資金、產(chǎn)品認(rèn)可度等因素的制約相對有限，因此能夠保持高速增長的態(tài)勢。作為一家新興企業(yè)，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司是如何做的呢?在第十四屆高交會電子展上，21ic記者有幸采訪到了成啟半導(dǎo)體營銷總監(jiān)譚振興先生。

譚先生介紹說：“成啟半導(dǎo)體成立于2006年，在這幾年中，公司業(yè)由小到大，產(chǎn)品由少到多，最早只有平面高壓mos管，起步時(shí)不到5個(gè)客戶，隨著公司的不斷發(fā)展，現(xiàn)在已有200多家客戶。目前公司主打MOSFET， 同時(shí)IGBT的產(chǎn)品還在開發(fā)中。”

記者通過采訪得知，成啟半導(dǎo)體專注于功率半導(dǎo)體中的MOSFET，除了能提供傳統(tǒng)的PLANNNER工藝MOSFET之外，還可以提供低于世界先進(jìn)水平的0.18微米的TRENCH工藝MOSFET。此次高交會，成啟主要展出了兩類產(chǎn)品：傳統(tǒng)平面工藝MOSFET和溝槽式工藝MOSFET。溝槽式工藝主要是基于0.18微米工藝來做的，在國內(nèi)處于領(lǐng)先水平。

功率半導(dǎo)體器件被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子、醫(yī)療電子、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域，國外廠商飛思卡爾、瑞薩等大企業(yè)通過領(lǐng)先的技術(shù)占據(jù)著市場的大部分份額，各產(chǎn)商之間的競爭十分激烈，成啟是如何保持優(yōu)勢的呢?譚先生表示，成啟只專注與功率半導(dǎo)體中的MOSFET。這個(gè)行業(yè)在國內(nèi)起步不到10年，目前國內(nèi)還有相當(dāng)多的客戶群，雖然國內(nèi)品牌的市場份額小，但是前景廣闊。通過對品質(zhì)的嚴(yán)格要求，成啟打造了屬于自己的品牌，目前HOMSEMI MOSFET的最高耐壓能夠達(dá)到900V，最大電流達(dá)到196A,最小的RDS(ON)能低于2.5mΩ。

記者了解到，2010年，中國功率分立器件的市場規(guī)模達(dá)到4341.53億只，銷售額達(dá)到1557.55億元。近年來，我國半導(dǎo)體分立器件進(jìn)出口順差逐年提高，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢明顯，由此帶來了巨大的進(jìn)口產(chǎn)品替代空間。2010年，我國半導(dǎo)體分立器件進(jìn)出口額分別為160.8億美元和320.5億美元，較上年同期增長42.43%、111.24%，實(shí)現(xiàn)進(jìn)出口141.7億美元的順差。國內(nèi)產(chǎn)業(yè)通過幾年的發(fā)展取得了較大的進(jìn)步，為國內(nèi)企業(yè)帶來了發(fā)展的契機(jī)。

在談到國內(nèi)外技術(shù)的差距時(shí)，譚先生說：“差距是有的，超結(jié)工藝的高端產(chǎn)品，還是國外企業(yè)的強(qiáng)項(xiàng)，不過明年我們也會推出我們超結(jié)工藝產(chǎn)品。另外，國外有些模塊的產(chǎn)品，目前在國內(nèi)還是剛起步。”

譚先生也向記者透露了成啟明年的發(fā)展規(guī)劃，一個(gè)是推出超結(jié)工藝的MOSFET，產(chǎn)品的特點(diǎn)是耐壓比較高，導(dǎo)通損耗小，在國內(nèi)是領(lǐng)先的產(chǎn)品。另一個(gè)是在封裝這塊，成啟將推出陶瓷背板MOSFET，陶瓷背板以往用于模塊中，成啟把這種技術(shù)用到了分立器件當(dāng)中， 因?yàn)樘沾傻臒嶙璞葌鹘y(tǒng)的金屬像銅等要低三倍，這樣使得MOSFET的散熱更好。

譚先生總結(jié)成啟的策略有兩點(diǎn)：一是不斷發(fā)展創(chuàng)新，生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;二是發(fā)揮國內(nèi)企業(yè)優(yōu)勢，更加貼近客戶，使得產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、參數(shù)貼近國內(nèi)客戶的需求。