www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當(dāng)前位置：首頁 > 模擬 > 可靠性雜壇

集成電路制造階段中的靜電導(dǎo)致器件的電性不良概覽

時間：2021-12-09 15:46:45
關(guān)鍵字： 器件    集成電路制造    WAFER    絕緣   
手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導(dǎo)讀]當(dāng)今各種集成電路微電子器件（CPU，F(xiàn)lash、Memory、controller、Power等），都由大量的各種晶體管與電容、電阻、電感原件構(gòu)成。隨著集成電路器件的搞成集成、高速發(fā)展趨勢，致使集成電路器件（die及die的半成品、Chip）在生產(chǎn)制造（waferFab,封裝，測...


當(dāng)今各種集成電路微電子器件（CPU，F(xiàn)lash、Memory、controller、Power等），都由大量的各種晶體管與電容、電阻、電感原件構(gòu)成。隨著集成電路器件的搞成集成、高速發(fā)展趨勢，致使集成電路器件（die及die的半成品、Chip）在生產(chǎn)制造（wafer Fab,封裝，測試）與使用（SMT為主）階段對于受到靜電的作用影響越發(fā)敏感。其中的絕緣介電質(zhì)膜層（Gate oxide，passivation等）是靜電損壞的主要結(jié)構(gòu)，靜電導(dǎo)致集成電路器件功能損壞的直接原因表現(xiàn)為絕緣膜層的漏電路過大。



圖1：靜電導(dǎo)致晶體管Gate oxide膜層的擊穿失效表征-漏電流過大


圖2：集成電路制造后段wafer sawing工序的rinsing過程的靜電導(dǎo)致絕緣膜層punch through的損壞情形


集成電路微電子器件制造中靜電產(chǎn)生，主要來自取各制程設(shè)備操作與生產(chǎn)工序的相關(guān)過程，主要表現(xiàn)在：

1.物體間的接觸-分離靜電起電，如wafer在各種制程設(shè)備中wafer在ESC（Electro-Static Chuck）上的loading與lift up操作，又如PR（Photo Resist）coating過程中wafer的靜電累積，再如wafer在spin drying過程中的靜電起電與累積等；

2.真空制程設(shè)備中的RF plasma作用使wafer膜層上累積靜電，CVD，PVD，DET；

3.高壓rinsing過程wafer上的靜電帶電與靜電累積等；

4.封裝階段wafer切割blue tape的貼膜與撕膜過程的靜電在wafer上的產(chǎn)生與累積。

5.其他制程設(shè)備中的靜電產(chǎn)生情形。


圖3：wafer在ESC上的靜電起電情形

圖4：wafer在高壓rinsing過程中的靜電帶電情形


靜電導(dǎo)致集成電路微電子器件發(fā)生功能不良（功能失效及電氣可靠性下降），主要表現(xiàn)為wafer上方的靜電累積過高導(dǎo)致絕緣膜層電性損壞（集中于wafer Fab階段的制程設(shè)備與生產(chǎn)工序中），與靜電放電（Electro-Static Discharge，ESD）過程產(chǎn)生的快速電流脈沖stress絕緣介質(zhì)膜層引發(fā)擊穿失效（主要發(fā)生于wafer的probing test，封裝測試階段的die bond、wire bond及各種電性測試工序）。


圖5：wafer上方的靜電累積導(dǎo)致die電性不良的情形

圖6：Wafer/IC高靜電帶電后在電性測試工序發(fā)生ESD的電氣失效情形


本站聲明： 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

在電子系統(tǒng)中，電源如同人體的心臟，為各個元器件提供持續(xù)穩(wěn)定的能量。而電源系統(tǒng)電流的合理分配，更是決定了整個系統(tǒng)能否穩(wěn)定、高效運行的關(guān)鍵因素。不合理的電流分配，可能導(dǎo)致某些元器件供電不足，無法正常工作;也可能使部分器件電流...

關(guān)鍵字： 電源系統(tǒng) 器件 電流

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，憑借其寬禁帶寬度、高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度等卓越特性，在光電子、電力電子、射頻微波等諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，如同任何新興技術(shù)一樣，氮化鎵器件在...

關(guān)鍵字： 氮化鎵 半導(dǎo)體 器件

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，蜂鳴器作為一種能夠發(fā)出聲音信號的器件，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電子玩具、報警器、電子設(shè)備的提示音等。其中，有源壓電式蜂鳴器以其只需接上額定直流電壓即可發(fā)聲的特點，受到了工程師們的青睞。那么，有源壓電式蜂...

關(guān)鍵字： 蜂鳴器 器件 直流電壓

光隔離器件是一種只允許光沿一個方向通過而在相反方向阻擋光通過的光無源器件。它的作用是防止光路中由于各種原因產(chǎn)生的后向傳輸光對光源以及光路系統(tǒng)產(chǎn)生的不良影響。

關(guān)鍵字： 光隔離 器件

上海2024年11月6日 /美通社/ -- 在全球新質(zhì)生產(chǎn)力蓬勃發(fā)展、全力邁向可持續(xù)發(fā)展的時代浪潮下，制造業(yè)作為減少能源消耗與碳排放的關(guān)鍵"主戰(zhàn)場"，綠色低碳轉(zhuǎn)型對于實現(xiàn)全球碳中和目標(biāo)至關(guān)重要。構(gòu)建清...

關(guān)鍵字： 器件 歐姆龍 高速通信 新能源

當(dāng)電線電纜的內(nèi)部出現(xiàn)斷線故障時，由于外部絕緣皮的包裹，使斷線的確切位置不易確定，所以我們需要找出有斷點的一根線纜，然后就可以找到確切的斷點了。

關(guān)鍵字： 電纜 絕緣

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展中，碳化硅(SiC)作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐步成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。碳化硅功率器件以其耐高溫、耐高壓、高頻、大功率和低能耗等優(yōu)良特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電...

關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 碳化硅 器件

在實際的應(yīng)用電路中，處理瞬時脈沖對器件損害的最好辦法，就是將瞬時電流從敏感器件引開。為達到這一目的，將TVS在線路板上與被保護線路并聯(lián)。

關(guān)鍵字： 瞬時脈沖 器件 電流

MOS管，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是電子學(xué)中常用的一種半導(dǎo)體器件。它具有高頻率、低噪聲、高輸入阻抗等特點，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。本文將詳細介紹MOS管的作用。

關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 場效應(yīng)晶體管 器件

廈門2023年9月21日 /美通社/ -- 聲學(xué)濾波器作為射頻前端解決方案關(guān)鍵器件之一，在通信系統(tǒng)的演進中也需要技術(shù)的迭代及突破。隨著第五代(5G)移動通信技術(shù)的廣泛推進，現(xiàn)實網(wǎng)絡(luò)環(huán)境頻譜復(fù)雜度提升。在3GPP發(fā)布PC1...

關(guān)鍵字： SAW HP 濾波器 器件
關(guān)閉