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[導(dǎo)讀]在智能電表和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中,電源必須將高輸入電壓轉(zhuǎn)換為微控制器或 IGBT 驅(qū)動(dòng)器的低直流電壓。例如,440V AC或 480V AC是全球常見(jiàn)的三相交流電壓,智能電表一般需要接入。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,我們可能會(huì)遇到更高的電壓。 以較低的物料清單 (BOM) 成本將高輸入電壓轉(zhuǎn)換為 12V、5V 或 3.3V 等低直流電壓是一個(gè)有趣的話題,因?yàn)橛糜诟邏航祲恨D(zhuǎn)換器的大多數(shù)商業(yè)組件都是為通用交流輸入而設(shè)計(jì)的(85V交流電至 264V交流電)。在這篇文章中,我將解釋如何為高壓降壓轉(zhuǎn)換做出明智的拓?fù)?組件選擇。

在智能電表和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中,電源必須將高輸入電壓轉(zhuǎn)換為微控制器或 IGBT 驅(qū)動(dòng)器的低直流電壓。例如,440V AC 480V AC是全球常見(jiàn)的三相交流電壓,智能電表一般需要接入。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,我們可能會(huì)遇到更高的電壓。

以較低的物料清單 (BOM) 成本將高輸入電壓轉(zhuǎn)換為 12V、5V 或 3.3V 等低直流電壓是一個(gè)有趣的話題,因?yàn)橛糜诟邏航祲恨D(zhuǎn)換器的大多數(shù)商業(yè)組件都是為通用交流輸入而設(shè)計(jì)的(85V交流電 264V交流電)。在這篇文章中,我將解釋如何為高壓降壓轉(zhuǎn)換做出明智的拓?fù)?/span>/組件選擇。

在高壓輸入和直流輸出之間不需要隔離的應(yīng)用(如智能電表)中,降壓轉(zhuǎn)換器仍然是首選,因?yàn)樗芎?jiǎn)單。例如,85-318V?IN、15V?OUT、1A?OUTAC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 TI Designs 參考設(shè)計(jì)使用高端 DCM 降壓轉(zhuǎn)換器(圖 1 所示的簡(jiǎn)化原理圖)將電壓從 459V AC轉(zhuǎn)換為 15V DC . 在像這樣的高壓降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,我們需要解決兩個(gè)因素:

· 續(xù)流二極管的反向恢復(fù)效應(yīng)。

· 控制器的最小接通時(shí)間限制。

電源提示:高輸入電壓應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣M件選擇 

1:非隔離式 AC/DC 轉(zhuǎn)換器 

請(qǐng)記住,續(xù)流二極管反向恢復(fù)引起的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)隨著輸入電壓的增加而增加。開(kāi)關(guān)損耗可能主導(dǎo) MOSFET 的功耗,尤其是當(dāng)轉(zhuǎn)換器以連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 運(yùn)行時(shí)。因此,如果我們希望 CCM 操作用于高壓 AC/DC 非隔離轉(zhuǎn)換,我們可能需要一個(gè)碳化硅 (SiC) 二極管來(lái)減少由于反向恢復(fù)效應(yīng)而導(dǎo)致的開(kāi)關(guān)損耗。例如,AC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器具有 85V?AC?-318V?AC輸入和 15V 0.8A 輸出的 TI Designs 參考設(shè)計(jì)使用帶有 CCM 降壓轉(zhuǎn)換器的 SiC 二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)緊湊型輔助電源。

此外,在高壓 AC/DC 轉(zhuǎn)換中,降壓轉(zhuǎn)換器的占空比變得非常小。對(duì)于 440V AC 15V DC的轉(zhuǎn)換,DCM 降壓轉(zhuǎn)換器的占空比可能小于 2%。當(dāng)轉(zhuǎn)換器以高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行時(shí),可能會(huì)達(dá)到控制器的最小導(dǎo)通時(shí)間限制;例如,UCC28911需要至少 420nS 的接通時(shí)間。換言之,如果我們 440V AC 15V DC轉(zhuǎn)換中使用UCC28911作為降壓轉(zhuǎn)換器控制器,則轉(zhuǎn)換器必須在低于 45kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行。

UCC28910和UCC28911是高壓反激開(kāi)關(guān),無(wú)需使用光耦即可提供輸出電壓和電流調(diào)節(jié)。這兩種裝置都包含一個(gè)700-V功率FET和一個(gè)控制器,該控制器處理來(lái)自反激輔助繞組和功率FET的操作信息,以提供精確的輸出電壓和電流控制。用于啟動(dòng)的集成高壓電流源,在設(shè)備運(yùn)行期間關(guān)閉,控制器電流消耗隨負(fù)載動(dòng)態(tài)調(diào)整。兩者都可以實(shí)現(xiàn)非常低的備用功耗。
UCC28910和UCC28911中的控制算法結(jié)合了開(kāi)關(guān)頻率和峰值一次電流調(diào)制,使運(yùn)行效率達(dá)到或超過(guò)適用標(biāo)準(zhǔn)。采用帶谷值開(kāi)關(guān)的不連續(xù)傳導(dǎo)模式(DCM)降低開(kāi)關(guān)損耗。內(nèi)置保護(hù)功能有助于在整個(gè)工作范圍內(nèi)檢查二次和一次部件的應(yīng)力水平。頻率抖動(dòng)有助于降低EMI濾波器成本。

對(duì)于需要隔離的高壓降壓應(yīng)用,與其他拓?fù)湎啾?,反激式轉(zhuǎn)換器可能提供最低的 BOM 成本。此外,我們可以在具有寬輸入電壓范圍的應(yīng)用中使用反激式轉(zhuǎn)換器。它的低成本和對(duì)寬輸入電壓的適用性使反激式轉(zhuǎn)換器成為隔離式高壓降壓轉(zhuǎn)換的首選。但是,反激式轉(zhuǎn)換器要求其輸入開(kāi)關(guān)的電壓額定值高于最大輸入電壓,這可能會(huì)大大增加 BOM 成本。例如,具有 800V DC輸入的反激式轉(zhuǎn)換器可能需要具有 1200V 額定值的輸入開(kāi)關(guān)(請(qǐng)參閱300V?DC?-800V?DC輸入、54W 四通道輸出 PSR 反激式與 SiC-FET TI Designs 參考設(shè)計(jì))。額定電壓為 1200V 的 MOSFET 通常很昂貴,即使我們排除了同樣昂貴的 SiC MOSFET。

如果輸出功率水平較低,我們可以使用低成本高壓雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 作為反激式輸入開(kāi)關(guān),例如具有 PSR 控制的超寬輸入范圍、雙輸出、離線 AC/DC 偏置電源和BJT 開(kāi)關(guān) TI 設(shè)計(jì)參考設(shè)計(jì)。高壓 BJT 反激式設(shè)計(jì)的一件重要事情是高壓 BJT 通常具有低直流增益。因此,我們必須確保設(shè)計(jì)中的峰值輸入電流可以通過(guò)有限的 BJT 直流增益實(shí)現(xiàn)。

如果輸出功率水平較高 (>30W),請(qǐng)考慮使用 SiC MOSFET,就像我在300V?DC?-800V?DC輸入、54W 四通道輸出 PSR 反激式和 SiC-FET TI Designs 參考設(shè)計(jì)中所做的那樣,以獲得更高的轉(zhuǎn)換器效率,或在400V 至 690V交流輸入、50W 反激式隔離電源參考設(shè)計(jì)中使用共源共柵 MOSFET 配置(如圖 2 所示),以降低 BOM 成本。

電源提示:高輸入電壓應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣M件選擇 

 

2:具有級(jí)聯(lián) MOSFET 配置的反激式轉(zhuǎn)換器



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