東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
采用最新一代工藝，提高了電源效率
日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html )。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源，包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。3月31日開(kāi)始出貨。
圖片：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203249042/_prw_PI1fl_As0mw3xi.jpg
TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。新款MOSFET結(jié)構(gòu)的優(yōu)化改善了漏極-源極導(dǎo)通電阻之間的權(quán)衡（*2）和兩個(gè)電荷特性（*3），實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特點(diǎn)。此外，開(kāi)關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低，有助于降低開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾(EMI)。有兩種類(lèi)型的表面貼裝封裝可供選擇，分別為：SOP Advance和SOP Advance (N)，后一種更受歡迎。
東芝還提供支持開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)的工具。除了可以在短時(shí)間內(nèi)驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE型號(hào)外，現(xiàn)在還推出了高精度的G2 SPICE型號(hào)，可以準(zhǔn)確地再現(xiàn)瞬態(tài)特性。
東芝將擴(kuò)大其功率MOSFET產(chǎn)品陣容，通過(guò)減少損耗來(lái)提高設(shè)備的供電效率，幫助降低功耗。
注：
(*1) 截至2022年3月的東芝調(diào)查。
(*2) 與目前的產(chǎn)品TPH1500CNH（U-MOSVIII-H系列）相比，該產(chǎn)品的漏源極導(dǎo)通電阻x柵極開(kāi)關(guān)電荷提高了大約20%，漏源極導(dǎo)通電阻x輸出電荷提高了大約28%。
(*3) 柵極開(kāi)關(guān)電荷和輸出電荷
應(yīng)用領(lǐng)域
- 通信設(shè)備的電源
- 開(kāi)關(guān)電源（高效直流-直流轉(zhuǎn)換器等）
特點(diǎn)
- 優(yōu)異的低損耗特性。
（在導(dǎo)通電阻和柵極開(kāi)關(guān)電荷與輸出電荷之間進(jìn)行權(quán)衡） - 低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)=9.0milliohms（最大）@VGS=10V
- 通道溫度額定值高：Tch（最大）=175C
主要規(guī)格：
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202203249042-O1-spr94552.pdf
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注：
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