美國(guó)和日本要搞2nm芯片，這美國(guó)不是有臺(tái)積電和三星嗎?為什么它又要去扶持日本?說(shuō)起來(lái)你可能不信，美國(guó)的這一舉動(dòng)，很可能就是針對(duì)“不聽(tīng)話”的臺(tái)積電，就像當(dāng)年扶植三星搞垮日本半導(dǎo)體企業(yè)一樣。

大家都知道，臺(tái)積電的背后就是美國(guó)，為什們美國(guó)還要多此一舉呢?我們之前有一期講過(guò)“臺(tái)積電與美國(guó)的愛(ài)恨情仇”，說(shuō)明了他們也不是鐵板一塊。例如美國(guó)想讓臺(tái)積電赴美建廠，但是臺(tái)積電死活都不答應(yīng)。然后美國(guó)改了芯片規(guī)則，斷了臺(tái)積電財(cái)路，臺(tái)積電逼不得已答應(yīng)在美國(guó)建廠。結(jié)果臺(tái)積電花了800億建廠，美國(guó)卻翻臉了，不僅一開(kāi)始說(shuō)好的幾百億的補(bǔ)貼沒(méi)了，還被美國(guó)貼上了“不安全”的標(biāo)簽。于是臺(tái)積電就反擊了，開(kāi)始在全球建廠，帶著別人一起搶美國(guó)的市場(chǎng)。

根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)道，臺(tái)積電2nm建廠計(jì)劃相關(guān)的環(huán)保評(píng)審文件已經(jīng)提交送審，力爭(zhēng)明年上半年通過(guò)環(huán)評(píng)，隨即交地建廠，第一期廠預(yù)計(jì)2024年底前投產(chǎn)。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣，初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。

目前，臺(tái)積電在全球共有13座晶圓代工廠。其中，10家工廠位于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，2家分別在上海和南京，分別制造8寸和12寸晶圓;1家在美國(guó)Fab11，制造8寸晶圓。而臺(tái)積電7nm、5nm先進(jìn)工藝芯片主要在臺(tái)南Fab18廠進(jìn)行生產(chǎn)。據(jù)悉，上述每痤工廠的造價(jià)約為100億美元，它屬于臺(tái)積電1200億美元投資的一部分，而4座工廠都會(huì)生產(chǎn)3納米芯片。顯然，全球出現(xiàn)芯片短缺，臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)也是順應(yīng)市場(chǎng)要求。按照臺(tái)積電的計(jì)劃，它至少要在中國(guó)臺(tái)灣省建20座圓晶廠，有些正在建設(shè)，有些已經(jīng)完成。

目前，各大晶圓制造廠商關(guān)注的重點(diǎn)是更先進(jìn)的 3nm、2nm 技術(shù)，以滿足高性能計(jì)算等先進(jìn)芯片需求。最近臺(tái)積電首次全面公開(kāi)了旗下的 3nm 及 2nm 工藝技術(shù)指標(biāo)，相比 3nm 工藝，在相同功耗下，2nm 速度快 10~15%;相同速度下，功耗降低 25~30%。然而性能及功耗看著還不錯(cuò)，但臺(tái)積電的 2nm 工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了 10%，按照摩爾定律來(lái)看的話，新一代工藝的密度提升是 100% 才行，實(shí)際中也能達(dá)到 70-80% 以上才能算新一代工藝。更重要的是，臺(tái)積電表示 2nm 工藝要到 2025 年才能量產(chǎn)，意味著芯片出貨都要 2026 年了，4 年后才能看到，工藝升級(jí)的時(shí)間也要比之前的 5nm、3nm 更長(zhǎng)。

繼今年上半年將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于其 3 納米工藝后，三星計(jì)劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)基于 GAA 的 2 納米芯片。臺(tái)積電的戰(zhàn)略是在今年下半年使用穩(wěn)定的 FinFET 工藝進(jìn)入 3 納米半導(dǎo)體市場(chǎng)，而三星電子則押注于 GAA 技術(shù)。

專家稱，如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場(chǎng)的游戲規(guī)則改變者。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2 納米芯片開(kāi)始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發(fā)布第一個(gè)產(chǎn)品。對(duì)于三星電子來(lái)說(shuō)，未來(lái)三年將是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。最近，三星宣布，在未來(lái)五年內(nèi)，將在半導(dǎo)體等關(guān)鍵行業(yè)投資共計(jì) 450 萬(wàn)億韓元(約 2.34 萬(wàn)億元人民幣)。然而，三星在 3 納米工藝良率方面遇到了障礙。與三星一樣，臺(tái)積電在提高 3 納米工藝的產(chǎn)量方面也有困難。

隨著我們的科技上的進(jìn)步，在許多尖端領(lǐng)域也掌握了不遜于國(guó)際一流水平的技術(shù)，但芯片技術(shù)仍然是卡住我們科技進(jìn)步的一個(gè)痛點(diǎn)。在美國(guó)推行對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)的限制令后，我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展也越來(lái)越困難。

如今老美都已經(jīng)宣稱要和小日子過(guò)得不錯(cuò)的腳盆地區(qū)人民聯(lián)合研發(fā)2nm制程了，而我們到現(xiàn)在也只能實(shí)現(xiàn)28nm制程的批量生產(chǎn)，差距不可謂不大。