臺積電生產(chǎn)的每一代旗艦芯片都在刷新業(yè)內(nèi)科技水平紀錄，尤其是在智能手機領域，跑分已經(jīng)成為衡量芯片性能的一大參考因素。4nm制程工藝的芯片跑分已經(jīng)突破一百多萬，如果到了更先進的3nm芯片，恐怕跑分還會更高。

值得一提的是，臺積電3nm已經(jīng)取得了重大突破，預計8月份投產(chǎn)。臺積電已經(jīng)準備量產(chǎn)3nm，三星呢?3nm芯片時代要來了?

6月20日早間消息，據(jù)報道，為了生產(chǎn)3納米芯片，臺積電準備在中國臺灣省臺南地區(qū)再建4座工廠。

全球出現(xiàn)芯片短缺，臺積電擴產(chǎn)也是順應市場要求。據(jù)報道，每痤工廠的造價約為100億美元，它屬于臺積電1200億美元投資的一部分。

4座工廠據(jù)稱都會生產(chǎn)3納米芯片。臺積電上周五還表示，2025年之前將會實現(xiàn)2納米芯片批量生產(chǎn)。

按照臺積電的計劃，它至少要在中國臺灣省建20座圓晶廠，有些正在建設，有些已經(jīng)完成。

臺積電還在美國亞利桑那投資建廠，預計2023年3月完工。據(jù)悉，臺積電還與新加坡經(jīng)濟發(fā)展委員會洽談合作建廠事宜。

據(jù)韓媒BusinessKorea報道，三星電子繼今年上半年將全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around, GAA)晶體管技術應用于其3納米工藝后，已計劃在2023年將GAA技術引入第二代3納米芯片，并在2025年大規(guī)模生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片。

三星在芯片制造領域一直在追趕臺積電。臺積電透露，將于2022年下半年開始量產(chǎn)其首款3納米半導體芯片，計劃在2025年開始生產(chǎn)2納米芯片。

近日，晶圓制造商臺積電在先進制程方面的投資擴產(chǎn)動作頻頻，可謂“壕”氣十足。據(jù)悉，臺積電將在中國臺灣臺南新建四座3納米晶圓廠，每座都將花費100億美元建造，總計400億美元。

6月16日，臺積電在2022年臺積電北美技術研討會上透露，到2025年，臺積電的成熟和特殊節(jié)點產(chǎn)能擴大約50%。計劃將在中國大陸、中國臺灣等地建設新晶圓廠或擴產(chǎn)，增強臺積電的優(yōu)勢。在先進制程的技術方面，臺積電表示，臺積電的N3技術將于2022年晚些時候投入批量生產(chǎn)，將采用革命性的臺積電FINFLEX架構創(chuàng)新。臺積電的N2技術將采用納米片晶體管架構，在相同功率下比N3速度提高10-15%，或在相同速度下功率降低25-30%，N2計劃于2025年開始生產(chǎn)。

臺積電在6月初剛剛宣布將投資336億美元在臺南建設4座新的2納米晶圓廠，廠房面積將近95萬平方米，后續(xù)的1納米廠也可能落腳此處，最早2024年試產(chǎn)2納米，2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

6月8日，臺積電在股東大會上表示，臺積電已經(jīng)預留了400-440億美元用于擴建和設備升級，并預計在2023年還會在這些方面支出超過400億美元，目的是使臺積電能夠保持技術快速發(fā)展和滿足最前沿的未來需求。而此次新建的四座3納米晶圓廠，每座都將花費100億美元建造，總計正好400億美元。

據(jù)了解，這8座工廠都只是臺積電建造計劃的一部分，臺積電在中國臺灣本土至少有20座工廠正在建設中或即將完工，總建筑面積超過了200萬平方米。

早在2021年，臺積電就表示，未來三年將投資1000億美元，提高其工廠產(chǎn)能，以滿足不斷增長的芯片市場需求。目前看來，臺積電的擴建產(chǎn)能計劃還將馬不停蹄地進行。

海外擴建方面，近日，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省表示，臺積電、索尼和電裝在日本熊本縣建設的半導體工廠的總投資額約為86億美元，日本政府將提供近一半資金，高達4760億日元(約合35.2億美元)。新工廠已于今年4月開始建設，預計將于2024年12月開始供貨，月產(chǎn)能為5.5萬片。

索尼半導體子公司索尼半導體解決方案社長清水照士近日公開表示，由于芯片長期短缺，索尼當前的產(chǎn)能也十分緊缺，希望能拓展穩(wěn)定的芯片采購渠道，以此提高銷量。清水照士指出：“臺積電能在熊本設廠，為索尼拓展芯片采購渠道提供了信心。”

此外，清水照士認為，日本半導體產(chǎn)業(yè)多年以來都呈現(xiàn)出了低迷狀態(tài)，大學的研究規(guī)模逐漸縮小，人才短缺問題一直未能得到解決。與臺積電的合作對于培養(yǎng)半導體專業(yè)人才有著非常積極的作用。

臺積電是全球芯片工藝領導者，是芯片制造行業(yè)的標桿，以臺積電為主的技術體系生產(chǎn)了全球一半以上的芯片。其公司產(chǎn)品覆蓋廣泛，手機、汽車、電腦等等都有臺積電芯片工藝技術的身影。

不只是產(chǎn)品覆蓋廣泛，而且芯片技術工藝也在持續(xù)提升。已經(jīng)實現(xiàn)5nm，4nm高端芯片量產(chǎn)的臺積電，已經(jīng)在向著3nm芯片工藝出發(fā)了，而且傳來了關于3nm芯片的最新進展。

據(jù)臺媒表示，臺積電3nm取得了重大突破，預計8月份投產(chǎn)。

另外初期的產(chǎn)量大概在每月4萬到5萬片，工藝架構采用FinFET作為3nm制程底座。這種鰭式場效晶體管被沿用了十幾年，除了臺積電之外，其余的中芯國際，英特爾和三星等芯片制造巨頭都在鰭式場效晶體管架構層面取得相應的工藝突破。

沒想到臺積電依然沿用FinFET下探到3nm芯片工藝。除了能看出FinFET架構的廣泛適用性質(zhì)之外，說明臺積電在這一架構的技術積累是非常深厚的。臺積電量產(chǎn)3nm只是時間問題，而這個時間就在不久后的8月份。實際上臺積電多次對3nm進行表態(tài)，都展現(xiàn)能順利量產(chǎn)的自信。

目前臺積電已知的3nm客戶就有英特爾和蘋果，而三星3nm潛在客戶可能就是高通了。

問題是高通對三星的高端芯片工藝良率有些意見，本該交給三星生產(chǎn)的驍龍8Gen1+已經(jīng)轉單臺積電了，就是因為三星曝出4nm工藝良率只有35%。4nm尚且如此，進入到3nm之后又是怎樣的良率表現(xiàn)呢?

所以不排除高通會將3nm也轉單給臺積電的可能性。如果真的出現(xiàn)這種情況，三星沒有3nm客戶訂單，那掌握了3nm生產(chǎn)線量產(chǎn)能力，發(fā)揮出的價值和作用也是有限的。除去客戶因素，僅從工藝技術的角度來看，3nm芯片時代要來了?或許是的。