在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國(guó)本土投資200億美元建設(shè)2座先進(jìn)工藝晶圓廠是非常關(guān)鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因?yàn)槊绹?guó)官方的520億美元芯片補(bǔ)貼法案還沒(méi)通過(guò)，不過(guò)現(xiàn)在消息稱(chēng)Intel已經(jīng)得到了補(bǔ)貼，新工廠已經(jīng)開(kāi)工了。

據(jù)digitimes報(bào)道，日前傳出Intel出正式購(gòu)得美國(guó)俄亥俄州新晶圓廠所需的土地，這項(xiàng)投資金額高達(dá)200億美元。

雖然工廠開(kāi)工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問(wèn)題，美國(guó)政府補(bǔ)助將決定建廠規(guī)模，此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模，甚至威脅去歐洲建廠。

根據(jù)Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會(huì)命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會(huì)在2024年量產(chǎn)20A工藝，這是Intel面向未來(lái)的CPU工藝，首次進(jìn)入后納米時(shí)代，首發(fā)埃米級(jí)工藝，其中的A就代表埃米。

雖然工藝細(xì)節(jié)還沒(méi)公布，不過(guò)20A相當(dāng)于友商的2nm工藝，還會(huì)有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。

根據(jù)Intel所說(shuō)，RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)消除晶圓正面供電布線需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。