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[導讀]氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導體技術,已成為精密電力電子學發(fā)展的關鍵。它比硅快20×,可以提供高達3×的功率或充電,其尺寸和重量是硅器件的一半。

氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導體技術,已成為精密電力電子學發(fā)展的關鍵。它比硅快20×,可以提供高達3×的功率或充電,其尺寸和重量是硅器件的一半。

Wise集成公司的WiseGan系列電源設備包括通過JEDEC認證的WI62120,一個650v增強模式氮化鎵對si的集成電路。它利用氮化鎵的固有特性來提高電流容量、電壓擊穿和開關頻率,用于從30 W到3 kW的高效和高密度功率轉(zhuǎn)換應用。上個月,Wise集成公司宣布發(fā)布其第一款商業(yè)產(chǎn)品:120-mΩWI62120半橋式功率電路,它為電力電子設計師提供了新的功率密度、性能和成本效益水平。

消費者(如用于移動和桌面設備的超高速充電器)、電子移動性、工業(yè)交流/直流電源,以及采用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)和主動鉗回彈(ACF)的設計都是目標市場。

明智整合公司的首席執(zhí)行官蒂埃里·布切特說:“這是一個加速采用氮化鎵的絕佳機會:該技術在該行業(yè)中占主導地位,隨著它的改進,我們可以預期價格會很低?!薄罢缥覀兯吹降哪菢樱M者領域的許多客戶正在開始向氮化鎵過渡。所以這是一個加速滲透的好機會,比如說這個產(chǎn)品沒有太多的附加值,而且它是一個低成本的設備,所以它對利潤不是特別有吸引力,但它的銷量很好。市場想要小巧、高效的電子產(chǎn)品?!?

“在低壓應用中,我們也看到了來自碳化硅的競爭,”他繼續(xù)說,“觀察到碳化硅市場同樣瞄準了更低電壓的目標也很有趣?!彼杂幸粋€定價的戰(zhàn)場,因為我們可以看到一些便宜的成本和某些碳化硅供應商。以任何方式使用適當?shù)牡壙刂?,我相信價格將比碳化硅更有競爭力。因此,在我看來,碳化硅可能會滲透,但只是用于特殊目的,而不是用于一般市場。垂直氮化鎵在商業(yè)化之前還需要研究和開發(fā)。”在1200V時,在這種情況下很難與碳化硅競爭。今天的氮化鎵方法包括最大化對標準包裝的使用。

布徹說:“今天,在移動性方面,我們主要關注電動自行車、電動摩托車和電動摩托車,我們希望成為在這個市場上使用氮化鎵的主要參與者。”“我們認為,這也是我們在當今氮化鎵競爭對手不多的地方推廣我們的技術的一種方式。”

氮化鎵功率

Wise集成利用了臺灣半導體制造公司(TSMC)新獲得的650-V GaN/Si技術,能夠管理從設備規(guī)范到系統(tǒng)組裝的整個工業(yè)化流程。

WiseGan將電源開關集成在同一芯片上的智能功能上。功率晶體管為650ve模式,而智能功能包括柵極控制和保護電路。

120-mΩWI62120是業(yè)界最緊湊的半橋,具有6×8 PQFN封裝,在高功率密度、性能和BOM成本降低方面最大化客戶優(yōu)勢。據(jù)Bouchet說,他們相信客戶會發(fā)現(xiàn)它在所有的ACF拓撲和PFC-LCC設計中都非常有益,這使他們能夠利用更小、更高效、更經(jīng)濟的電力電子產(chǎn)品的優(yōu)勢。

挑戰(zhàn)在于驅(qū)動身上。許多設備需要帶有驅(qū)動程序的氮化鎵設備來解決故障。有趣的一點是最優(yōu)控制和包裝。

WiseGan具有優(yōu)化的架構,允許標準的基于gan的充電器的體積減少30%。氮化鎵技術實現(xiàn)了極端的性能,而Wise集成專有架構通過減少交流/直流電源轉(zhuǎn)換器的組件數(shù)量,并在不影響性能的情況下實現(xiàn)高效的解決方案,進一步提高了成本性能。

據(jù)發(fā)言者說,采用智慧甘技術的主要好處是:

更智能地使用資源,由于高頻超快切換和減少活動面積,提高了性能

更小的組件,以獲得更高的輸出功率和更小的功率損耗

更高的功率密度,集成的氮化鎵設備能夠在1mhz以上的頻率下運行

更高的能源效率(96%,而傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器為94%)

Wise集成公司宣布,它已與Edom技術公司建立了渠道合作伙伴關系,以在亞洲各地部署其WiseGan的基于gan的組件組合。WiseGan是一種常見的基本產(chǎn)品,可用于標準的拓撲結(jié)構,如ACF或PFC-LLC的電路板。Edom關系的最初階段將是促進在標準拓撲中使用WiseGan電源設備,提供最滿足客戶需求的設計。第二階段尚未完全實現(xiàn)。


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