1.英飛凌科技CoolSiC MOSFET

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飛凌科技股份公司的一項全新 CoolSiC 技術(shù)。復雜的碳化硅 (SiC)芯片將在廣泛的產(chǎn)品中實現(xiàn)，包括使用 .XT 互連技術(shù)的分立封裝和流行的 Easy 模塊系列。

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 專為必須滿足峰值需求的太陽能系統(tǒng)(如逆變器)而設(shè)計，也適用于快速電動汽車充電、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用。

最新的 CoolSiC 基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)允許更大的柵極操作窗口，從而增加給定裸片尺寸的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行窗口的擴大，柵極能很好地耐受與驅(qū)動器和布局相關(guān)的電壓峰值，即使在更高開關(guān)頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術(shù)，還可通過采用不同封裝使不同型號的產(chǎn)品實現(xiàn)更高功率密度，為設(shè)計工程師提供更多選擇，助力其提升應(yīng)用性能。

與 M1H 芯片一起，相關(guān)外殼已在技術(shù)和封裝變體中采用，為設(shè)計工程師提供更高的功率密度和其他替代方案，以提高應(yīng)用性能。

為了改進 Easy 1B 和 2B 模塊，M1H 將被引入著名的 Easy 系列。此外，還將發(fā)布一款使用新型 1200 V CoolSiC MOSFET增強 Easy 3B 模塊的新產(chǎn)品。新芯片尺寸的引入增加了靈活性，并保證了工業(yè)產(chǎn)品組合盡可能多樣化。M1H芯片可以大大增加模塊的導通電阻，使設(shè)備更加可靠和高效。

過載能力隨著 175°C 的最高臨時結(jié)溫而增加，從而實現(xiàn)更好的功率密度和故障情況覆蓋率。M1H 采用的內(nèi)部 RG 比其前身 M1 更小，因此可以輕松改進開關(guān)行為。M1H 芯片保持動態(tài)行為繼續(xù)進行。

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 產(chǎn)品組合現(xiàn)在包括采用 TO247-3 和 TO247-4 分立封裝的 7 m、14 m 和 20 m 的新型超低導通電阻。由于新的最大柵源電壓為 -10 V 的柵電壓過沖和下沖，新器件易于設(shè)計，并且它們包括雪崩和短路能力標準。

2.Diodes 公司肖特基整流器為電流密度設(shè)定新基準

Diodes 公司宣布推出一系列采用超緊湊芯片級封裝 (CSP) 的大電流肖特基整流器。DIODES? SDM5U45EP3 (5A, 45V)、DIODES? SDM4A40EP3 (4A, 40V) 和 DIODES? SDT4U40EP3 (4A, 40V) 在同類產(chǎn)品中實現(xiàn)了業(yè)界最高的電流密度，滿足了市場對更小、更強大的電子系統(tǒng)的需求。

每個器件可用于各種不同的用途，用作阻斷或反極性保護二極管、電氣過應(yīng)力保護二極管和續(xù)流二極管。該系列中的整流器設(shè)計用于空間受限的應(yīng)用，例如便攜式、移動和可穿戴設(shè)備，以及物聯(lián)網(wǎng)硬件。

SDT4U40EP3 引領(lǐng)三重奏，是業(yè)界最小的 4A 溝道肖特基整流器，是第一款采用 1608 封裝的整流器。與競爭設(shè)備相比，它占用的 PCB 面積減少了 90%。其 800A/cm 2的電流密度也是業(yè)界最高的溝槽肖特基電流密度，這是由于其正在申請專利的創(chuàng)新陰極設(shè)計和制造工藝。由此產(chǎn)生的超低正向電壓性能(典型值為 0.47V)將功率損耗降至最低，從而能夠設(shè)計出更高效率的系統(tǒng)。此外，其卓越的雪崩能力使其足夠強大，可以應(yīng)對包括瞬態(tài)電壓在內(nèi)的極端工作條件。

X3-TSN1616-2 封裝的 SDM5U45EP3 具有 2mm 2的占位面積，而X3-TSN1608-2 封裝的 SDM4A40EP3 和 SDT4U40EP3的 1.28mm 2占位面積使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在現(xiàn)代、高度集成的消費產(chǎn)品中最大限度地利用電路板空間。這些超薄 CSP 具有 0.25 毫米(典型值)的輪廓，縮短了熱路徑，從而提高了功耗，降低了熱 BOM 成本并提高了可靠性。