除了硅基芯片之外，光子芯片也是未來的一大重點，其原理跟硅芯片不同，運算速度可提升1000倍以上，而且不依賴先進(jìn)的光刻機(jī)，比如EUV光刻機(jī)，因此是各國爭相發(fā)展的新一代信息科技。

來自《北京日報》的消息，記者從中科鑫通獲悉，國內(nèi)首條“多材料、跨尺寸”的光子芯片生產(chǎn)線已在籌備，預(yù)計將于2023年在京建成，可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)、微波光子、醫(yī)療檢測等領(lǐng)域需求，有望填補(bǔ)我國在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。

據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：

從性能而言，光子芯片的計算速度較電子芯片快約1000倍，且功耗更低。

從材料而言，InP、GaAS等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。

從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點在于外延設(shè)計與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。

民生證券指出，這也決定了光子芯片行業(yè)中，IDM模式是主流，有別于標(biāo)準(zhǔn)化程度高、行業(yè)分工明確的集成電路芯片。

值得一提的是，相較于電子芯片，光子芯片對結(jié)構(gòu)的要求較低，一般是百納米級，因此降低了對先進(jìn)工藝的依賴。中科鑫通總裁隋軍也表示，光子芯片使用我國已相對成熟的原材料及設(shè)備就能生產(chǎn)，而不像電子芯片一樣，必須使用EUV等極高端光刻機(jī)。