電磁干擾(EMI)歷來(lái)是讓PCB設(shè)計(jì)工程師們頭疼的一個(gè)問(wèn)題，它威脅著電子設(shè)備的安全性、可靠性和穩(wěn)定性。因此，我們?cè)谠O(shè)計(jì)PCB時(shí)，需要遵循一定的原則，使電路板的電磁干擾控制在一定的范圍內(nèi)，達(dá)到設(shè)計(jì)要求和標(biāo)準(zhǔn)，提高電路的整體性能。

電磁干擾有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)把一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)耦合(干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過(guò)空間把其信號(hào)耦合(干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。在高速PCB及系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，高頻信號(hào)線、集成電路的引腳、各類(lèi)接插件等都可能成為具有天線特性的輻射干擾源，能發(fā)射電磁波并影響其他系統(tǒng)或本系統(tǒng)內(nèi)其他子系統(tǒng)的正常工作。

我們是否因?yàn)?EMI 問(wèn)題而避免使用多通道繼電器驅(qū)動(dòng)器?這個(gè) EMI 問(wèn)題可以通過(guò)增加上升/下降時(shí)間來(lái)解決，這樣到負(fù)載的電路板走線就不會(huì)像傳輸線一樣起作用。降低輸出壓擺率將增加上升和下降時(shí)間?？梢酝ㄟ^(guò)添加電阻器 (Rin) 和電容器 (Cint) 來(lái)控制驅(qū)動(dòng)器壓擺率，從而形成積分器。砰!問(wèn)題解決了......這是如何做到這一點(diǎn)以及我們會(huì)發(fā)現(xiàn)的典型結(jié)果：

圖 1：示意圖

第 1 步：根據(jù)驅(qū)動(dòng)器的工作點(diǎn)估算電容電流

驅(qū)動(dòng)器輸入電壓 (Vop) 和輸入電流 (Iop) 在輸出壓擺時(shí)間內(nèi)幾乎保持不變。對(duì)于輸入電阻 (Rin) 的實(shí)際值，驅(qū)動(dòng)器輸入電流 (Iop) 將遠(yuǎn)小于電阻電流 (Iin)。因此，電容器電流 (Ic) 可以近似為與輸入電流相同。

對(duì)于EMI傳導(dǎo)部分，重點(diǎn)是充分利用旁路電容器和去耦電容器。旁路電容器(提供交流短路線)必須布置在晶片電源管腳和接地線(平面)上。去耦電容器應(yīng)放置在電流需求變化較大的地方，以避免因電線阻抗(電感)而從電源和接地線上耦合干擾。當(dāng)然，磁珠的合理串聯(lián)可以吸收(轉(zhuǎn)換為熱能)。電感器有時(shí)也可以用來(lái)過(guò)濾干擾，但請(qǐng)注意，電感本身也有頻率響應(yīng)范圍，包裝也決定了其頻率響應(yīng)。以上是一些基本的經(jīng)驗(yàn)，對(duì)于EMI設(shè)計(jì)，你需要真正了解自己的設(shè)計(jì)，需要關(guān)注哪里，問(wèn)題會(huì)是什么現(xiàn)象，什么是替代方案，需要提前整理。

第 2 步：確定正壓擺率和負(fù)壓擺率

正輸出壓擺率(輸入邏輯低電平)為 (Vop - Vin) / (Rin * Cint)，單位為 V/S。負(fù)輸出壓擺率(輸入邏輯高電平)為 (Vin - Vop) / (Rin * Cint)，單位為 V/S。除以 10 6得到 V/uS 。Iop 和 Vop 隨負(fù)載和溫度而變化。它們還可以因設(shè)備而異。由于這些差異，速率控制很好，但精度不高。

對(duì)于我們的實(shí)驗(yàn)，我們使用 Rin=402 ohms，繼電器為 12V，線圈電流為 122mA，Vop = 1.7V，Iop = 90uA，Cint = [0.1nF，1nF，10nF，100nF]，VIH = 3.2V，VIL=0.1V ，結(jié)果如下：

腰帶積極的消極的

nF轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率單位

沒(méi)有任何170900V/uS

0.125.933.4V/uS

13.823.71V/uS

100.3760.379V/uS

1000.0310.030V/uS

第 3 步：使用波形驗(yàn)證結(jié)果

當(dāng) RIN 增加到 1k ohms 或 40pF 的寄生電容被添加到驅(qū)動(dòng)器輸入節(jié)點(diǎn)時(shí)，正壓擺波形上會(huì)出現(xiàn) 30 至 40MHz 的振蕩。因此，Rin 和 Cint 應(yīng)靠近驅(qū)動(dòng)器輸入引腳以減少走線電容，Rin 應(yīng)為 402 歐姆或更小。

第 4 步：確定開(kāi)關(guān)損耗

可以使用線圈電流、線圈電源電壓、壓擺率和頻率(每秒的平均繼電器周期數(shù)：通常小于 1)來(lái)估計(jì)由于延長(zhǎng)的上升和下降時(shí)間而增加的開(kāi)關(guān)損耗。因此，增加的功率損耗為 P = ? * F * V 2 * I / Pslew。對(duì)于 V=12V，I=122mA，402 ohms + 10nF 使得 Pslew = 0.38V/uS，F(xiàn) = 1(開(kāi)/關(guān))周期/秒，功耗僅為 +23uW。

對(duì)于 PWM 應(yīng)用(在觸點(diǎn)保持期間降低線圈電流)，每個(gè)通道增加的 PWM 功率損耗為 P = ? * F * V 2 * I * (1/Pslew + 1/Nslew)。對(duì)于 V=12V，I = 70mA，402 ohms + 100pF 使得 Pslew = 26V/uS，Nslew = 33V/uS，F(xiàn) = 25kHz，每通道功率為 +17mW。

所以…… 繼電器驅(qū)動(dòng)器的 EMI 可以通過(guò)添加一些無(wú)源元件和小幅增加驅(qū)動(dòng)器的功耗來(lái)降低。