據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日全球光刻機(jī)巨頭ASML在今年的半導(dǎo)體EUV生態(tài)系統(tǒng)全球大會(huì)上表示，EUV設(shè)備出貨量這幾年來不斷上升，去年大約為42臺(tái)，而今年預(yù)測將超過50臺(tái)。2024年年底預(yù)計(jì)推出下一代High-NA EUV設(shè)備。

從ASML今年Q3季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)可以看出，其收到了較多的TWINSCANEXE:5200訂單，而且目前所有的EUV客戶都已提交High-NA的訂單。

下一代的High-NA EUV設(shè)備是將集光能力的鏡頭數(shù)值孔徑(NA)從0.33提高到0.55的設(shè)備，比現(xiàn)有的EUV設(shè)備處理更精細(xì)的半導(dǎo)體電路。因此業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為High-NA設(shè)備對2nm工藝至關(guān)重要。

據(jù)悉，三星電子和SK海力士已經(jīng)向光刻機(jī)巨頭ASML訂購了下一代半導(dǎo)體設(shè)備High-NA EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)未來在2nm制程工藝的競爭將加劇。

雖然High-NA EUV設(shè)備的價(jià)格高于EUV，但它可以一次性實(shí)現(xiàn)超精細(xì)工藝(單次圖案化)，這可以極大地提高生產(chǎn)力。