近日，網傳清華大學的國產 EUV 方案通過用“空間”換“時間”的方式，將光刻機放大為光刻廠的方案來規(guī)避技術難點，實現“換道超車”。

些博主聲稱該項目已經在雄安新區(qū)落地，屆時可以成功突破 7nm 甚至更先進制程工藝，并附上該“光刻廠”的實地圖片。

對此，昨天下午中國電子工程設計院官方表示，該項目并非網傳的國產光刻機工廠，而是北京高能同步輻射光源項目(HEPS)。

而且，HEPS 位于北京懷柔雁棲湖畔，也不是網傳的雄安新區(qū)。

這個巨大怪異的工廠是干什么的？

北京高能同步輻射光源項目(HEPS)是我國第一臺高能量同步輻射光源，也是世界上發(fā)射度最低、亮度最高的第四代同步輻射光源之一。

據悉，HEPS 通過加速器將電子束加速到 6GeV，然后注入周長 1360 米的儲存環(huán)，用接近光速的速度保持運轉

電子束在儲存環(huán)的不同位置通過彎轉磁鐵或者各種插入件時就會沿著偏轉軌道切線的方向釋放出穩(wěn)定、高能量、高亮度的光 (同步輻射光)

簡單的說，HEPS 可以看成是一個超精密、超高速、具有強大穿透力的巨型 X 光機，它產生的小光束可以穿透物質、深入內部進行立體掃描從分子、原子的尺度多維度地觀察微觀世界。

因此，高能同步輻射光源將幫助人類更細致觀察微觀物質的細節(jié)，為國家解決在資源、能源、環(huán)境、人口和健康等諸多領域面臨的挑戰(zhàn)提供科學基礎。

也就是說，HEPS是進行科學實驗的大科學裝置而不是網傳的光刻機工廠

該項目是中科院、北京市共建懷柔科學城的核心裝置，由國家發(fā)展改革委批復立項，中科院高能所承擔建設，為“十三五”國家重大科技基礎設施。

2019年該項目開始建設，今年3月 HEPS 增強全線貫通、儲存環(huán)隧道設備啟動安裝、光束線站前端區(qū)啟動試安裝，HEPS全面進入科研設備安裝階段，預計于 2025年完成交付并投入使用。

因為該項目中主要包括加速器、光束線和實驗站，環(huán)形加速器中產生的高通量 X光經過“通道”到達實驗站，所以從外形來看確實很有特點，容易讓人聯(lián)想到“光刻機”

據悉，儲存環(huán)能量高達 6 千兆電子伏，發(fā)射度小于 0.06 納米·狐度，高性能光束線站容量不少于 90個，提供能量達 300 千電子伏的 射線，具備納米量級空間分辨、皮秒量級時間分辨、毫電子伏量級能量分辨能力。

整個建筑形似放大鏡，寓意其為探索微觀世界的利器，而且后期還將不斷改造，延長其其工作壽命。

“光刻廠”還能實現嗎?

大家都知道光刻機是通過特定光線照射在涂有光刻膠的晶圓上產生化學反應，實現將設計好的電路打印到芯片上。

極紫外線EUV 的波長為 13.5 nm，是人類目前最先進的光刻機，可以支持目前最先進的制程工藝(2-7nm)

光刻機中最核心的設備就是 EUV 光源系統(tǒng)(錫蒸氣光源)，其原理是在真空室腔體中，將納米級別的錫滴噴出，隨后發(fā)出的兩束激光會將其高溫熔融并被氣化為等離子云，這個等離子云以高速的膨脹擴散后就產生了臨時光源

等離子云是原子和分子被激發(fā)所形成的一種高能量狀態(tài)，該狀態(tài)下的錫滴中的電子被激發(fā)至高能級，其能級差可以轉換為光子具有 13.5nm 波長的極紫外光，等離子體就是13.5nm波長光的源頭。

而且，錫滴噴槍每秒大約釋放 50000個錫滴，每一個都重復上述過程，從而產生源源不斷的EUV光線

在即使這樣產生的光源中也含有雜質，因此要使用光學系統(tǒng)中的多重反射鏡來對波長的篩選，但因為極紫外光的波長非常短很容易被接觸到的任何物體吸收掉 (包括反射鏡)，因此必須造出一個表面極其光滑的反射鏡來收集光源。

這個光滑的反射鏡非常精密，目前只有德國卡爾·蔡司公司才能做出這種鏡頭，如果說有德國國土面積那么大的一個反射鏡，其平整度誤差在毫米級別，光刻機巨頭荷蘭ASML 也為此成為蔡司的大股東。

所以我們可以看到，僅這個過濾鏡頭里面的精度誤差數量級都是非?？鋸埖?，不是由一臺幾米的光刻機變成一個幾百米的光刻廠就能將極紫外光中的雜質過濾又能保證如此短的波長不被吸收的。

21ic 了解到，最早的傳言可能來源于：清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組與來自亥姆霍茲林材料與能源研究中心(HZB)以及德國聯(lián)邦物理技術研究院(PTB)的合作團隊在自然雜志《Nature》上發(fā)表了題為《穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實驗演示(Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching)》論文。

該論文描述了一種新型光源整合技術，首次展示了同步輻射光源與自由電子激光兩種主要加速器光源結合后的特性，可能用于實現或改良大功率 EUV 光源。

未來隨著摩爾定律的不斷推進，工藝的愈發(fā)先進，將會要求 EUV 光刻機的波長和功率更高，而上述論文研究的穩(wěn)態(tài)微束(SSMB)技術提供了一定的研究方向，也就是說是未來光刻機光源的一個方向。

電子工程設計院官方辟謠的 “國產光刻工廠” 同步輻射光源項目(HEPS)其實也是國內外都在研究，并不是網傳國產 EUV 方案通過用 “空間” 換 “時間” 的方式將光刻機放大為光刻廠的方案來規(guī)避技術難點，實現 “換道超車”。

當然，大家關注也說明期待國內突破卡脖子問題，但是技術領域并沒有一蹴而就，只有踏踏實實持續(xù)鉆研深耕才能獲得突破。我國目前在各領域的進步是有目共睹的，比如華為的芯片、5G 以及衛(wèi)星通信，相信大家期待的那一天會到來的。