www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當前位置:首頁 > 工業(yè)控制 > 工業(yè)控制
[導讀]以下內(nèi)容中,小編將對場效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進對場效應(yīng)管的了解,和小編一起來看看吧。

以下內(nèi)容中,小編將對場效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進對場效應(yīng)管的了解,和小編一起來看看吧。

一、什么是場效應(yīng)管

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

與雙極型晶體管相比,場效應(yīng)管具有如下特點。

(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);

(2)場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。

(3)它是利用多數(shù)載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;

(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);

(5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強;

(6)由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。

場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管,簡稱mos管(即金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。

按溝道半導體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強型的。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。

功率場效應(yīng)管與雙極型功率晶體管特性相比:

1、驅(qū)動方式:場效應(yīng)管是電壓驅(qū)動,電路設(shè)計比較簡單,驅(qū)動功率小;功率晶體管是電流驅(qū)動,設(shè)計較復雜,驅(qū)動條件選擇困難,驅(qū)動條件會影響開關(guān)速度。

2、開關(guān)速度:場效應(yīng)管無少數(shù)載流子存儲效應(yīng),溫度影響小,開關(guān)工作頻率可達150KHz以上;功率晶體管有少數(shù)載流子存儲時間限制其開關(guān)速度,工作頻率一般不超過50KHz。

3、安全工作區(qū):功率場效應(yīng)管無二次擊穿,安全工作區(qū)寬;功率晶體管存在二次擊穿現(xiàn)象,限制了安全工作區(qū)。

4、導體電壓:功率場效應(yīng)管屬于高電壓型,導通電壓較高,有正溫度系數(shù);功率晶體管無論耐電壓的高低,導體電壓均較低,具有負溫度系數(shù)。

5、峰值電流:功率場效應(yīng)管在開關(guān)電源中用做開關(guān)時,在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時,峰值電流較低;而功率晶體管在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時,峰值電流較高。

6、產(chǎn)品成本:功率場效應(yīng)管的成本略高;功率晶體管的成本稍低。

7、熱擊穿效應(yīng):功率場效應(yīng)管無熱擊穿效應(yīng);功率晶體管有熱擊穿效應(yīng)。

8、開關(guān)損耗:場效應(yīng)管的開關(guān)損耗很小;功率晶體管的開關(guān)損耗比較大。

二、場效應(yīng)管作用

1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場效應(yīng)晶體管在電路中常用的五大作用:

1、放大作用

場效應(yīng)晶體管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)晶體管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

2、阻抗變換

場效應(yīng)晶體管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3、作可變電阻

場效應(yīng)晶體管可以用作可變電阻。

4、恒流源

場效應(yīng)晶體管可以方便地用作恒流源。

5、開關(guān)管

場效應(yīng)晶體管可以用作電子開關(guān)。

最后,小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀,對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對場效應(yīng)管已經(jīng)具備了初步的認識,最后的最后,祝大家有個精彩的一天。

聲明:該篇文章為本站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)不予轉(zhuǎn)載,侵權(quán)必究。
換一批
延伸閱讀

MOS管,其英文全稱是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應(yīng)管。這種管子屬于場效應(yīng)管的一個分類,即絕緣柵型,因此,它...

關(guān)鍵字: MOS管 場效應(yīng)管

碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。為了實現(xiàn)最低的RDS.A,需要權(quán)衡的一點是其常開特性,這意味著如果沒有柵源電壓,或者JF...

關(guān)鍵字: SiC 共源共柵 場效應(yīng)晶體管

在電機驅(qū)動領(lǐng)域,場效應(yīng)管(MOSFET)作為核心功率器件,其性能直接決定了電機系統(tǒng)的效率、可靠性與控制精度。隨著工業(yè)自動化、新能源汽車、消費電子等領(lǐng)域?qū)﹄姍C性能要求的不斷提升,MOSFET 需滿足更為嚴苛的條件。本文將從...

關(guān)鍵字: 電機驅(qū)動 場效應(yīng)管 控制

在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,MOS 場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)憑借其獨特優(yōu)勢,如高輸入阻抗、低噪聲、易于集成等,被廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品中,從日...

關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管 靜電擊穿 工業(yè)控制

一直以來,場效應(yīng)管都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家?guī)韴鲂?yīng)管的相關(guān)介紹,詳細內(nèi)容請看下文。

關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管 可控硅 三極管

在這篇文章中,小編將對場效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管 驅(qū)動芯片

場效應(yīng)管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解,詳細內(nèi)容如下。

關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管 晶閘管

以下內(nèi)容中,小編將對場效應(yīng)管的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進對場效應(yīng)管的了解,和小編一起來看看吧。

關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管 半導體

由于幾個實際原因,真空管特斯拉線圈是房屋建筑商的常見選擇。在固態(tài)特斯拉Cioils中,如果錯誤的組裝,錯誤的計算,甚至錯誤的印刷電路布線,場效應(yīng)晶體管很快就會失效,有時會爆炸,這也會帶來經(jīng)濟困難,因為強大的晶體管成本很高...

關(guān)鍵字: 特斯拉線圈 場效應(yīng)晶體管 GU50
關(guān)閉