【2023年9月21日，德國慕尼黑和中國深圳訊】基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢，為實現(xiàn)新應用和推進充電站技術創(chuàng)新創(chuàng)造了機會。近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業(yè)英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導體器件，用于提升電動汽車充電站的效率。

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“英飛凌與英飛源在電動汽車充電解決方案領域的合作，將為當?shù)仉妱悠嚦潆娦袠I(yè)提供出色的系統(tǒng)級技術解決方案。它將大幅提高充電效率，加快充電速度，并為電動汽車車主創(chuàng)造更好的用戶體驗。”

英飛源中國區(qū)總裁邱添泉表示：“通過與在SiC產(chǎn)品領域持續(xù)精進20年以上并擁有強大的集成技術實力的英飛凌合作，英飛源將通過采用最先進的產(chǎn)品工藝和設計解決方案，繼續(xù)鞏固并保持其在行業(yè)中的技術領先地位。我們還可以為新能源汽車直流充電解決方案的充電效率樹立新的標桿，從而為客戶創(chuàng)造更多便利和獨一無二的價值，促進電動汽車充電行業(yè)的健康發(fā)展。”

由于擁有高功率密度，SiC適用于開發(fā)高性能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術相比傳統(tǒng)的硅技術可將電動汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和運營成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節(jié)省1 kWh電能，每年節(jié)省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率器件在電動汽車充電模塊中的應用。

作為最早將溝槽柵技術用于晶體管的SiC功率半導體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設計。這些器件具有高閾值電壓，并簡化了柵極驅(qū)動。CoolSiC MOSFET技術在上市前已通過馬拉松應力試驗及柵極電壓跳變應力試驗，并在上市后定期進行監(jiān)控，以確保擁有最高柵極可靠性。

通過采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠?qū)崿F(xiàn)寬恒功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數(shù)電動汽車的快速充電需求，還能實現(xiàn)比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達到全球領先水平。